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公开(公告)号：CN100386850C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN02826551.3
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是涉及被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液是含有界面活性剂及有机溶剂的至少1种、氧化金属溶解剂和水的研磨液，进而可以含有表面用烷基改性的研磨粒和水，优选进一步含有金属氧化剂、水溶性聚合物、金属防蚀剂。
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公开(公告)号：CN101032001A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580032714.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。
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公开(公告)号：CN1745460A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200480003202.6
申请日：2004-01-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供了一种CMP研磨剂以及研磨方法，其中CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，所述水溶性高分子为具有下述族群中的任一种化合物的N－单取代化合物骨架和N，N－二取代化合物骨架中的任一种的化合物：丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺以及它们的α－取代化合物所构成的族群。其中相对研磨剂100重量份，水溶性高分子优选为0.01～10重量份。从而，在平坦化层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽分离用绝缘膜等的CMP技术中，能够有效、高速地研磨，且操作管理也能容易地进行。
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公开(公告)号：CN103342986A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310241746.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。
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公开(公告)号：CN101032001B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200580032714.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、水、以及由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方聚合而成的聚合物、以及/或者由甲基丙烯酸及其盐中的至少一方与具有不饱和双键的单体聚合而成的聚合物，优选的是，还含有分散剂或由甲基丙烯酸及其盐类的至少一种与具有不饱和键的单体聚合而得到的聚合物。这样，抛光后的被抛光膜的、由图案密度差所造成的残膜厚差比较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102232242A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148395.7
申请日：2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。
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公开(公告)号：CN101023512B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200580031762.7
申请日：2005-09-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明的CMP抛光剂，含有氧化铈粒子、分散剂、聚羧酸、第一可离解酸基的pKa值为3.2以下的强酸以及水，pH值为4.5～7.5，上述强酸的浓度为100～1000ppm或50～1000ppm，是一价的强酸，浓度为50～500ppm，或者是二价的强酸，浓度为100～1000ppm。较好的是，上述聚羧酸是聚丙烯酸。这样，在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜平坦化的CMP技术中，可降低图案密度依存的影响，可有效、高速进行抛光，且无抛光损伤并容易进行工艺管理。
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公开(公告)号：CN101689494A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880023332.4
申请日：2008-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。
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公开(公告)号：CN100373556C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200480014467.6
申请日：2004-05-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1454
Abstract: 本发明涉及一种研磨剂，其包含使4价金属氢氧化物粒子分散在介质中而得到的浆料和添加剂，所述添加剂为含有从由通式(I)以及通式(II)所表示的单体中选出的至少一种单体成分的聚合物。通式(I)中R1表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基、二氟甲基、三氟甲基、氰基，R2、R3独立地分别表示氢或C1～C18的烷基链、羟甲基、乙酰基、双丙酮基，但不包括两个均为氢的情况。通式(II)中，R1与通式(I)一样，R4表示吗啉基、硫化吗啉基、吡咯烷基、哌啶子基。本发明提供的研磨剂，由粒子与被研磨膜形成化学反应层，由于粒子非常小的机械作用和研磨垫的机械除去而不产生研磨损伤，并通过添加剂来实现高平坦化。
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公开(公告)号：CN101058713A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710107753.2
申请日：2002-10-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的配线形成步骤等中用于研磨的研磨液及研磨方法。特别是提供被研磨面即使由多种物质形成仍可以得到高度平坦性的被研磨面，并且可以抑制研磨后的金属残渣、研磨损伤的研磨液以及利用其的化学机械研磨方法。本发明的研磨液，含有全氟链烷磺酸、氧化金属溶解剂和水。本发明的研磨方法包括：研磨具有表面由凹部及凸部组成的层间绝缘膜、沿表面被覆前述层间绝缘膜的阻隔导体层和填充前述凹部被覆阻隔导体层的导电性物质层的基体的导电性物质，使前述凸部的阻隔导体层露出的第1研磨工序，和一边至少向阻隔导体层及凹部的导电性物质层供给本发明的研磨液一边进行化学机械研磨使凸部的层间绝缘膜露出的第2研磨工序。
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