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公开(公告)号：CN112437901A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201980048330.9
申请日：2019-07-11
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：环氧加成物形成用化合物与下述式(1)所示的化合物的环氧加成生成物；以及溶剂，[在式(1)中，A1表示至少1个氢原子可以被卤原子取代、并且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚氨基中断的碳原子数2～10的直链或支链亚烷基]。
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公开(公告)号：CN112313226A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042837.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07D405/14 , C08G59/20 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：通过下述式(1)所示的化合物、与环氧加成物形成用化合物的反应而获得的环氧加成生成物；以及溶剂。上述环氧加成物形成用化合物为选自含有羧酸的化合物、含有羧酸酐的化合物、含有羟基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有氨基的化合物和含有酰亚胺基的化合物中的至少1种化合物。
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公开(公告)号：CN113646352B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202080027542.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n (1)
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公开(公告)号：CN113994263B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080044359.2
申请日：2020-06-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、且优选显示溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有二氰基苯乙烯基的聚合物(P)或具有二氰基苯乙烯基的化合物(C)，且包含溶剂，不包含由三聚氰胺、脲、苯胍胺、或甘脲衍生的烷基化氨基塑料交联剂，且不包含质子酸固化催化剂。
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公开(公告)号：CN117043678A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280018524.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中，显示高药液耐性、良好的光学参数、和期望的干蚀刻选择比的保护膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含(A)化合物、(B)热产酸剂(B‑1)和/或固化剂(B‑2)、以及(C)溶剂，上述(A)化合物是不具有重复结构单元的化合物，包含末端基(A1)、多价基(A2)、和连结基(A3)，末端基(A1)仅与连结基(A3)键合，多价基(A2)仅与连结基(A3)键合，连结基(A3)可以在一方与末端基(A1)键合，在另一方与多价基(A2)键合，可选地与其它连结基(A3)键合，末端基(A1)为下述式(I)的结构中的任意者，[在式(I)中，＊表示与连结基(A3)的键合部位。X表示醚键、酯键或氮原子，在X为醚键或酯键时n＝1，在X为氮原子时n＝2。]多价基(A2)为选自‑O‑、脂肪族烃基、碳原子数小于10的芳香族烃基与脂肪族烃基的组合、和碳原子数10以上的芳香族烃基与‑O‑的组合中的2～4价基团，连结基(A3)表示芳香族烃基。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109790414B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201780061137.X
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/38 , C09D183/04 , B05D1/32 , B05D1/36 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4‑a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1～2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3‑甲氧基丁醇。
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公开(公告)号：CN114424121A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080065831.0
申请日：2020-10-09
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供具有特别高的干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、该抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂图案形成方法和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有环氧基的化合物、与包含1个与环氧基具有反应性的部位的杂环化合物的反应生成物；以及溶剂。优选上述杂环化合物所包含的杂环选自呋喃、吡咯、吡喃、咪唑、吡唑、唑、噻吩、噻唑、噻二唑、咪唑烷、噻唑烷、咪唑啉、二烷、吗啉、二嗪、噻嗪、三唑、四唑、二氧戊环、哒嗪、嘧啶、吡嗪、哌啶、哌嗪、吲哚、嘌呤、喹啉、异喹啉、奎宁环、色烯、噻蒽、吩噻嗪、吩嗪、呫吨、吖啶、吩嗪和咔唑。
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公开(公告)号：CN113316595A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202080009988.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F220/10 , G03F7/11
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物、应用了该保护膜的抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：包含至少1个缩醛结构和至少1个酰胺结构的化合物或聚合物、和溶剂。上述聚合物优选为分子内包含至少1个缩醛结构的化合物(a)、与分子内包含至少1个酰胺结构的化合物(b)的共聚物。
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公开(公告)号：CN109790414A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780061137.X
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , B05D1/32 , B05D1/36 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4-a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1或2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3-甲氧基丁醇。
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公开(公告)号：CN109563371A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780049797.6
申请日：2017-08-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/38 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供可以作为在被加工基板上形成平坦的膜而进行图案反转的被覆组合物、感光性组合物来利用的包含进行了缩醛保护的聚硅氧烷的组合物。解决手段是一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si-C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序(A)；将上述抗蚀剂膜曝光，在曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(B)；在被图案化了的抗蚀剂膜上涂布本件被覆用组合物而埋入聚硅氧烷的工序(C)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，对抗蚀剂膜进行蚀刻而将图案反转的工序(D)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(E)。
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