公开(公告)号：CN100570483C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200480004773.1

申请日：2004-02-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  石井和久 ,  岸冈高广 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08L33/14

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/109 ,  Y10S430/128

Abstract: 本发明提供一种光刻用形成填隙材料的组合物，其在双镶嵌工艺中使用、用于形成平坦化性、填充性优异的填隙材料。具体的说是一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的半导体基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在半导体基板上转印图像的方法进行的，该组合物含有聚合物、交联剂和溶剂。

公开(公告)号：CN101506736A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031573.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  新城彻也 ,  竹井敏

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。

公开(公告)号：CN1977220A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021444.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  坂口崇洋 ,  榎本智之

IPC: G03F7/11 ,  C08F12/14 ,  C08F216/06 ,  C08F216/14 ,  C08F220/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：在构成聚合物的单元结构中、具有摩尔比0.3以上的含有被卤原子取代的萘环的单元结构的聚合物，和溶剂。

公开(公告)号：CN1902550A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480039112.2

申请日：2004-12-22

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/30

CPC classification number: G03F7/11 ,  C23C18/02 ,  C23C18/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1295 ,  C23C26/00 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中可作为掩模使用的下层膜，其不与光致抗蚀剂层发生混合、可以利用旋涂法来形成。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成在半导体器件的制造中使用的下层膜的组合物，其特征在于，含有平均粒径为1～1000nm的金属氮化物粒子和有机溶剂，上述金属氮化物粒子含有选自钛、硅、钽、钨、铈、锗、铪、镓中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN1875324A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031792.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  境田康志 ,  新城彻也

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种光刻用下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有至少50％的羟基成为酯基的糊精酯化合物、交联性化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：CN1440518A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812504.2

申请日：2001-07-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  水泽贤一 ,  曾根靖久

IPC: G03F7/11 ,  C08L25/18 ,  C08L33/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094 ,  C08L25/18 ,  C09D125/18 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

Abstract: 本发明提供一种形成填隙材料的组合物，作为在具有孔或沟等凹凸的基板上的平坦化性优良、不会与抗蚀剂层发生混合、与抗蚀剂相比具有较大干式蚀刻速度的平版印刷用填隙材料，用于采用下述方法制造半导体装置，即在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上被覆抗蚀剂，利用平版印刷工艺，在基板上复制图像，所述组合物在被覆抗蚀剂前的该基板上被覆，使基板表面平坦，其中含有由聚合物和溶剂构成的聚合物溶液。

公开(公告)号：CN101523292B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200780037889.9

申请日：2007-10-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  中岛诚 ,  境田康志 ,  今村光 ,  桥本圭祐 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/0332 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供在半导体器件的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层中使用的叠层体和使用该叠层体的半导体器件的制造方法。本发明的半导体器件的制造方法包括下述工序：在半导体基板上按照有机下层膜(A层)、含硅的硬掩模(B层)、有机防反射膜(C层)和光致抗蚀剂膜(D层)的顺序叠层各层的工序。包括使光致抗蚀剂膜(D层)形成抗蚀剂图形，按照抗蚀剂图形来蚀刻有机防反射膜(C层)，利用构图化了的有机防反射膜(C层)来蚀刻含硅的硬掩模(B层)，利用构图化了的含硅的硬掩模(B层)来蚀刻有机下层膜(A层)，利用构图化了的有机下层膜(A层)来加工半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN1732410B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200380107353.1

申请日：2003-12-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  石井和久 ,  荒濑慎哉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/02118 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76808

Abstract: 本发明提供在双镶嵌工艺中使用的，有利于提高生产效率的光刻用形成填隙材料的组合物。具体地说涉及一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在基板上转印图像的方法进行的，所述形成填隙材料的组合物在被覆光致抗蚀剂前被覆在该基板上，该组合物含有具有羟基或羧基的聚合物和交联剂。由该形成填隙材料的组合物获得的填隙材料层可以利用碱水溶液进行回蚀。

公开(公告)号：CN101107569B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200680002801.5

申请日：2006-01-06

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/28 ,  C08F20/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合、可以使具有纵横比很大的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的形成光刻用下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：具有2个以上的被保护的羧基的化合物、具有2个以上的环氧基的化合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN101048705B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200580037032.8

申请日：2005-10-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76808 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。