公开(公告)号：CN101847683A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010114553.1

申请日：2010-02-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 末广一郎 ,  藤冈和也 ,  松田广和 ,  赤泽光治 ,  木村龙一 ,  薄井英之

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/54 ,  B29C33/68 ,  H01L33/52 ,  Y10T428/24521

Abstract: 本发明涉及用于光半导体封装的片，其具有剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层，其中所述剥离片在与所述封装树脂层界面处包含具有凹形状和/或凸形状的凹凸部形成层，并且所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与所述剥离片的凹形状嵌合的凸形状和/或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状。

公开(公告)号：CN101383295A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810214876.0

申请日：2008-09-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 原田宪章 ,  木村龙一 ,  赤泽光治

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01S5/00

CPC classification number: C08G59/24 ,  C08G59/4215 ,  C09D163/00 ,  H01L33/52 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明涉及一种用于生产光学半导体装置的工艺和该工艺中使用的片。该工艺包括：设置用于光学半导体元件封装的片和安装在基板上的多个光学半导体元件，用于光学半导体元件封装的片包括树脂片A和断续地嵌入树脂片A的多个树脂层B，使得多个光学半导体元件中的每一个面对多个树脂层B；接着，将多个光学半导体元件中的每一个嵌入多个树脂层B中的任一个。根据本发明的工艺，可以一次性封装光学半导体元件。结果，能够容易获得在LED元件保护和耐用性上出色的光学半导体装置。从而，获得的光学半导体装置具有延长的寿命。

公开(公告)号：CN109148350B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201810680930.4

申请日：2018-06-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  志贺豪士 ,  高本尚英

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24

Abstract: 本发明提供一种切割带一体型粘接性片，其适于在为了通过半导体晶圆的单片化得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而使用切割带一体型粘接性片进行的割断用扩展工序中实现粘接性片的良好割断。本发明的切割带一体型粘接性片(X)具备切割带(20)和粘接性片。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构。粘接性片以能剥离的方式与切割带(20)的粘合剂层(22)密合。粘接性片例如为半导体芯片背面保护用的薄膜(10)。粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、‑15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。

公开(公告)号：CN108091604B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201711114134.6

申请日：2017-11-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  志贺豪士 ,  高本尚英

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  C09J4/00

Abstract: 本发明涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。本公开提供无论有无固化处理均能附加耐久性优异的标记的片材。本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的半导体背面保护膜。在本公开的片材中，半导体背面保护膜的DSC测定的DSC曲线中，在50℃～300℃范围内出现的放热峰的放热量为40J/g以下。

公开(公告)号：CN108084912A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711114552.5

申请日：2017-11-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  木村龙一 ,  高本尚英

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/24 ,  C09J151/00 ,  C09J11/06 ,  C08F265/06 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: C09J151/003 ,  C08F265/06 ,  C08K5/29 ,  C09J11/06 ,  C09J2423/046 ,  C09J2451/00 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68354

Abstract: 本发明涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。本公开提供一种扩张时的分割精度优异的片材。本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的膜。在本公开的片材中，粘合剂层的厚度为2μm～10μm，膜的厚度为5μm～20μm。

公开(公告)号：CN107393857A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710325250.6

申请日：2017-05-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  高本尚英

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供片材、胶带及半导体装置的制造方法。本发明的一个方式提供能够减少切割时芯片侧面产生的龟裂的片材和胶带。本发明的一个方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材层及位于基材层上的粘合剂层。片材进一步包含位于粘合剂层上的半导体背面保护薄膜。半导体背面保护薄膜具有1.7kgf/mm2以上的对硅芯片的25℃剪切粘接力。

公开(公告)号：CN106098607A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610274684.3

申请日：2016-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  木村龙一

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 一种背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。第一本发明的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口且能够防止背面保护薄膜露出的背面保护薄膜等。第二本发明的目的在于，提供将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的背面保护薄膜等。第一本发明涉及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜等。背面保护薄膜的外周小于半导体晶片的外周，背面保护薄膜上设置有缺口。第二本发明涉及波长555nm的总透光率为3％以上的背面保护薄膜等。

公开(公告)号：CN106084604A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610282698.X

申请日：2016-04-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  木村龙一

IPC: C08L33/08 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08K7/18 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B37/025 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/14 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  C08L33/08 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/08 ,  C08J2461/06 ,  C08J2463/00 ,  C08L2203/16 ,  C08L2203/20 ,  C08L2205/03 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08K7/18 ,  C08K3/36

Abstract: 本发明提供半导体装置用薄膜、半导体装置的制造方法、及半导体装置，所述半导体装置用薄膜能够抑制卷取成卷状时向倒装芯片型半导体背面用薄膜的转印痕迹、并抑制被标记的各种信息的辨识性的降低。一种半导体装置用薄膜，其具备：多个带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜，其在隔离膜上隔开规定间隔地配置；和外侧片，其配置于带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜的外侧，带切割带的倒装芯片型半导体背面用薄膜为如下结构：具有切割带和倒装芯片型半导体背面用薄膜，将外侧片的宽度最窄的部分的长度设为G、将隔离膜的长边到切割带的长度设为F时，G在F的0.2倍～0.95倍的范围内。

公开(公告)号：CN102911503B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210284753.0

申请日：2012-08-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  三谷宗久

IPC: C08L83/07 ,  C08G77/20 ,  C09K3/10 ,  H01L33/56

CPC classification number: C08L83/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/16 ,  C08G77/20 ,  C08K5/5425 ,  C08K5/5435 ,  H01L23/296 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19105 ,  Y10T428/31663 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及有机硅树脂组合物、封装材料以及发光二极管装置，所述有机硅树脂组合物含有含硅成分，所述含硅成分包含：结合有选自饱和烃基和芳香族烃基的1价烃基的硅原子、以及结合有烯基的硅原子，每1g所述含硅成分的烯基的mol数为200~2000μmol/g。

公开(公告)号：CN103367601A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310102666.3

申请日：2013-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种在将半导体元件密封时能够抑制电线的变形的半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体基板包括：电路基板，从外部向该电路基板供电；多个半导体元件，其被支承于电路基板之上；以及多条电线，其以分别与多个半导体元件相对应的方式设置，一端与半导体元件电连接，另一端与电路基板电连接。多条电线以沿着在电路基板上具有中心点的假想圆的径向的方式延伸。