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公开(公告)号：CN213602620U
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202022198948.6
申请日：2020-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03H9/24
Abstract: 本公开的各实施例涉及微机电系统谐振器设备和谐振器结构。微机电谐振器设备具有：主体，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且由第一层和第二层制成，第二层被布置在第一层上；盖，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和相应第二表面，并通过键合元件被耦合到主体；以及由移动元件、压电材料区域和顶部电极形成的压电谐振器结构，移动元件由第一层的谐振器部分构成、相对于第二层中提供的内部腔以悬臂方式悬置并且相对于盖中提供的壳体腔在相对侧悬置；压电材料区域被布置在主体的第一表面上的移动元件上；并且顶部电极被布置在压电材料区域上，移动元件构成压电谐振器结构的底部电极。根据本公开，提供了改进的谐振器。
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公开(公告)号：CN211063784U
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201922012732.3
申请日：2019-11-20
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本公开涉及超声类型的MEMS声换能器和MEMS声换能器。一种超声MEMS声换能器形成在半导体材料的本体中，该本体具有彼此相对的第一表面和第二表面。第一腔在本体中延伸，并在底部界定敏感部分，该敏感部分在第一腔与本体的第一表面之间延伸。敏感部分容纳第二腔并形成膜，该膜在第二腔和本体的第一表面之间延伸。弹性支撑结构在敏感部分和本体之间延伸，并悬置在第一腔上方。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206635022U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201621483563.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221440346U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202322918834.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件和微机电系统。一种半导体器件，包括：第一管芯，集成电子元件；第二管芯，结合到所述第一管芯并且形成图案化结构，所述第一管芯具有主表面；内部电耦合结构，将所述第一管芯的所述主表面电耦合到所述第二管芯；外部连接区域，在所述第一管芯的所述主表面上；以及封装件，所述封装件封装所述第一管芯、所述第二管芯和所述内部电耦合结构并且部分地围绕所述外部连接区域，所述外部连接区域从所述封装件部分地突出。利用本公开的实施例使得最终器件成本低廉且具有良好的控制。因此，最终器件具有相对较低的成本。
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公开(公告)号：CN220856393U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202322141970.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·韦尔切西 , G·加特瑞 , G·阿勒加托 , M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , A·达内伊
Abstract: 本实用新型涉及一种微机电按钮器件、用户接口元件及其电子装置，包括：半导体材料的衬底、掩埋电极、结构层和帽。半导体材料的衬底具有前表面和后表面，前表面和后表面在水平面中具有延伸部，并且沿垂直于水平面的竖直轴线彼此相对；掩埋电极，在衬底上；结构层，包括移动电极，移动电极覆盖衬底，并且以分离距离弹性地悬置在掩埋电极上方以形成检测电容器；以及帽，耦合到结构层，并且具有面对结构层的第一主表面以及沿竖直轴线与第一主表面相对的第二主表面，帽被设计为机械耦合到电子装置的外壳的可变形部分，其中帽在第一主表面上具有致动部分。
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公开(公告)号：CN215952845U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202120411262.2
申请日：2021-02-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 , G·阿勒加托
IPC: G01L9/00
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。该半导体器件包括：由孔横穿的盖；以及被机械地耦接到盖来界定腔的主体，腔被插入在主体与盖之间。主体包括半导体本体和耦接结构，耦接结构被插入在半导体本体与盖之间并且横向地界定通道，通道将腔和孔流体地耦接。本实用新型的实施例提供了针对半导体器件的改进，例如通过通道执行比由孔执行的机械过滤更精细的机械过滤。
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公开(公告)号：CN210030037U
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201920145463.5
申请日：2019-01-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体裸片以及电子系统。半导体裸片包括：MEMS设备，包括具有通孔腔体的结构本体、在结构本体的第一侧处悬置在腔体之上的膜；以及过滤模块，在与第一侧相对的第二侧处直接耦合至结构本体，过滤模块的第一部分在腔体之上延伸，并且过滤模块的第二部分无缝地延伸为结构本体的延长部，其中过滤模块的第一部分包括多个通孔开口，多个通孔开口被配置为使腔体与半导体裸片的外部环境进行流体连通，并且同时阻挡污染颗粒从外部环境传到声室。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208836409U
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201821508057.2
申请日：2018-09-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本实用新型公开了声学换能器装置和电子系统。所述声学换能器装置包括：封装，具有一起限定所述封装的内部空间的基础衬底和覆盖元件，所述基础衬底具有与所述封装外部的环境声学连通的声音端口；MEMS声学换能器，在所述封装的所述内部空间中，并且具有面向所述声音端口的声学室；以及过滤模块，在所述封装的所述内部空间中，并且被布置在所述MEMS声学换能器与所述声音端口之间，所述过滤模块包括具有与所述声音端口和所述声学室流体连接的多个贯通开口的过滤膜，所述过滤膜由半导体材料制成并且具有小于10μm的厚度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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