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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103238075B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180054796.3
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： C·阿卡
IPC: G01C19/5755 , G01P15/125 , G01P15/18
CPC classification number: H01L29/84 , B81B7/04 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , B81B2203/055 , B81B2203/056 , B81B2203/058 , B81B2207/094 , G01C19/5755 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0848
Abstract: 除其它情况之外，本申请讨论了一种惯性测量系统，包括器件层、帽晶片和孔晶片，其中，所述器件层包括单质量块三轴加速计，所述帽晶片粘合到所述器件层的第一表面，所述孔晶片粘合到所述器件层的第二表面，其中，所述帽晶片和所述孔晶片被配置为封装所述单质量块三轴加速计。所述单质量块三轴加速计可围绕单个中心锚悬吊，且包括单独的x轴挠曲支承部、y轴挠曲支承部和z轴挠曲支承部，其中，所述x轴挠曲支承部和所述y轴挠曲支承部关于所述单个中心锚对称，且所述z轴挠曲支承部关于所述单个中心锚不对称。
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公开(公告)号：CN103209922B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201180053926.1
申请日：2011-09-20
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2207/096 , H01G7/06
Abstract: 本文涉及用于微机电系统(MEMS)传感器的器件层的装置和方法，所述MEMS传感器具有通孔，所述通孔具有减小的并联电容。在一个实例中，器件层可包括衬底，该衬底具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。
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公开(公告)号：CN103238075A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180054796.3
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： C·阿卡
IPC: G01P15/18 , G01P15/14 , G01C19/5755
CPC classification number: H01L29/84 , B81B7/04 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , B81B2203/055 , B81B2203/056 , B81B2203/058 , B81B2207/094 , G01C19/5755 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0848
Abstract: 除其它情况之外，本申请讨论了一种惯性测量系统，包括器件层、帽晶片和孔晶片，其中，所述器件层包括单质量块三轴加速计，所述帽晶片粘合到所述器件层的第一表面，所述孔晶片粘合到所述器件层的第二表面，其中，所述帽晶片和所述孔晶片被配置为封装所述单质量块三轴加速计。所述单质量块三轴加速计可围绕单个中心锚悬吊，且包括单独的x轴挠曲支承部、y轴挠曲支承部和z轴挠曲支承部，其中，所述x轴挠曲支承部和所述y轴挠曲支承部关于所述单个中心锚对称，且所述z轴挠曲支承部关于所述单个中心锚不对称。
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公开(公告)号：CN103221333A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055630.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L23/481 , H01L2224/131 , H01L2924/1461 , H05K1/18 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。
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公开(公告)号：CN103221331A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055792.7
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层耦合到所述集成电路的所述主体部分，其中，所述微机电层包括盖帽，所述盖帽包括延伸到所述集成电路的膜。
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