公开(公告)号：CN101107383A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002599.6

申请日：2006-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪奈什·帕德海 ,  干纳施·巴拉苏布拉马尼恩 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  崔振江 ,  均·卡洛斯·若彻-阿勒圭瑞 ,  金博宏 ,  海澈姆·穆萨德 ,  史蒂文·雷特尔 ,  福兰斯马尔·斯楚弥特

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/029 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274

Abstract: 本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过改变工艺参数，将氧化硅层沉积在所述衬底上，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特。

公开(公告)号：CN1961418A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017862.4

申请日：2005-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 纳格哈彦·哈加高帕兰 ,  梅彦·水克 ,  艾伯特·李 ,  安纳马莱·拉克师马纳 ,  夏立群 ,  崔振江

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/321 ,  C23C16/325 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一部分与所述还原化合物、所述硅基化合物或上述二者反应；并且，在不破坏真空的条件下沉积硅碳化物层。