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    半导体装置以及半导体装置的制造方法
    21.
    发明授权
    半导体装置以及半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113169083B

    公开(公告)日：2024-12-31

    申请号：CN202080006652.X

    申请日：2020-06-08

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 外薗洋昭 ,  加藤辽一

    IPC: H01L21/60

    Abstract: 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，能够防止半导体芯片的劣化，从而能够提高可靠性。半导体装置具备：第一半导体芯片(1)，其在表面具有金属层(1C)；第一布线构件(7)，其与金属层(1C)相向地配置；烧结金属层(4a、4b)，其配置于金属层(1C)与第一布线构件(7)之间，具备第一区域和设置在所述第一区域内部的多个第二区域，其中，各第二区域的拉伸强度比所述第一区域的拉伸强度低；以及金属材料(3)，其配置于烧结金属层(4a、4b)的内部，其中，烧结金属层(4a、4b)的第二区域的拉伸强度比第一半导体芯片(1)的金属层(1C)的拉伸强度低。

    半导体装置
    22.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN108735692B

    公开(公告)日：2023-08-29

    申请号：CN201810172393.2

    申请日：2018-03-01

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 山内浩平 ,  乡原广道 ,  加藤辽一 ,  池田良成 ,  谷口克己

    IPC: H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H01L23/28

    Abstract: 提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备：由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。

    半导体装置以及半导体装置的制造方法
    23.
    发明公开
    半导体装置以及半导体装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116013914A

    公开(公告)日：2023-04-25

    申请号：CN202211004673.5

    申请日：2022-08-22

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 村田悠马 ,  加藤辽一 ,  多田慎司

    IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/60

    Abstract: 本发明实现能够确保绝缘距离并且降低电感的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体模块包括设置在第一壳体的第一绝缘纸、设置于它们之间的第一端子、以及设置在第一绝缘纸的与第一端子侧相反的一侧的第二端子。在俯视时，第一绝缘纸在方向上具有第一宽度，且具备更小的第二宽度的切口部。第一端子在俯视时以连接区域位于切口部的状态被第一绝缘纸覆盖，并在方向上具有比第一宽度小且比第二宽度大的第三宽度。第二端子位于比连接区域更靠壳体的内侧的位置。将第一端子设为比与连接区域和第二端子分别连接的电容器的正负极端子的宽度宽，确保绝缘距离并且降低电感。

    半导体模块
    24.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号：CN115483174A

    公开(公告)日：2022-12-16

    申请号：CN202210456739.8

    申请日：2022-04-24

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 中込旭人 ,  加藤辽一 ,  村田悠马

    IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体模块，能够实现电力被供给的端子的绝缘性的提高。半导体模块具备：负极端子，其与直流电力的负极性侧连接；正极端子，其以使负极端子的包括一端的露出部露出的状态配置于负极端子的上方，正极端子与直流电力的正极性侧连接；绝缘片，其以在负极端子的一端与正极端子的一端之间露出露出部的状态配置于负极端子与正极端子之间，将负极端子与正极端子绝缘；以及第一电介质部，其以至少覆盖正极端子的一端的与绝缘片接触的角部的方式形成。

    半导体模块、电力转换装置以及半导体模块的制造方法
    25.
    发明公开
    半导体模块、电力转换装置以及半导体模块的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113937080A

    公开(公告)日：2022-01-14

    申请号：CN202110742999.7

    申请日：2021-07-01

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 加藤辽一

    IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

    Abstract: 本发明提供一种半导体模块(100)等。半导体模块(100)在载置有半导体芯片(1)的层叠基板(5)与冷却器(30)之间设置有导热部(20)。导热部(20)具备框体(21)和开口部(22)，开口部(22)具有润滑脂部(22a)和空间部(22b)，润滑脂部(22a)局部地设置在开口部(22)内且与层叠基板(5)和冷却器(30)接触；空间部(22b)局部地设置在润滑脂部(22a)与框体(21)之间且该空间部设置成带状。

    半导体装置
    26.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN113053843A

    公开(公告)日：2021-06-29

    申请号：CN202011355736.2

    申请日：2020-11-27

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 加藤辽一 ,  池田良成 ,  村田悠马

    IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有能够降低电感的连接机构。电容器具有包括电容器元件的壳体、第一连接端子、第二连接端子、以及设置于第一连接端子与第二连接端子之间的第二绝缘片，第一连接端子、第二绝缘片和第二连接端子从壳体向外部延伸出。半导体模块具有第一功率端子、第一绝缘片和第二功率端子依次重叠而成的端子层叠部。该第一功率端子具有与第一连接端子导电连接的第一接合区，该第二功率端子具有与第二连接端子导电连接的第二接合区，该第一绝缘片具有在俯视时向从第二接合区朝向第一接合区的方向延伸的平台部。

    半导体装置及半导体装置的制造方法
    27.
    发明授权
    半导体装置及半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105612614B

    公开(公告)日：2018-12-28

    申请号：CN201580002155.1

    申请日：2015-02-20

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 斋藤隆 ,  加藤辽一 ,  西村芳孝 ,  百濑文彦

    IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12

    Abstract: 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲，还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中，在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上，具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13)，在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。

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