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公开(公告)号：CN106847651A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610538546.1
申请日：2016-07-11
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于钼基底的电子控制栅网的制备方法，包括如下步骤：a)将钼基毛坯片放入900～950℃氢炉内退火，保温3～5分钟；b)将所述步骤a)制得的钼基毛坯片放入特制模具冲压栅网呈球面形状；c)将所述步骤b)冲压好的钼基球面栅网毛坯片放入900～950℃氢炉内退火，保温20～25分钟；d)将所述步骤c)冲压好的钼基球面栅网毛坯片，采用电火花精密加工一次成型三环多轮辐栅网结构；e)将所述步骤d)制得的钼基三环多轮辐栅网放入1000～1100℃氢炉内退火定型，保温5～10分钟；f)将所述步骤e)制得钼基三环多轮辐栅网进行化学去油清洗；g)将所述步骤f)制得的钼基三环多轮辐栅网放置于电解溶液中进行电解抛光后获得电子控制栅网。
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公开(公告)号：CN106298401A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610783492.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J9/18
Abstract: 本发明公开了一种球面栅网成型用工装模具及球面栅网成型方法，其中工装模具包括依次叠装的成型底座、定位压块、玄高尺寸控制环和成型球头杆，定位压块通过定位销固定在成型底座的顶面，成型底座的顶面设置有成型槽，成型球头杆的杆首球头依次贯穿开设于玄高尺寸控制环的第一通孔和开设于定位压块的第二通孔延伸并相匹配落入至定型槽，定位槽的槽型及尺寸与待成型平面栅网所需加工成球面栅网的球面形状及尺寸相同，成型底座和成型球头杆的杆首球头的表面均呈镜面状。有益效果：操作性强，具有栅网成型精度高、光洁度高、成型栅网玄高范围大等优点，同时成型后的球面栅网具有强度高、抗疲劳、抗热变形、且表面无毛刺等技术特性。
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公开(公告)号：CN101770918B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010111328.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H01J23/06
CPC classification number: H01J25/44
Abstract: 本发明公开了一种多注行波管小型化电子枪，属于行波管电子枪领域。本发明由阴极组件，阴影栅，控制栅，绝缘体，多个杯形件组成，通过接触焊接的方式将其装配在一起，整体结构轻巧、紧凑、牢固可靠。本发明大大缩小了电子枪的重量和体积，减少了零部件，简化了装配制造工艺。同传统的电子枪相比，重量减少了80％，直径减小了40％，高度减小了50％，同时耐压可以达到15KV，电气性能良好，满足多注行波管的需求。本发明在实际应用中取得了良好的效果。
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公开(公告)号：CN107498126B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710491567.7
申请日：2017-06-26
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种在深腔或窄腔上搪锡方法，步骤一、制作镀金铜片；步骤二、在搪锡之前，预先去除氧化物；步骤三、在热台上预热，喷洒助焊剂，助焊剂型号：EF‑9301，上焊料，将腔体放置在温度为240±5℃的热台上进行预热，随后向腔体待搪锡区域喷洒一层助焊剂，助焊剂型号：EF‑9301，然后再向腔体待搪锡区域添加焊锡丝；步骤四、用镊子夹取镀金铜片，放置在熔化的焊料上，来回在腔体待搪锡区域摩擦，使其腔体搪锡；步骤五、将搪锡后的腔体清洗。本发明相对于传统用电烙铁方式，操作更简单、方便、高效，搪锡无死角。本发明适合大批量生产，值得推广。
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公开(公告)号：CN109714009A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811560615.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明公开了一种P波段低噪声放大器的制作工艺，包括以下步骤：1、将元器件烧结到电路板上；2、将绝缘子和已表贴元器件的电路板烧结到壳体上；3、将滤波器烧结到壳体上；4、胶接芯片；5、在相应位置金丝键合；6、调试、测试、封盖、打标。采用上述技术方案，所述的P波段低噪声放大器输出功率高、增益高、低噪声、宽频带、高性能；经过本发明制造生产的P波段低噪声放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项性能指标完全达到整机要求；该制造工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较高，适合批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109347450A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811069325.X
申请日：2018-09-13
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明适用于功率放大器制备技术领域，提供了一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，包括如下步骤：将微波电路板烧结到主腔体的底部；将功率放大芯片、芯片电容与铜片载体进行共晶，将获得的共晶功率放大组件片烧结到微波电路板的对应位置；在微波电路板上胶结电阻及电容；将共晶功率放组件与胶结有电阻及电容的微波电路板间采用金带键合；将盖板固定到主腔体的顶部。借助微电子组封装工艺技术，实现基于微波单片集成电路放大器芯片设计的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法，获得的亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器具有散热好、稳定性高、安装灵活、体积小、可靠性高且适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN108768304A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810613494.9
申请日：2018-06-14
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种S波段50瓦功率放大器的制作工艺，包括以下步骤：步骤1、将放大器芯片共晶在钼铜载体上；步骤2、将元器件烧结到电路板上；步骤3、将烧结好元器件的电路板、共晶后的组件和绝缘子烧结到腔体上；步骤4、金丝键合；步骤5、对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标,经过此工艺生产的S波段50瓦脉冲功率放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求。生产此放大器的工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，降低了生产成本、提高了生产效率值得推广。
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公开(公告)号：CN108092632A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711352984.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域，提供了一种X波段3瓦功率放大器的制作工艺，该工艺包括如下步骤：S1、将Rogers5880电路板烧结到腔体上的对应位置；S2、将阻容器件烧结到Rogers5880电路板上；S3、将功放管烧结到腔体上；S4、将隔离器安装到腔体上；S5、烧结电源模块电路板并安装到腔体上；S6、电源模块电路板安装完毕后，进行调试和测试，对测试合格的产品进行封盖；上述生产工艺流程科学、便于操作，且经过上述工艺生产的X波段30瓦功率放大器经过严格的测试、环境实验以及整机现场调试，各项技术性能指标完全达到整机要求，生产的产品合格率高，提高了生产效率，节约了生产成本。并已实现大批量多批次供货。
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公开(公告)号：CN107708328A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710497802.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H05K3/3457 , H05K2203/04
Abstract: 本发明公开了提高芯片充分接地和散热的焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤SS1：制备锡球；步骤SS2：向电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔中填充所述步骤SS1中的所述锡球；步骤SS3：加热使所述步骤SS2中的焊盘接地孔中的所述锡球熔化。本发明跟现有工艺比较，增加了逐个向焊盘接地孔中填充锡球，然后放置在加热平台上加热使焊盘接地孔的锡球熔化的工序，使焊盘接地孔中充满焊锡，来实现芯片背面充分接地，并且保证了芯片充分散热，提高了芯片焊接质量。
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公开(公告)号：CN107350585A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710491525.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
CPC classification number: B23K1/0016 , B23K1/203 , B23K1/206 , B23K2101/36
Abstract: 本发明公开了一种扁平镀金引线手工焊接的方法，步骤一、扁平镀金引线去金、搪锡；步骤二、Rogers微带板去金、搪锡；步骤三、清洗；步骤四、用电烙铁加热融熔焊锡丝将去金、搪锡后的镀金引线手工焊接在去金、搪锡后的Rogers微带板焊接区域；步骤五、手工焊接完成后，进行汽相清洗。本发明其优点在于，在镀金引线焊接在Rogers微带板上之前，预先将扁平镀金引线和Rogers微带板焊接区域去金、搪锡，改善了扁平镀金引线和Rogers微带板的焊锡附着力，提高了焊锡的浸润性，为后续的焊接提供了最优环境，增强了焊接强度；另外，本发明采用的搪锡方法，对去金效果好，本发明操作简单、实用性强，值得推广。
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