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公开(公告)号：CN1332057A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN01127901.X
申请日：2001-07-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/24
Abstract: 本发明属于新材料技术领域,涉及到电子、宇航、通信、汽车等焊料使用领域。其特征是化学成分(%)为:(1)、(0.5～5)Ag;(0.05～2)RE;余量为Sn;(2)、(0.5～5)Ag;(0.05～2)RE;(1～10)Bi;余量为Sn;(3)、(0.5～5)Ag;(0.05～2)RE;(0.5～2)Cu;余量为Sn;(4)、(0.5～5)Ag;(0.05～2)RE;(1～20)In;;余量为Sn;(5)、(0.5～5)Ag;(0.05～2)RE;(1～10)Bi;(0.5～2)Cu;余量为Sn。合金无毒、无污染,具有优良的润湿性、力学性能、焊接性能及可靠性。可替代锡铅焊料,并可满足宇航、通信、汽车等领域对高性能焊料的要求。
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公开(公告)号：CN119857961A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510180664.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种In与Sb协同强化的Sn260‑2xAg10Cu2InxSbx无铅钎料合金，包括以下质量百分比的组分：3.4%的Ag、0.4%的Cu、1.4~5.7%的In、1.5~6.1%的Sb，余量为Sn，其中，In与Sb原子比为1:1。本发明优化设计Sn‑Ag‑Cu系钎料合金，同时添加In元素与Sb元素，得到In与Sb协同强化的Sn260‑2xAg10Cu2InxSbx无铅钎料合金，具有优异的剪切强度和塑性。本发明的无铅钎料合金可以采用目前主流的Sn‑3.0Ag‑0.5Cu无铅钎料合金的回流工艺进行钎焊，具有焊接强度高、时效前后剪切性能良好、成本适中、无铅更加环保等优点，特别适用于BGA及WLCSP封装。
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公开(公告)号：CN119820173A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510181139.9
申请日：2025-02-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于SoC芯片封装的高强度高塑性Sn基无铅钎料合金，所述钎料合金包括以下质量百分比的组分：3.4%的Ag、0.4%的Cu、1.4~2.8%的In，1.3~2.6%的Bi、0.8~1.5%的Sb，余量为Sn；Bi原子和Sb原子之和与In原子的原子数量比为1:1；满足Sn‑Ag‑Cu‑In‑Bi‑Sb六元团簇式：Sn260‑4xAg10Cu2In2xBixSbx。本发明的无铅钎料合金具有与普遍使用的Sn‑Ag‑Cu合金适配的工艺性能、良好的润湿性能、优异的力学性能，特别适用于SoC芯片封装。
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公开(公告)号：CN119736680A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510237654.4
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/62 , C25D5/00 , C25D5/18 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种无氰Au‑Sn电镀液与应用，属于电镀技术领域，电镀液由金源、锡源、金络合剂、锡络合剂、添加剂和pH缓冲剂组成；金源为巯基磺酸金盐；锡络合剂为巯基乙酸及其盐；无氰Au‑Sn电镀液的pH为3~11。本发明提供的电镀液不含有剧毒物质，具有较高的存储稳定性和电镀稳定性，即使在高低温变化、光照、长时间存储或长时间电镀后仍保持澄清透明状态，在长时间存储或长时间电镀内获得成分均一稳定且重现性高的Au‑Sn合金镀件，从而有效保证电镀得到的Au‑Sn合金镀件性能，电镀液性能优异，有利于在微电子或光电子器件的封装技术中的应用。
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公开(公告)号：CN117840629A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410031970.1
申请日：2024-01-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/26 , B23K1/00 , C22C1/02 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种低熔点In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料及其制备方法、应用，In‑Bi‑Sn‑Ag合金钎料包括以下质量百分比的组分：15％～25％的Sn、10％～30％的In、1％～12％的Ag和40％～60％的Bi；In和Ag的原子百分比之和与Bi和Sn的原子百分比为35.7：39.3：25。基于“(团簇)连接原子”理论模型，并结合相图、混合焓及强交互作用原则，在Sn‑Bi基础上联合Ag元素和In元素的复合添加，并严格控制各合金元素成分配比，具有低熔点、Cu和Ni基板润湿性良好、焊接强度高、成本适中、无铅更加环保等优点，尤其适用于柔性基板互连，也可应用于3D IC多层封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116493805A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310304555.4
申请日：2023-03-27
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种In和Sb强化的Sn24‑x‑yBi18InxSby低温无铅焊料及其制备方法，属于低熔点焊料领域，包括Sn、Bi、In、Sb元素，As、S、Ni、Cd、Cr、Zn、Pb为杂质元素，该合金成分源自团簇合金成分设计模型，其合金成分的质量百分比(wt.％)为Bi：57.0，In：0.2‑1.40，Sb：0.21‑1.50，杂质总和(As+S+Ni+Cd+Cr+Zn+Pb)≤0.01，Sn：余量；且In/Sb的质量百分数比例为1：1.06‑1.6。本发明通过合金成分设计，通过引入Sb优化了先析出的富Sn相,同时实现了细化Bi相，提高抗剪切性能，增强了润湿性；该焊料在110℃时效240h后仍具有较高的抗剪切性，用于低温钎焊。
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公开(公告)号：CN114411233A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN112103262A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010964080.8
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , C22F1/08 , C22F3/00 , C25D3/30 , C25D5/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种控制全金属间化合物微互连焊点晶体取向及微观组织的方法，其特征在于，通过直流或脉冲电镀的方法依次在第一金属焊盘和第二金属焊盘上分别制备出择优取向纳米孪晶Cu作为凸点下金属化层；然后再在第一金属焊盘上的第一凸点下金属化层上制备无铅钎料凸点，将所述无铅钎料凸点和第二金属焊盘上的第二凸点下金属化层接触放置，并将二者进行回流焊处理，使其形成冶金结合。本发明中的择优取向全金属间化合物微互连结构具有优异的力学性能、优良的抗电迁移性能和高温服役可靠性，提高了电子器件的使用寿命，可广泛应用于工业生产。
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公开(公告)号：CN105609450A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610154070.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/67011 , H01L21/76877
Abstract: 本发明公开了一种三维封装垂直通孔的填充装置，包括金属液喷射装置和填充工作区，其特征在于：坩埚为内外嵌套圆环式结构，填充材料填入到内容纳腔与外容纳腔之间的腔内，通过与压电陶瓷相连的传动杆带动压片挤压中心孔内的金属液使金属液从喷射孔喷出；坩埚通过连接有三维运动控制器的坩埚支架与腔体上部相连，使坩埚运动自如，与填充工作区的衬底配合，完成填充。本发明还公开了应用上述装置填充三维封装垂直通孔的方法。本发明通过金属液喷射装置和填充工作区的工作平台的协同配合，可形成均一液滴且频率可控，也可以形成稳流液线，实现三维封装垂直通孔的金属化填充，尺寸精度高、气孔率低、填充效率高、成本低、工艺简单、可自动化生产。
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公开(公告)号：CN104674335A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510065020.1
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，使第一金属基底的温度与第二金属基底之间形成温度梯度，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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