公开(公告)号：CN101384644B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200780006026.5

申请日：2007-02-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·L·海德里克 ,  J·E·弗洛莫 ,  J·温德恩 ,  U·杜里格 ,  V·Y-W·李 ,  B·高茨曼 ,  R·D·米勒 ,  E·海格博格 ,  T·麦格比唐 ,  A·诺尔 ,  R·C·普莱特 ,  C·韦德

IPC: C08G73/12 ,  G11B9/00

CPC classification number: G11B9/149 ,  B82Y10/00 ,  C08G73/101 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1053 ,  C08G73/1064 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1454 ,  G11B11/007 ,  G11B2005/0021 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31721

Abstract: 本发明涉及一种用于纳米级热机械存储设备的聚合物层。交联的聚酰亚胺低聚物用作原子力数据存储设备中的记录层，与现有技术的交联和线型聚合物相比具有显著改进的性能。聚酰亚胺低聚物的交联可以被调节成匹配在读-写-删除循环中所需的热和力参数。另外，交联的聚酰亚胺低聚物适用于纳米级成像中。

公开(公告)号：CN101101875A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710126919.5

申请日：2007-07-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·M·盖茨 ,  S·V·恩古源 ,  R·D·米勒 ,  V·Y-W·李 ,  A·格里尔 ,  G·J-M·迪布瓦 ,  V·V·帕特尔

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/29 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了形成包括Si，C，O和H原子(SiCOH)或Si，C，N和H原子(SiCHN)的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度(或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还提供了包括上述材料的电子结构。

公开(公告)号：CN101093825A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710112558.9

申请日：2007-06-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·M·盖茨 ,  R·D·米勒

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了致密硼基或磷基介质材料。具体地，本发明提供包括硼和碳，氮和氢中的至少一种的致密硼基介质材料和包括磷和氮的致密磷基介质材料。本发明还提供在ULSI后段制程(BEOL)互连结构中，包括致密硼基或磷基介质作为蚀刻停止，介质Cu覆盖材料，CMP停止层，和/或反应离子蚀刻掩模的电子结构。在本发明中还描述了形成发明的硼基或磷基介质的方法以及包括其的电子结构。

公开(公告)号：CN1819180A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610002175.1

申请日：2006-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  S·M·盖茨 ,  A·格里尔 ,  M·莱恩 ,  R·D·米勒 ,  D·A·诺伊迈尔 ,  S·V·恩古源

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01B3/18

CPC classification number: H01L31/103 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供了一种低k介质材料，用于包括互连和传感结构的电子结构中，具有增强的内聚强度，包括Si、C、O和H原子，其中部分C原子键合为Si－CH3官能团，以及另一部分C原子键合为Si－R－Si、－[CH2]n－、HC＝CH、C＝CH2、C≡C或[S]n联接，其中R是苯基，n大于或等于1。

公开(公告)号：CN1155081C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN98126215.5

申请日：1998-12-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·R·卡特 ,  C·J·哈克 ,  J·L·赫德里克 ,  R·D·米勒 ,  M·A·加尼斯 ,  S·L·布奇瓦特

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  C08G63/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2224/0401

Abstract: 包括芯片、基体、跨芯片和基体形成芯片和基体间电导连接的至少一个焊剂连结以及在焊剂连结周围形成的封装材料的封装电路装置，其中的封装材料包括由环状低聚物经开环聚合形成的热塑性聚合物。