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公开(公告)号:CN203836056U
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201320747166.0
申请日:2013-11-25
Applicant: 中国直升机设计研究所
IPC: F16F9/06
Abstract: 本实用新型属于飞机起落架的技术领域,特别是涉及直升机起落架用的缓冲器技术领域。一种直升机用的起落架缓冲器,本缓冲器包括活塞杆(11)、中间筒(12)、外筒(13)、支撑套(102)和(202)、浮动活塞(103)和(203)、节流阀(105)和(205)、固定套(106)和(206),其中,活塞杆(11)、中间筒(12)、外筒(13)为筒体,支撑套(102)和(202)、固定套(106)和(206)均为中空件,本缓冲器较长,双气腔结构,能够吸收较多能量。两级缓冲器相互独立,在一级缓冲器失效的状态下,缓冲器还能实现缓冲功能。
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公开(公告)号:CN202624629U
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201220186561.1
申请日:2012-04-27
Applicant: 中国直升机设计研究所
IPC: B64C25/10
Abstract: 本实用新型属于起落架设计技术,涉及一种摇臂式起落架。包括摇臂[1]、缓冲器[2]、机轮[3],摇臂[1]及缓冲器[2]一端分别与两个机身铰接点[6]、[7]近似水平布置,所述缓冲器[2]另一端与摇臂[1]铰接,铰接点[4]位于摇臂[1]转动中心与机轮中心的连线[5]的下方。本实用新型拓展了摇臂式构型起落架的应用,可适用于某些特殊的机体结构,提高产品的性能。
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公开(公告)号:CN202402547U
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201120564734.4
申请日:2011-12-22
Applicant: 中国直升机设计研究所
IPC: F16F9/06
Abstract: 本实用新型属于起直升机落架设计领域,涉及到一种拉伸式缓冲器构型。包括外筒[1]和活塞杆[2],还包括一个套筒[7],所述活塞杆[2]套于外筒[1]腔内,活塞杆[2]外壁与外筒[1]内壁形成内环形腔[11],所述套筒[7]与活塞杆[2]固定,套在外筒[1]和活塞杆[2]的外面,本实用新型具有灵活可调的特点,即可设计为伸长过程压缩气体,也可以设计为压缩过程压缩气体或伸缩过程气体体积不变。实现了可在拉伸时受载的缓冲器和零刚度缓冲器,拓展了缓冲器和起落架构型的应用。
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公开(公告)号:CN111626008B
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN202010464342.4
申请日:2020-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明目的在于提供一种可用于电路系统的分层序贯测试性建模方法,属于电子产品测试性分析与设计领域。首先确定电路系统的故障集与可用物理测点集,并通过建立多信号流图模型确定其中故障信息传播路径;以故障信息传播路径为依据,构建故障至测点的最短路径矩阵;随后以信息熵为依据确立测点可用度排序;仿真获取各故障状态下测点电信号波形;以确定的优先级排序提取各测点的可用特征,并依次增补形成故障‑测试特征矩阵;对每次增补后的矩阵充足性进行验证,直至满足规定要求,给出所需的测试性模型。本发明解决了测试性建模中测点可用性评价和序贯增补建模终止时机的判定问题,为电路系统的测试性建模提供了有效手段。
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公开(公告)号:CN111626622A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN202010471019.X
申请日:2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种考虑不确定性的电路系统测试性指标预计方法,所述方法首先根据电路系统的历史故障信息等确定其故障集、测试特征完备集以及不确定性因素种类;之后建立该电路系统的故障仿真模型,并通过蒙特卡洛方法模拟获得不确定性影响下测试特征的分布情况;基于获取的测试特征分布信息建立故障-测试特征相关性矩阵;基于该矩阵,构建可用于描述测试特征相关性的高斯Copula形式的3种测试性指标预计函数;在此基础上进一步考虑测试特征子集选择问题,构建可用于任意子集的测试性指标快速预计函数。本发明考虑了测试特征之间的相关性,可有效提高电路系统测试性指标预计精度。
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公开(公告)号:CN115630546A
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202211271247.8
申请日:2022-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种考虑工作温度影响的三相换流器软故障诊断方法,所述方法包括如下步骤:S1、建立三相换流器的电热耦合数字样机模型和基于测试建立关键元器件参数温度特性曲线;S2、建立三相换流器标准状态空间模型和软故障状态空间模型;S3、采用关键元器件参数温度特性曲线以及三相换流器标准状态空间模型及软故障状态空间模型,建立具有温度补偿的三相换流器软故障观测器;S4、基于三相换流器软故障观测器,使用L2范数积分残差评价实现基于测试激励组合的三相换流器的软故障检出和隔离。相比于传统的故障观测器设计方法,该方法考虑了温度对系统参数的影响,据此对三相换流器开展测试性设计,通过故障观测器实现故障检出和故障隔离。
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公开(公告)号:CN111027255A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911359401.5
申请日:2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种永磁同步电机空载电流仿真分析方法,属于永磁同步电机性能与一致性分析技术领域。包括以下步骤:采用Maxwell有限元仿真,根据永磁同步电机的结构,构建永磁同步电机空载电流与影响该空载电流的n个底层结构参数pi(i∈1,...,n)的集合P={p1,p2,...,pn}(n<∞)之间的模型关系;基于simulink构建永磁同步电机的外加控制电路,形成控制系统模型;通过有限元模型仿真得到对应结构参数下的永磁同步电机三相自感和互感值,根据公式计算得到DQ电感值,即交直轴电感值;构建反映永磁同步电机空载电流与所述n个底层结构参数集合P以及m(n<∞,m≤n)个材料属性之间的模型。本发明解决了永磁同步电机建模方法无法考虑参数分散性对空载电流的影响的问题,避免因转子启动位置不同造成永磁同步电机空载电流有效值之间的差异。
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公开(公告)号:CN109190244A
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:CN201811011865.2
申请日:2018-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种N沟道VDMOSFET在PBTI效应下退化模型的建立方法,所述方法如下:步骤一:基于RD模型理论分析N沟道VDMOSFET在PBTI效应下的退化机理,确定阈值电压为退化模型的敏感参数;基于TCAD仿真,向MOSFET模型中注入缺陷,验证阈值电压作为敏感参数的正确性;步骤二:结合幂律模型和阿伦尼乌斯模型提出N沟道VDMOSFET的PBTI退化模型;步骤三:以幂律模型为基础对下降段和上升段分别建模,合并上升段和下降段模型,得到电应力退化模型;步骤四:基于电应力退化模型建立PBTI效应下的关于电热应力退化模型。本发明所建立的退化模型可直接用于VDMOSFET的寿命预测和可靠性评估中。
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公开(公告)号:CN115630546B
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202211271247.8
申请日:2022-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种考虑工作温度影响的三相换流器软故障诊断方法,所述方法包括如下步骤:S1、建立三相换流器的电热耦合数字样机模型和基于测试建立关键元器件参数温度特性曲线;S2、建立三相换流器标准状态空间模型和软故障状态空间模型;S3、采用关键元器件参数温度特性曲线以及三相换流器标准状态空间模型及软故障状态空间模型,建立具有温度补偿的三相换流器软故障观测器;S4、基于三相换流器软故障观测器,使用L2范数积分残差评价实现基于测试激励组合的三相换流器的软故障检出和隔离。相比于传统的故障观测器设计方法,该方法考虑了温度对系统参数的影响,据此对三相换流器开展测试性设计,通过故障观测器实现故障检出和故障隔离。
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公开(公告)号:CN111626008A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN202010464342.4
申请日:2020-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明目的在于提供一种可用于电路系统的分层序贯测试性建模方法,属于电子产品测试性分析与设计领域。首先确定电路系统的故障集与可用物理测点集,并通过建立多信号流图模型确定其中故障信息传播路径;以故障信息传播路径为依据,构建故障至测点的最短路径矩阵;随后以信息熵为依据确立测点可用度排序;仿真获取各故障状态下测点电信号波形;以确定的优先级排序提取各测点的可用特征,并依次增补形成故障-测试特征矩阵;对每次增补后的矩阵充足性进行验证,直至满足规定要求,给出所需的测试性模型。本发明解决了测试性建模中测点可用性评价和序贯增补建模终止时机的判定问题,为电路系统的测试性建模提供了有效手段。
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