公开(公告)号：CN104529436B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510032959.8

申请日：2015-01-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张洪军 ,  张利伟 ,  王猛 ,  应鹏展 ,  谢星驰 ,  罗蕙佳代

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备方法，本发明涉及铁电陶瓷领域。本发明要解决现有掺钕的钛酸铋的制备方法存在产物杂质相多，致密度低，铁电性差的问题。制备方法：将次硝酸铋和硝酸钕溶于醋酸中，加入乙二醇溶液后，与加入乙二醇溶液的钛酸四丁酯溶液混合搅拌得Bi3.15Nd0.85Ti3O12溶胶，将溶胶干燥，研磨，焙烧，晶化后得Bi3.15Nd0.85Ti3O12纳米粉体，将纳米粉体填装于高强石墨制成的模具中，在氩气保护气氛下，单向加压，高温烧结制得高致密度的铁电陶瓷。本发明用于一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备。

公开(公告)号：CN109179420A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811240955.9

申请日：2018-10-24

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) ,  威海云山科技有限公司

Inventor： 钟博 ,  王猛 ,  夏龙 ,  张涛 ,  王春雨 ,  王华涛 ,  覃春林

IPC: C01B32/991 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出一种B4C纳米带的制备方法，包括步骤1、混料：将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中，得到混合物；步骤2、干燥：将步骤1所得的混合物进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤3、研磨：将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末；步骤4、烧结与取料：将前驱体粉末在保护气体环境下进行烧结，烧结温度达到1400℃时，在保护气体环境下保持该温度0.5h~1.5h，通过气相沉积法制备B4C纳米带，之后当温度下降后，即可取出烧结产物，即B4C纳米带。通过上述制备方法制得的纳米带为具有均匀宽度和厚度的单晶B4C纳米带，上述制备方法能够在简化工艺流程、缩短制备时间的前提下，使B4C纳米带仍保持较高的纯度和转化率，使生产成本显著降低，具有较为广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105601264B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201511029341.2

申请日：2015-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 柯华 ,  张利伟 ,  张洪军 ,  王猛 ,  罗蕙佳代 ,  应鹏展

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 一种高致密化多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷的制备方法，涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决传统方法制备多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷致密化低、漏电流大的问题。方法：一、BiFeO3纯相粉体的制备；二、Bi1‑xRxFeO3纯相粉体的制备；三、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷粉体的制备；四、球磨混料；五、将球磨混合后的粉末干燥，研磨，造粒；六、将过筛后的粉体冷等静压处理，排胶；七、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷块体的制备；八、将步骤七制备得陶瓷块体进行砂纸打磨，磨碎，造粒，排胶；九、将步骤八得到的排胶后的陶瓷坯体进行二次烧结，即得复合陶瓷。本方法用于复合陶瓷领域。

公开(公告)号：CN103926936A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410113807.6

申请日：2014-03-25

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  北京宇航系统工程研究所

Inventor： 赵杰 ,  陈学生 ,  王猛 ,  刘刚峰 ,  闫继宏 ,  周文勇 ,  林木 ,  齐冀 ,  孙泽阳

IPC: G05D3/00

Abstract: 一种用于纵向运动模拟的六自由度并联组装机构，它涉及一种六自由度并联组装机构，具体涉及一种用于纵向运动模拟的六自由度并联组装机构。本发明为了解决现有纵向运动模拟组装机构组装耗时较长，冲击力较大，且姿态调节能力差的问题。本发明包括并联机构基座、组装环、六个支架机构、六个驱动电机和六个直线运动机构，并联机构基座、组装环由下至上依次设置，六个所述支架机构均布安装在并联机构基座上，每个所述支架机构上分别各安装一个所述直线运动机构和一个驱动电机，每个驱动电机分别与相对应的一个所述直线运动机构连接，每个所述直线运动机构的上端均与组装环连接。本发明用于航天领域。

公开(公告)号：CN101575734A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910071891.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙亮 ,  杨春晖 ,  徐超 ,  夏士兴 ,  马天慧 ,  王猛 ,  孙彧 ,  邱海龙 ,  葛士彬 ,  郝素伟 ,  吕维强

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供了一种掺铒－铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～8mol％，Er2O3的掺杂量为1～4mol％，Li/Nb＝0.946～0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。

公开(公告)号：CN101555625A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910071889.1

申请日：2009-04-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙亮 ,  杨春晖 ,  徐超 ,  马天慧 ,  夏士兴 ,  王猛 ,  孙彧 ,  葛士彬 ,  邱海龙 ,  吕维强 ,  郝素伟

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er－LiNbO3晶体。以99.99wt％APE、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5和99.99wt％LiCO3为基础原料，APE包括ZnO、In2O3和ZrO2，ZnO的掺杂量为6～8mol％，In2O3的掺杂量为1.5～3mol％，ZrO2的掺杂量为4～8mol％，Er2O3的掺杂量为0.5～2mol％，Li/Nb摩尔比＝0.946。本发明同时解决了现有同成分掺铒铌酸锂晶体近红外发光效率低与抗光损伤能力的问题。本发明产品的发光效率最大增加5倍，抗光损伤能力提高三个数量级。本发明将极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光器放大器与激光器领域的应用。本发明的方法工艺简单，便于操作。