公开(公告)号：CN103296086A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210591528.1

申请日：2012-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  袁锋 ,  叶致锴 ,  赖韦仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

Abstract: 描述了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括具有鳍片的衬底，该鳍片具有顶面以及第一横向侧壁和第二横向侧壁。硬掩模层可以形成在鳍片的顶面上(例如，提供双栅极器件)。栅极介电层和功函数金属层形成在鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上。硅化物层形成在位于鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上的功函数金属层上。硅化物层可以是完全硅化层并且可以对设置在鳍片中的器件的沟道区提供应力。本发明提供用于半导体器件的栅极结构。

公开(公告)号：CN102088036B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201010537744.9

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  叶致锴 ,  张长昀 ,  袁锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种集成电路结构，包括：一半导体基板；以及一鳍式场效应晶体管，位于该半导体基板之上。该鳍式场效应晶体管包括一半导体鳍状物；一栅介电层，位于该半导体鳍状物的一顶面与数个侧壁之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；以及一源极/漏极区，位于该半导体鳍状物的一端。一第一对浅沟槽隔离区，包括位于该源极/漏极区的一部的正下方的多部。该第一对浅沟槽隔离物具有一第一顶面。一第二对浅沟槽隔离区，包括位于该栅电极的正下方的多部。该第二对浅沟槽隔离物具有高于该第一顶面的一第二顶面。本发明可减少于硅化物区处的电流聚集效应。

公开(公告)号：CN102074582A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010553964.0

申请日：2010-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  叶致锴 ,  张长昀 ,  袁锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该结构包括半导体基板包括在第一元件区的第一部分，以及在第二元件区的第二部分。第一半导体鳍板在半导体基板上，且具有第一鳍板高度。第二半导体鳍板在半导体基板上，且具有第二鳍板高度。第一鳍板高度大于第二鳍板高度。本发明对于减少源极及漏极区的电流拥挤有正面影响。由于应力源极及漏极区的体积增加，也增加了鳍式场效应晶体管的沟道区上的张力及压缩应力。

公开(公告)号：CN103296086B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210591528.1

申请日：2012-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  袁锋 ,  叶致锴 ,  赖韦仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

Abstract: 描述了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括具有鳍片的衬底，该鳍片具有顶面以及第一横向侧壁和第二横向侧壁。硬掩模层可以形成在鳍片的顶面上(例如，提供双栅极器件)。栅极介电层和功函数金属层形成在鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上。硅化物层形成在位于鳍片的第一横向侧壁和第二横向侧壁上的功函数金属层上。硅化物层可以是完全硅化层并且可以对设置在鳍片中的器件的沟道区提供应力。本发明提供用于半导体器件的栅极结构。

公开(公告)号：CN103295963B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210419068.4

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  袁锋 ,  江宏礼 ,  叶致锴

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/66803 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供用于实现应变外延区的器件和方法。提供一种半导体制造方法，包括在半导体衬底的鳍片上方形成栅极结构并且在邻近栅极结构的鳍片中形成凹槽。然后更改凹槽的侧壁。示例性更改包括具有经过更改的轮廓、处理侧壁以及在侧壁上形成层。然后在凹槽中生长外延区。外延区与经过更改的凹槽侧壁通过界面接合并且是应变外延区。本发明提供了具有应变区的半导体器件。

公开(公告)号：CN102034868B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010288100.0

申请日：2010-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 袁锋 ,  陈宏铭 ,  李宗霖 ,  张长昀 ,  万幸仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/308 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明关于鳍式场效应晶体管的隔离结构。本发明公开了一种半导体装置及场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管包括含一主要表面的基材；多个鳍式结构，突出此基材的主要表面，其中每个鳍式结构均包含由一过渡位置所分离的上部及下部，此过渡位置位于鳍式结构的侧壁与基材主要表面夹角85度处，其中此上部具有与此基材主要表面实质上垂直的侧壁及具有第一宽度的顶面，此下部具有位于此上部的两侧锥形侧壁及具有第二宽度的底部，此第二宽度大于此第一宽度；及多个隔离结构位于此些鳍式结构之间，其中每个隔离结构均自此基材的此主要表面延伸至过渡位置上方的一点。本发明可用以形成或制造用于无隔离凹陷的鳍式场效应晶体管的鳍式结构。

公开(公告)号：CN103378132A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210360028.7

申请日：2012-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  叶致锴 ,  袁锋 ,  彭成毅 ,  万幸仁

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 用于场效应晶体管(FET)的示例性结构包括：包含第一表面的硅衬底；位于第一表面上方的沟道部分，其中沟道部分具有位于第一表面之上第一高度处的第二表面以及平行于第一表面的长度；以及位于第一表面上并且沿着沟道部分的长度围绕沟道部分的两个源极/漏极(S/D)区，其中，这两个S/D区域包含SiGe、Ge、Si、SiC、GeSn、SiGeSn、SiSn或III-V族材料。本发明提供了半导体器件的应变结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN102074582B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201010553964.0

申请日：2010-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  叶致锴 ,  张长昀 ,  袁锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该结构包括半导体基板包括在第一元件区的第一部分，以及在第二元件区的第二部分。第一半导体鳍板在半导体基板上，且具有第一鳍板高度。第二半导体鳍板在半导体基板上，且具有第二鳍板高度。第一鳍板高度大于第二鳍板高度。本发明对于减少源极及漏极区的电流拥挤有正面影响。由于应力源极及漏极区的体积增加，也增加了鳍式场效应晶体管的沟道区上的张力及压缩应力。

公开(公告)号：CN103022103A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210043838.X

申请日：2012-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  袁锋 ,  叶致锴 ,  万幸仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

Abstract: 公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的3D结构。半导体器件还包括设置在3D结构上方的介电层、设置在介电层上方的WFMG层、以及设置在WFMG层上方的栅极结构。栅极结构横贯3D结构，并且分离3D结构的源极区域和漏极区域。源极和漏极区域在它们之间限定沟道区域。栅极结构引起沟道区域中的应力。

公开(公告)号：CN102088036A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010537744.9

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李宗霖 ,  叶致锴 ,  张长昀 ,  袁锋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种集成电路结构，包括：一半导体基板；以及一鳍式场效应晶体管，位于该半导体基板之上。该鳍式场效应晶体管包括一半导体鳍状物；一栅介电层，位于该半导体鳍状物的一顶面与数个侧壁之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；以及一源极/漏极区，位于该半导体鳍状物的一端。一第一对浅沟槽隔离区，包括位于该源极/漏极区的一部的正下方的多部。该第一对浅沟槽隔离物具有一第一顶面。一第二对浅沟槽隔离区，包括位于该栅电极的正下方的多部。该第二对浅沟槽隔离物具有高于该第一顶面的一第二顶面。本发明可减少于硅化物区处的电流聚集效应。