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公开(公告)号：CN114765158A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110556884.9
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种半导体布置。半导体布置包括限定开口的介电层、位于开口中的粘合层以及位于粘合层上方的开口中的导电层。导电层的材料是与粘合层的粘合材料相同的材料。本发明的实施例还涉及半导体布置的形成方法。
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公开(公告)号：CN113380873A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110244247.8
申请日：2021-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 程仲良
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 公开了具有不同栅极结构的配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括分别设置在第一纳米结构化沟道区域和第二纳米结构化沟道区域上的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括设置在第一纳米结构化沟道区域上的nWFM层、设置在nWFM层上的阻挡层、设置在阻挡层上的第一pWFM层、以及设置在第一pWFM层上的第一栅极填充层。第一栅极填充层的侧壁与阻挡层物理接触。第二栅极结构包括设置在第二纳米结构化沟道区域上的栅极介电层、设置在栅极介电层上的第二pWFM层、以及设置在第二pWFM层上的第二栅极填充层。第二栅极填充层的侧壁与栅极介电层物理接触。
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公开(公告)号：CN113257810A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011295337.1
申请日：2020-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明描述了半导体器件，包括衬底和位于衬底上的第一晶体管。第一晶体管包括第一栅极结构，并且第一栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第一功函层。第一栅极结构还包括位于第一功函层上的覆盖层。半导体器件还包括位于衬底上的第二晶体管，其中第二晶体管包括第二栅极结构。第二栅极结构包括栅极介电层和位于栅极介电层上的第二功函层。第二栅极结构还包括位于第二功函层上的第一功函层和位于第一功函层上的硅覆盖层。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN112750828A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011188822.9
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种具有不同栅极结构构造的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在衬底上的第一对源极/漏极区和第二延源极/漏极区，第一纳米结构沟道区和第二纳米结构沟道区，以及具有彼此不同的有效功函值的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构包括第一高K栅极介电层和第二高K栅极介电层，具有彼此不同的厚度的第一阻挡金属层和第二阻挡金属层，分别设置在第一阻挡金属层和第二阻挡金属层上的具有彼此基本相等的厚度的第一功函金属(WFM)氧化物层和第二功函金属氧化物层，设置在第一功函金属氧化物层和第一阻挡金属层之间的第一偶极层，以及设置在第二功函金属氧化物层和第二阻挡金属层之间的第二偶极层。
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公开(公告)号：CN109755119B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810457817.X
申请日：2018-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8234
Abstract: 本申请提供了具有栅极结构的集成电路和形成该集成电路的方法的实例。在一些实例中，接收工件，该工件包括具有沟道区域的衬底。在沟道区域上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成含有掺杂剂的层。将工件退火，以将掺杂剂转移到栅极电介质，以及在退火后去除层。在一些这样的实例中，在去除层之后，在栅极电介质上形成功函数层，以及在功函数层上形成填充材料以形成栅极结构。本发明还提供了形成集成电路的各种方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768013B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810178766.7
申请日：2018-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例公开了鳍式场效应晶体管器件以及用于调整鳍式场效应晶体管器件的阈值电压的方法。示例性方法包括在第一栅极结构中形成第一开口，并且在第二栅极结构中形成第二开口。第一栅极结构设置在第一鳍结构上方，并且第二栅极结构设置在第二鳍结构上方。该方法还包括通过以下步骤填充第一开口和第二开口：形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成阈值电压调整层，回蚀第二开口中的阈值电压调整层，在阈值电压调整层上方形成功函层以及在功函层上方形成金属填充层。阈值电压调整层包括钽和氮。回蚀使用含氯化钨的前体。
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公开(公告)号：CN110943035A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910870871.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种半导体结构的形成方法。该方法包括提供第一导电特征部件，该第一导电特征部件具有形成于其上的介电层。开口形成于介电层中以露出第一导电特征部件的部分。第一阻障层形成于第一导电特征部件之上以及介电层的顶表面之上。第二阻障层形成于第一阻障层之上以及开口的侧壁上。第二阻障层被移除，而第一阻障层的至少一部分设置于第一导电特征部件之上。第二导电特征部件形成于第一阻障层的上述部分之上。第二导电特征部件的侧壁直接接触介电层。
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公开(公告)号：CN109427735A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985149.8
申请日：2018-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体元件包含：具有数个侧壁与底面的第一导电结构，第一导电结构延伸穿过形成在基材上的一或多个隔离层；以及设于第一导电结构的至少一侧壁与一或多个隔离层的各自侧壁之间的绝缘层，其中第一导电结构至少透过底面电性耦合于第二导电结构。
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公开(公告)号：CN103887340B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310072572.6
申请日：2013-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28194 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L29/4966 , H01L29/785
Abstract: 提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层的N功函数金属层。
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公开(公告)号：CN113471140B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202011576888.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/06
Abstract: 本公开的实施例描述了一种用于在无衬垫导电结构与下方导电结构之间形成阻挡结构的方法。该方法包括在布置在接触层上的介电层中形成开口，其中，开口暴露接触层中的导电结构。第一金属层沉积在开口中，并且在导电结构的顶表面上生长得较厚，并且在开口的侧壁表面上生长得较薄。该方法还包括将第一金属层暴露于氨以形成具有第一金属层和第一金属层的氮化物的双层，并且随后将氮化物暴露于氧等离子体以将第一金属层的氮化物的一部分转换为氧化物层。该方法还包括去除氧化物层并在第一金属层的氮化物上形成含半导体层。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。
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