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公开(公告)号：CN104218108B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410477195.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减薄的外延衬底另一侧设置外延结构，外延结构上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置正面栅线电极，且选择性腐蚀欧姆接触层，腐蚀区域设置减反射膜。本发明转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN104752452A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510122849.0
申请日：2015-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管制作方法，由该方法制作的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本发明将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
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公开(公告)号：CN101388430B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810072027.6
申请日：2008-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管及其制造方法。N-GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n-GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP布拉格反射层、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、p++AlxGa1-xAs和p-GaP组合电流扩展层，p++Al xGa1-xAs在下面为第一电流扩展层，p-GaP在上面为第二电流扩展层。此结构集GaP和AlxGa1-xAs材料的优点于一体，避免材料的氧化，保证电流扩展和器件的可靠性、稳定性。
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公开(公告)号：CN204720452U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520158094.5
申请日：2015-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本实用新型将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
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公开(公告)号：CN204243043U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420699609.8
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本实用新型可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202159691U
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201120163361.X
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052
Abstract: 本实用新型公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本实用新型的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN204243024U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420536931.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L33/22 , H01L31/0352 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本实用新型公开衬底可剥离外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。本实用新型还公开一种具有衬底可剥离太阳能电池外延结构及一种具有衬底可剥离发光二极管外延结构。本实用新型可以提高外延层与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延层容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN204144278U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420537161.X
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减薄的外延衬底另一侧设置外延结构，外延结构上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置正面栅线电极，且选择性腐蚀欧姆接触层，腐蚀区域设置减反射膜。本实用新型转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN201340856Y
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200820145815.9
申请日：2008-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本实用新型公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管，N－GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n－GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1－xAs或AlInP/(AlxGa1－x)yIn1－yP布拉格反射层、n－(AlxGa1－x)yIn1－yP下限制层、Undoped－(AlxGa1－x)yIn1－yP有源区、p－(AlxGa1－x)yIn1－yP上限制层、p++AlxGa1－xAs和p－GaP组合电流扩展层，p++AlxGa1－xAs在下面为第一电流扩展层，p－GaP在上面为第二电流扩展层。此结构集GaP和AlxGa1－xAs材料的优点于一体，避免材料的氧化，保证电流扩展和器件的可靠性、稳定性。
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公开(公告)号：CN201311936Y
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200820146082.0
申请日：2008-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本实用新型公开一种具有反射层的三结太阳电池，在P－Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(DBR)的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层(DBR)是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。此结构可以减少电池的厚度，减小非平衡载流子的自由程，提高光电转换效率。
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