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公开(公告)号：CN104241480B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410457188.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管制作方法，包括以下步骤：一，提供外延发光结构，在外延发光结构上生长外延保护层；二，采用微波化学气相沉积法，在低温的条件下，在外延保护层表面沉积金刚石薄膜，形成高热导介质层；三，采用化学气相沉积法，在低温的条件下，沉积碳化钛在金刚石薄膜表面，形成过渡层；四，在过渡层表面形成金属反射镜，金属反射镜通过导电通道与外延发光结构连接导通；五，在金属反射镜表面键合具有导电功能的基板；六，在外延发光结构上形成第一电极，在基板上形成第二电极。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104167479B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410391547.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，N≧3，在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面上形成第二电极；不同粗化层的表面及侧面形成粗化界面。本发明可以减少有源层在出光界面上出现全反射，增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104201277B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410457030.5
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104167473B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410391548.3
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管的外延生长方法，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层及电流传输层；电流传输层生长结束后停顿1分钟，压力降低30mbar生长粗化层；在粗化层之上外延生长第一型导电层；在第一型导电层上生长量子垒；在量子垒外延结束后，改变Al、Ga的生长流量，过渡到Al组分较低AlGaAs材料构成的组分渐变降温层；外延生长AlGaInAs量子阱层；暂停外延生长，温度回升至与量子垒生长温度相同；继续依次生长量子垒、组分渐变降温层及量子阱；在有源层上外延生长第二型导电层。本发明解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配的技术问题，提高红外发光二极管发光效率。
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公开(公告)号：CN106410006A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610456572.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设置在N-GaN电子供给层和P型AlGaN电子阻挡层之间，通过电致发光产生紫外光；本发明还将可见光发光层置于N-GaN电子供给层和U-GaN层之间，利用电致发光产生的紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。可见光发光层通过紫外光光致发光辐射可见光，虽吸收了部分紫外光，一定程度上降低了紫外光的外量子效率，但该发光层不需要电注入，避免影响紫外光的内量子效率，减少对器件电能的损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104332536B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410551209.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法：一，在衬底上分别依次形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层；二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构；五、重复三、四的结构，直至在第n-1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；六、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层。本发明制作的发光二极管外延结构可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104167478B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410391491.7
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，在粗化层上形成第一电极，在基板另一面形成第二电极；采用干法蚀刻在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至第二粗化层接触表面；用粗化液蚀刻最外层粗化层及第二粗化层露出部分表面及侧面，形成粗化界面；用ICP在露出第二粗化层表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至第三粗化层接触表面；用粗化液蚀刻第二粗化层及第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；重复操作步骤四及步骤五，至露出N层粗化层表面及侧面，形成粗化界面。本发明增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN105355728A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510774057.1
申请日：2015-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 一种发光表面有周期性图案的高光效倒装LED的制作方法，涉及LED生产技术领域，本发明通过在硅衬底上蒸镀AlN，然后刻蚀出图形，再在图形上生长氮化物材料，最终做成倒装的LED器件且剥离掉硅衬底，使背发射LED芯片达到了提高出光效率的效果。
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公开(公告)号：CN104332537A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551529.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/285
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。本发明可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104167474A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391579.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/30
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本发明解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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