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公开(公告)号：CN102902009A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210418418.5
申请日：2012-10-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有光子晶体的单纤三向复用器。该单纤三向复用器至少包括：用于接入第一波长及第二波长的光波信号的输入波导；用于接入第三波长的光波信号的上传波导；第一输出波导；第二输出波导；及多模波导耦合器；该多模波导耦合器用于分离所述第一波长信号及第二波长信号，并使两者分别由第一输出波导及第二输出波导输出；此外，该多模波导耦合器所具有的光子晶体，能反射所述第三波长的光波信号，并使该光波信号由输入波导输出。优选地，输入波导、上传波导、第一输出波导、第二输出波导、多模波导耦合器及光子晶体均通过对半导体基底的刻蚀来形成。本发明的优点包括：结构紧凑小巧，且制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN102790253A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110128183.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种定向耦合器，利用二维长方晶格柱状光子晶体的自准直效应实现，属于半导体光学技术领域。该定向耦合器通过在相邻两排硅柱的长边中间引入一定数量、相同尺寸的耦合柱体，这样，在一排柱体中传播的自准直光束被引入的中间柱体耦合到另一排柱体中继续自准直传播，通过控制中间柱体的数量可以控制两排柱体中自准直光束传输功率的比例，从而实现相邻两排硅柱间的光耦合。相对于传统定向耦合器，本发明提供的光子晶体定向耦合器能够将器件耦合长度控制在10μm以内甚至更短，这使总体器件的长度极大缩短，结构更为紧凑。同时，通过控制中间柱体的数量可以控制两排柱体中自准直光束传输功率的比例，能够灵活控制耦合效率。
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公开(公告)号：CN102662212A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210174635.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光子晶体及其制备方法，首先提供包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层的AAO模板，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，并去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，然后键合一半导体衬底及所述氧化铝层，去除光刻胶，接着于所述通孔内形成第一半导体柱并于所述氧化铝层表面形成第一半导体层，接着按上述步骤于所述第一半导体层上形成氧化铝层、第二半导体柱及第二半导体层，最后去除所述氧化铝层以完成制备。本发明利用AAO模板实现了光子晶体的制备，工艺简单，成本低、重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出二维或三维纳米级的光子晶体，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN102590935A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110003997.2
申请日：2011-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种锗悬臂梁式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为悬臂梁式锗材料层的半导体基底，其中，在锗材料层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬臂梁式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在具有埋氧层、且表层为锗材料层的半导体基底的锗材料层中掺杂以形成n型重掺杂层，然后对锗材料层进行微机械加工形成光子晶体微腔，随后在部分区域进行光刻和刻蚀暴露出部分埋氧层，然后再进行湿法腐蚀，用以去除光子晶体微腔下的埋氧层，同时实现锗悬臂梁的释放。本发明的优点在于：能够通过外力调节悬臂梁上的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并利用光子晶体微腔提高发光效率。
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公开(公告)号：CN101916741B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010223281.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上应变硅制备方法，其特征在于将SOI的顶层硅热氧化减薄至10-30nm，然后在超薄的顶层硅上外延Si1-xGex，Si1-xGex应变层的厚度不超过其临界厚度；进行离子注入，选择合适的能量，使离子注入到埋氧和衬底硅的界面；进行退火工艺，使应变的Si1-xGex层进行弛豫，同时，顶层硅受到拉伸的应力，离子注入使得埋氧和衬底硅的界面疏松，顶层硅成为应变硅；将剩余的Si1-xGex层移除，得到所需的应变硅材料。由此可见，本发明的最大优点是通过离子注入和外延工艺，而不需要键合工艺，直接将外延SiGe材料的应力反转，直接将应力转移到绝缘体上硅的顶层硅中，从而可望大大简化绝缘体上应变硅的制备工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101428752A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810202861.2
申请日：2008-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物材料的生长方法，其特征在于包括如下步骤：选择一悬臂梁，所述悬臂梁具有一固定端和一自由端；在悬臂梁的上表面生长缓冲层，在缓冲层的表面生长III族氮化物层。本发明的优点在于，采用悬臂梁作为生长III族氮化物的衬底，由于悬臂梁仅一端固定，可以降低III族氮化物层中的应力，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN101271028A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810036215.3
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于硅硅键合和绝缘层上硅(SOI)的压力传感器芯片及其制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅片上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成的，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。通过硅硅键合技术将支撑片与倒扣的SOI片键合，完成磨片和抛光后在SOI上实现梁－膜结构提高器件的灵敏度和线性度，在加工的梁上制备力敏电阻元件，采用SOI的氧化埋层解决敏感元件和弹性元件的绝缘隔离，提高器件的长期可靠性和高温环境下的适用性。本发明提出的基于键合技术的SOI高灵敏压力传感器芯片工艺可控性和重复性好，成品率高。
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公开(公告)号：CN117850118A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410022322.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高容差集成可调硅光谐振器及其制备方法，所述硅光谐振器由多模干涉耦合器(1)、第一热移相器(2)、第二热移相器(3)、跑道型波导(4)和模式转换器(5)组成；所述多模干涉耦合器(1)和第一热移相器(2)组成马赫曾德尔型光开关。本发明具有工艺容差高、耐高光功率、损耗低、波长不敏感、偏振不敏感等优势，本发明中的马赫曾德尔型光开关取代定向耦合器用于耦合，受工艺误差影响小、带宽大，且可以通过调节热移相器调节耦合状态，让谐振器的临界耦合、欠耦合、定向耦合三个状态可调；通过调节可以改变谐振波长，从而调节滤波波长。同时，本发明在极端欠耦合情况下可以用作大带宽范围，连续可调光延时线。
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公开(公告)号：CN117538982A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311426491.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种异质集成光学芯片，所述芯片分为上下两层光子集成回路，通过倏逝波耦合的方法实现光在两层光子集成回路中传输耦合，光通过由三层波导组成的倏逝波耦合器保证光可以从第一层波导耦合到第三层波导再耦合到第二层波导；其中第一层波导构成第一层光子集成回路，第二层和第三层波导构成第二层光子集成回路。本发明通过结合不同介质层波导的优势，可并实现收发一体光集成芯片并提高光芯片性能，满足下一代产品的需求。
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公开(公告)号：CN116184693A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310114688.5
申请日：2023-02-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于布拉格光栅的非易失性可重构滤波器。该滤波器包括SOI衬底、波导以及移相布拉格光栅结构、第一非易失性相变材料薄膜和第二非易失性相变材料薄膜，所述SOI衬底上方设置波导，所述波导含有移相布拉格光栅结构，所述移相布拉格光栅结构上方的移相区域设置第一非易失性相变材料薄膜，所述移相布拉格光栅结构上方的均匀光栅区域设置第二非易失性相变材料薄膜，所述第一非易失性相变材料薄膜设置在所述第二非易失性相变材料薄膜之间。该滤波器在保证传输损耗仅0.76dB的前提下同时实现传输功率不变中心波长偏移和传输中心波长不变功率调谐的功能。
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