一种用于压接式IGBT子模组压力灌胶的夹持装置

    公开(公告)号:CN215644407U

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202121287568.8

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于压接式IGBT子模组压力灌胶的夹持装置,包括施压机构、用于设于施压机构下方的施压平台和设于施压平台上的压力保持机构,所述施压机构通过导柱与施压平台连接,所述施压机构底部设有光栅传感器,所述施压机构能够向放置于压力保持机构内的压接式IGBT子模组施压。本实用新型结构简单,成本低廉,能够使具有弹性特性的压接式IGBT子模组在灌胶过程中处于保压状态,避免胶水大量浸入压接式IGBT子模组的刚性接触界面并固化,增大接触电阻。

    一种可实现自动化取放的高压IGBT模块焊接限位工装

    公开(公告)号:CN215034777U

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202023146534.5

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 本实用新型公开了一种可实现自动化取放的高压IGBT模块焊接限位工装,基板(2)上可拆卸固定安装若干个衬板(4),其特征在于,包括焊接托盘(1)和限位框(3),所述焊接托盘(1)上开设有容纳基板(2)的凹槽,所述限位框(3)将所述基板(2)可拆卸地固定安装于所述焊接托盘(1)上,所述限位框(3)上贯穿开设有用于限位衬板(4)的定位框。还包括若干个用于将衬板(4)分隔开的定位块(6),所述定位块(6)安置在若干个衬板(4)的交界连接处。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定,装配过程简单易操作。

    一种用于IGBT模块的焊接限位工装

    公开(公告)号:CN213998341U

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202022348605.3

    申请日:2020-10-21

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT模块的焊接限位工装,属于IGBT模块真空焊接技术领域,包括焊接托盘、粗限位隔板和精确限位框;焊接托盘的顶面上设有容纳基板的凹槽;粗限位隔板可拆卸地安装于所述基板的顶面,粗限位隔板上贯通地开设有定位框,定位框的两个相对侧边面上对称地设有若干凸台,定位框被所述凸台分割成多个用于限位衬板的子定位框;精确限位框可拆卸地安装于所述焊接托盘的顶面,精确限位框上设有若干定位针,定位针的一端穿过相邻所述子定位框所容纳衬板之间的间隙触压在所述基板的顶面;定位针的直径大于所述凸台的宽度。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定,装配过程简单、易操作,且便于拆卸工装。

    一种用于高压焊接式IGBT器件内部衬板的绝缘结构

    公开(公告)号:CN213459728U

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202022506549.1

    申请日:2020-11-03

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于高压焊接式IGBT器件内部衬板的绝缘结构,包括衬板(1),所述衬板(1)上连有芯片(3),所述芯片(3)上键合有键合线(2),所述衬板(1)上分别预留有集电极键合区域(5)、发射极键合区域(6)、门级键合区域(7)和集电极信号端键合区域(8),所述芯片(3)和键合线(2)外部包裹有塑封材料结构(9),所述衬板(1)的背面设置有金属面(4),所述金属面(4)裸漏在所述塑封材料结构(9)的外侧。本实用新型提供的用于高压大功率焊接式IGBT器件内部衬板,能够避免芯片打火现象、提高键合线的可靠性和有效隔绝外界水汽。

    一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构

    公开(公告)号:CN213459704U

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202022409327.8

    申请日:2020-10-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构,包括铜基板(1),所述铜基板(1)为预折弯结构且上面为凹面,所述铜基板(1)上面沿着长度方向开设有两条平行设置的横向开槽(5),两条所述横向开槽(5)之间开设有若干条平行设置的竖向开槽(4),所述横向开槽(5)和竖向开槽(4)之间形成若干个凸台(3),所述凸台(3)面积与衬板焊接面面积相当,所述铜基板(1)长度方向边缘处开设有固定孔位(2)。本实用新型提供的一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构,能够释放部分焊接应力降低焊接翘曲度以及降低器件安装难度,提高器件散热面与冷却板的契合度。

    一种采用超声焊接端子的半导体功率模块

    公开(公告)号:CN212851215U

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202021481608.8

    申请日:2020-07-24

    Abstract: 本实用新型公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块,所述下壳体设置在金属基板上,下壳体内设置有多个间隔,每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板,每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片,IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路,多个半桥电路构成一个全桥电路;所述下壳体两端分别嵌入有功率端子,功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接;所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁,信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本实用新型简化了模块的生产过程,提高了模块的生产效率,增强模块工作的可靠性。

    一种用于IGBT器件大翘曲度长基板的焊接工装

    公开(公告)号:CN215644409U

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202121383844.0

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT器件大翘曲度长基板的焊接工装,旨在解决IGBT器件焊接过程中铜基板预弯翘曲度过大容易出现焊接变形的技术问题。所述焊接工装包括限位框、接触面板和底板,底板固定在限位框内部,底板与限位框形成焊接凹槽,接触面板放置在焊接凹槽内,接触面板的上表面为下凹曲面,且下凹曲面的曲面率与IGBT器件的散热铜基板的曲面率一致,接触面板的下表面与底板贴合,底板的底部镂空。本实用新型能够增大铜基板与焊接热板的接触面积,避免焊接变形,提高焊接的效率和可靠性,进而提高整个IGBT器件的可靠性。

    一种半导体模块
    28.
    实用新型

    公开(公告)号:CN215069972U

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202120780742.6

    申请日:2021-04-16

    Abstract: 本实用新型公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块,采用柔性压接,芯片受力均匀,抗压能力强。包括管壳,所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接,另一端与模块集电极导电体滑动连接;在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框,所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接,所述承压限位框包括多个限位单元,每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件,所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上,所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。

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