一类基于噻吩并芳基吲哚单元的共轭聚合物半导体材料、制备及其高效聚合物太阳电池应用

    公开(公告)号:CN105175691B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201510593395.5

    申请日:2015-09-17

    Abstract: 本发明公开了一类基于噻吩并芳基吲哚单元的共轭聚合物半导体材料、制备方法及其有机聚合物太阳电池器件应用。其结构如通式(I)所示:其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基及取代杂环芳基;R可以是直链烷基或支链烷基;E表示碳原子、氮原子、硅原子等;A表示缺电子的受体单元,一般为缺电子共轭芳香基团。本发明所及的半导体材料具有良好的溶解性、热稳定性和成膜性,较高的迁移率以及高达5.83%的聚合物太阳电池光电转换效率;本发明提供的制备方法所获得的噻吩并芳基吲哚共轭单元及其衍生材料有望在有机太阳能电池、有机场效应晶体管等光电半导体器件领域获得广泛应用。

    一种苝酰亚胺稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108558881A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810554675.9

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 本发明揭示了一种苝酰亚胺稠合扭曲多环芳烃半导体材料及其制备方法及应用,本发明高度扭曲多环芳烃分子可以通过Suzuki偶联反应和光催化氧化脱氢反应或是Scholl氧化脱氢反应合成。本发明通过对苝酰亚胺衍生物稠合形成多环芳烃、引入分子内刚性位阻方法实现多环芳烃分子的高度扭曲,能够有效抑制在溶液、固态薄膜中苝酰亚胺衍生物常见聚集而引起的荧光效率降低等问题;合成方法简单易行、合成产率高、结构可控、易于分离;相关材料能够在有机半导体器件、生物传感等多领域获得全新且广泛的应用前景。

    一种基于多环芳烃的共轭聚合物及其应用

    公开(公告)号:CN108484885A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810299092.6

    申请日:2018-04-04

    Abstract: 本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物及其应用,共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中,有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底,在所述衬底的上表面设置有栅电极,在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层,在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层,所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域,在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能,获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。

    一种基于芳基并二唑单元的延迟荧光化合物及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119798285A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510289577.7

    申请日:2025-03-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于芳基并二唑单元的延迟荧光化合物及其制备方法与应用,属于有机化合物合成领域,本发明制备的基于芳基并二唑单元的延迟荧光化合物,通过单键、芳基或者杂芳基将吲哚并咔唑和芳基并二唑单元连接起来,构建了新型的D‑A‑D系统,这有助于优化电荷转移特性,对于提高光电器件性能具有重要意义。本发明制备的延迟荧光化合物用作发光层、电子传输层、空穴阻挡层的磷光发光主体和发光层的延迟荧光材料时,能够使该层具有良好的电荷载子迁移率和极佳的使用寿命,可降低有机EL装置的驱动电压和能耗、增加有机EL装置的效率并延长其半衰期,具有工业应用的经济优点。

    近红外发光化合物及其制备方法和生物传感器

    公开(公告)号:CN116239611A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202310189668.4

    申请日:2023-03-02

    Abstract: 本发明提供了一种近红外发光化合物及其制备方法和生物传感器,所述近红外发光化合物的结构通式(I)为:其中,L11、L12、L21和L22各自独立地取自单键、双键、C6‑C30亚芳基、取代C6‑C30亚芳基、C3‑C30亚杂芳基或取代C3‑C30亚杂芳基;Ar11,Ar12,Ar13和Ar14各自独立地取自C6‑C30芳基、取代C6‑C30芳基、C3‑C30杂芳基或取代C3‑C30杂芳基。相较于现有技术,本发明制得的探针分子材料具有灵敏度高、选择性好、响应时间短、膜透性好、背景噪音低、可直接观察荧光和紫外可见光谱以及能被应用于细胞成像和活体成像等优点。

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