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公开(公告)号:CN113725357B
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202110941110.8
申请日:2021-08-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法,所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层,其特征在于,所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层,所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。本发明引入阻挡层制备形成的忆阻器,且配置有顶电极保护层,具有稳定性好、导电性佳的特点,具有广阔的应用前景,同时本发明的制备方法简便高效,成本较低,适合在产业上广泛应用。
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公开(公告)号:CN107359056A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201710526088.4
申请日:2017-06-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一类石墨烯/聚(1,3,6,8-四噻吩芘)纳米卷复合材料的制备方法。该方法将聚(1,3,6,8-四噻吩芘)和氧化石墨烯进行共混,经过原位还原,制备出纳米卷结构,可以用作超级电容器等电极材料。本发明涉及石墨烯/聚(1,3,6,8-四噻吩芘)纳米卷复合材料的制备,作为超级电容器的电极材料可以获得较高的比电容值。此石墨烯卷制备方法简单、工作状态稳定可靠,值得作为本发明被公开和保护。
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公开(公告)号:CN113725357A
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN202110941110.8
申请日:2021-08-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法,所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层,其特征在于,所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层,所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。本发明引入阻挡层制备形成的忆阻器,且配置有顶电极保护层,具有稳定性好、导电性佳的特点,具有广阔的应用前景,同时本发明的制备方法简便高效,成本较低,适合在产业上广泛应用。
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