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公开(公告)号：CN103779452B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN102752765A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210215561.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了异构网络中基于垂直切换率分析的无线资源分配方法，属于无线通信的技术领域。本发明通过建立角度移动模型计算出用户切换到热点内的切换率与用户切换到热点外切换率是相等的，利用垂直切换率的理论极限值来近似实际的垂直切换率，再根据实际的垂直切换率确定马尔科夫模型的参数，最大化网络吞吐量，有效降低了垂直切换率的计算复杂度，提高了无线资源分配效率。
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公开(公告)号：CN102711259A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210103848.8
申请日：2012-04-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04W72/08
Abstract: 本发明公开了一种基于马尔科夫过程的无线异构网络吞吐量优化方法，用于由两种具有重叠覆盖区域的无线网络组成的异构网络。本发明方法将用户的移动性作为影响无线网络资源分配的一个因素考虑，利用经典的马尔科夫模型来分析信道分配情况，从而得到系统的吞吐量模型，通过最大化系统吞吐量，来高效利用异构网络无线资源。本发明还公开了一种无线异构网络，利用上述方法对网络吞吐量进行优化。本发明可实现无线异构网络资源利用最大化，且为无线异构网络中协同无线资源管理的理论研究提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN118248766A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410400757.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种叉指型环形栅AlGaN/GaN HEMT结构的双面紫外光探测器，其结构从下往上依次包括：硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层、u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层；探测器在有源区侧壁采用绝缘物进行保护，源极金属层和漏极金属层以叉指型分布方式交错排列在GaN帽层上，利用钝化物对器件进行钝化处理，通过对硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层和部分的u‑GaN沟道层进行刻蚀处理，暴露出u‑GaN沟道层，实现对紫外光的双面探测。本发明中叉指型源漏电极和环形栅结构的引入，降低了器件的导通电阻，提高了欧姆接触性能，显著增大了器件的有效感光面积，使得探测器对光信号的灵敏度大幅提升，从而更有效地捕获光子，提高了探测器的响应能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524516B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p‑n结量子阱，以及连接p‑n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p‑n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p‑n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN109462145A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811500232.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法，该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件与光波导，所述光波导一端与p-n结量子阱器件相连，另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器，可以通过调控微腔结构，实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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公开(公告)号：CN108333679A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810144374.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法，实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片，硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物，顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小，具有高度的集成性，可应用于光子计算及可见光通信等领域，提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
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公开(公告)号：CN107195733A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710311776.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法，该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的p‑n结量子阱器件。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了基于机械剥离的毫米级可转移LED器件，该器件可用于通信、照明、显示以及传感领域。
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公开(公告)号：CN103185909B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310085335.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了双面加工法制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀等技术定义和刻蚀器件，采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术，去除微机电可调氮化物谐振光栅下方的高阻硅衬底，然后采用三五族刻蚀技术对微机电可调氮化物光栅进行背后减薄，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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