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公开(公告)号：CN108110294A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711142958.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01M8/18
CPC classification number: H01M8/188 , Y02E60/528
Abstract: 本发明公开了一种锌碘电池结构，包括外壳，所述的外壳内形成腔体，腔体的中间设置有将腔体分割成两部分的阳离子交换膜；其负极输出端设置有保护阳离子交换膜的玻璃纤维件；在玻璃纤维件的外侧设置有浸润有ZnI2溶液的石墨毡；负极输出端的石墨毡上敷有Bi粉，正极输出端的石墨毡上敷有Sm粉。在石墨毡的外侧设置有作为电池的电流引出通道的碳板；在两个石墨毡之间设置有回流通道。采用电阻较小的均相阳离子交换膜，克服了严重的自放电问题；采用开放流动系统的液流电池，有效解决了充放电过程中体积会变化导致的压强变化的问题。通过在阳离子交换膜的两侧，使用玻璃纤维制品使充电过程中生成的枝晶体无法到达隔膜，避免刺穿隔膜而导致短路。
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公开(公告)号：CN106898946A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710041266.4
申请日：2017-01-20
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器的可调脉宽式脉冲发生电路，它包括触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路及阶跃恢复二极管整形电路，所述触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路接收触发信号,阶跃恢复二极管整形电路与雪崩晶体管脉冲产生电路连接。本发明利用雪崩晶体管的雪崩特性以及阶跃恢复二极管的阶跃特性产生大幅度的窄脉冲信号。其脉冲宽度可低至165ps，且脉冲宽度可以调节，可以方便的应用于半导体激光器的驱动。
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公开(公告)号：CN119443009A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310983778.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 华东师范大学
IPC: G06F30/367 , G06N10/20
Abstract: 本发明公开了一种多参数SCH‑QW半导体激光器电路模型。所述电路模型包括本征网络等效电路部分及封装寄生网络电路部分；所述本征网络等效电路部分包括SCH区，Gateway区，量子阱QW区及受激辐射区；所述SCH区通过双极扩散和载流子释放的方式与Gateway区进行载流子的交换；所述量子阱QW区具有量子阱结构，通过捕获和热激发进行载流子的交换；所述Gateway区作为SCH区和QW区交换载流子的门户；所述封装寄生网络电路部分包括金线、集总部分、衬底；所述金线包括电感LB、电阻RB、电容CB，所述集总部分包括集总电容CS、集总电阻RS，所述衬底包括基板电阻RSUB。本发明还公开了上述电路模型的构建方法以及在饱和非线性效应参数、ABC系数对模型输出的影响的模拟和仿真中的应用。
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公开(公告)号：CN118232162A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410221833.4
申请日：2024-02-28
Applicant: 华东师范大学 , 上海光矢科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增益开关半导体激光器输出脉冲形状的控制方法，包括由脉冲信号发生器、放大器和半导体激光器组成的增益开关半导体激光器，以及由光电探测器和示波器组成的测试装置，其特点是该控制方法包括：利用速率方程模型获取产生特定光脉冲形状的台阶脉冲电泵浦基本参数的选取操作和台阶脉冲电泵浦的最优参数的调节操作，通过台阶脉冲电泵浦的注入，消除光脉冲的尖峰脉冲，控制输出光脉冲的形状。本发明与现有技术相比具有消除光脉冲中尖峰脉冲，较好解决了增益开关半导体激光器输出波形较为复杂的问题，实现控制增益开关半导体激光器输出的脉冲形状，优化输出脉冲波形的形状，具有良好的运用前景和商业价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637868A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311668812.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种钝化的硒化锑（Sb2Se3）薄膜太阳电池及制备方法，该电池自下而上依次包括：氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃前电极基底、硫化镉（CdS）电子传输层、Sb2Se3吸收层、聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物P(VDF‑TrFE)钝化层和金（Au）背电极层。所述的钝化的硒化锑（Sb2Se3）薄膜是在Sb2Se3吸收层表面旋涂P(VDF‑TrFE)薄膜，钝化薄膜表面深能级缺陷。本发明的优点在于通过P(VDF‑TrFE)薄膜策略成功解决了Sb2Se3半导体薄膜表面深能级缺陷导致Sb2Se3太阳能电池开路电压偏低的科学问题，从而提高了Sb2Se3薄膜太阳电池的性能。这一创新技术为制备高效且低成本的Sb2Se3薄膜太阳能电池提供了一种重要的技术解决方案。
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公开(公告)号：CN114188442B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111499816.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/0328 , C25D9/04
Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法，其特点是该方法包括：将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中；然后在金属钼背电极上电化学沉积四元铜锌锡硫预制层；再将预制层与锑源粉末进行硫化退火；最后获得到上述锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层材料。本发明与现有技术相比具有光电性能得到大幅度的提高等优点，较好的解决了电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能吸收层掺杂的技术难题，通过调控硫化退火过程中锑源的量即可对铜锌锡硫薄膜中锑元素进行精准控制，制备工艺简单，重复性好，成本低廉，具有较好的研究与推广利用价值。
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公开(公告)号：CN112039440A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010824435.3
申请日：2020-08-17
Applicant: 华东师范大学
IPC: H02S50/15
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池缺陷类型鉴别方法，从太阳能电池在不同正向电流密度下的电致发光图像中定位电池表面的缺陷，并提取缺陷位置的电致发光强度；然后建立含有该缺陷的分布式等效电路模型，并模拟缺陷处的电致发光强度；通过迭代法修改缺陷处对应子电路模型的串联或并联电阻参数，实现不同正向注入电流密度下，缺陷在模拟与实验条件下电致发光强度的匹配，并根据修改的电阻类型，将该缺陷类型归结为串联电阻或者并联电阻引起的缺陷。本发明中的电致发光成像技术可以很好地表征各种太阳能电池的缺陷点，通过搭建含有缺陷点的分布式等效电路模型得到太阳能电池电学特性，为各种太阳能电池缺陷类型分析提供一种非破坏、可视化的鉴别方法。
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公开(公告)号：CN110956872A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911306571.7
申请日：2019-12-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种可调色电子激光笔，其特点是该激光笔由设置在笔壳内的红、绿和蓝色激光二极管，以及与其对应设置的反射镜、激光发射电路和调光开关组成，所述激光发射电路由三个分别与红、绿和蓝色激光二极管对应连接的恒流源电路组成；所述反射镜为三块分别与红、绿和蓝色激光二极管对应设置的光路调整装置，三路不同颜色的激光经反射镜合束后由笔壳上的光圈射出。本发明与现有技术相比具有结构简单，使用灵活，可满足在不同使用场景下的激光指示需求，实现不同PPT背景下的清晰展示。
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公开(公告)号：CN107645123B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710891721.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体垂直腔面发射激光器领域，公开了一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计方法，包括对激光器腔长、量子点位置以及量子点尺寸的设计；通过对多层量子点的尺寸和其在谐振腔内空间位置的精确设计，使得不同尺寸量子点的发光与对应的腔模及腔内的驻波光场实现最大程度的耦合，从而使得多个激光模式同时获得足够大的增益并最终实现稳定的多波长激光输出。同时，本发明还提供了采用这种有源区制作的多波长GaN基垂直腔面发射激光器的具体器件结构及其应用。
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