公开(公告)号：CN114188442A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111499816.X

申请日：2021-12-09

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 陶加华 ,  胡小波 ,  洪进 ,  江锦春 ,  越方禹 ,  陈少强 ,  敬承斌 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0328 ,  C25D9/04

Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法，其特点是该方法包括：将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中；然后在金属钼背电极上电化学沉积四元铜锌锡硫预制层；再将预制层与锑源粉末进行硫化退火；最后获得到上述锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层材料。本发明与现有技术相比具有光电性能得到大幅度的提高等优点，较好的解决了电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能吸收层掺杂的技术难题，通过调控硫化退火过程中锑源的量即可对铜锌锡硫薄膜中锑元素进行精准控制，制备工艺简单，重复性好，成本低廉，具有较好的研究与推广利用价值。

公开(公告)号：CN117637868A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311668812.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 黎耀桢 ,  陶加华 ,  洪进 ,  田博博 ,  陈少强 ,  褚君浩

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种钝化的硒化锑（Sb2Se3）薄膜太阳电池及制备方法，该电池自下而上依次包括：氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃前电极基底、硫化镉（CdS）电子传输层、Sb2Se3吸收层、聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物P(VDF‑TrFE)钝化层和金（Au）背电极层。所述的钝化的硒化锑（Sb2Se3）薄膜是在Sb2Se3吸收层表面旋涂P(VDF‑TrFE)薄膜，钝化薄膜表面深能级缺陷。本发明的优点在于通过P(VDF‑TrFE)薄膜策略成功解决了Sb2Se3半导体薄膜表面深能级缺陷导致Sb2Se3太阳能电池开路电压偏低的科学问题，从而提高了Sb2Se3薄膜太阳电池的性能。这一创新技术为制备高效且低成本的Sb2Se3薄膜太阳能电池提供了一种重要的技术解决方案。

公开(公告)号：CN114188442B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202111499816.X

申请日：2021-12-09

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 陶加华 ,  胡小波 ,  洪进 ,  江锦春 ,  越方禹 ,  陈少强 ,  敬承斌 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0328 ,  C25D9/04

Abstract: 本发明公开了一种锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫太阳能电池吸收层制备方法，其特点是该方法包括：将硫酸铜、硫酸锌、硫酸亚锡、硫代硫酸钠、柠檬酸钠和酒石酸钾等化学试剂按一定摩尔比溶解于去离子水溶液中；然后在金属钼背电极上电化学沉积四元铜锌锡硫预制层；再将预制层与锑源粉末进行硫化退火；最后获得到上述锑掺杂电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层材料。本发明与现有技术相比具有光电性能得到大幅度的提高等优点，较好的解决了电化学沉积铜锌锡硫薄膜太阳能吸收层掺杂的技术难题，通过调控硫化退火过程中锑源的量即可对铜锌锡硫薄膜中锑元素进行精准控制，制备工艺简单，重复性好，成本低廉，具有较好的研究与推广利用价值。