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公开(公告)号:CN116344472A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202211515671.2
申请日:2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L23/427 , H01L23/467 , H01L23/367 , H01L21/54 , H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开一种高温大功率混合集成装置及其封装方法,属于集成电路技术领域。该装置包括电路模块(1)和设有内腔的储热单元盒体(2),在储热单元盒体(2)表面设有凹槽(21),凹槽(21)内固定连接电路模块(1),电路模块(1)与储热单元盒体(2)接触形成热传导,储热单元盒体(2)内部设有相变储热材料组成的第一填充体(3),储热单元盒体(2)的外表面上设有隔热层(6)。本发明既有效提升了电路模块的散热能力和耐高温能力,同时又能降低电路内部元器件的温度,使得在采用额定工作温度低于环境温度的元器件和材料的情况下,电路仍然能够正常工作,从而避免了采用贵重的高温元器件和材料,整体降低了电路模块的经济成本。
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公开(公告)号:CN112309660A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202011024271.2
申请日:2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01C17/065 , H05K1/16
Abstract: 本发明公开一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法,包括以下步骤:版图布局,侧面电阻包括三种,第一种侧面电阻仅位于基板侧面,第二种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下任一表面,第三种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下两个表面;光绘底片,制版,基板切割,基板清洗,通过丝网印刷工艺在基板侧面印刷电阻;在印刷好的电阻表面丝网印刷玻璃釉;激光调阻;基板背面环氧绝缘处理,得到所述厚膜混合电路基板侧面电阻;通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作,能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间,提高空间利用率,提高集成密度,给版图设计带来灵活性。
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公开(公告)号:CN110690128A
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201910793398.1
申请日:2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种芯片三维多面之间的键合互连方法,包括:a、在三维多面电路基板的侧边制作基片侧连PAD;基片侧连PAD作为相邻电路基板相互键合的媒介;通过基片侧连PAD,使相邻电路基板间的三维键合转化为二维键合,利用平面键合工艺即实现相邻电路基板间的键合;b、将引线柱的外圆面制作出平面,形成引线柱PAD,引线柱PAD与相对应的电路基板相平行,使引线柱与电路基板间的三维键合转化为二维键合,利用平面键合工艺即实现引线柱与相对应电路基板间的键合;本发明基于常规成熟的平面键合连线工艺,通过将三维键合转化为二维键合,实现不同维度面之间的键合互连,且不形成三维键合线弧或三维焊接线弧,提高键合质量。
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公开(公告)号:CN103433261B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201310368695.4
申请日:2013-08-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B08B13/00
Abstract: 本发明涉及一种元器件等离子清洗辅助装置,边框(2)底部连接丝网(3)作为托盘的盘底,边框(2)中部设置一道隔板(4)将托盘分割成两个区域一个区域内的丝网(3)上涂覆704或705硅胶(3a)。使用时先将双面清洗的元件(4)放在左边区域的丝网(3)上;然后将单面清洗元件(5)放入右边区域的硅胶(3a)上,最后将清洗装置放入等离子清洗机中清洗。本发明的有益效果是:由于丝网漏孔的作用,等离子体可以从各方面轰击元件,大幅提高清洗效率;丝网能疏通分散气流,防止元件被气流吹动、堆积、互相蹭伤。硅胶吸附元器件防止被气流吹动,避免堆积和相互蹭伤;相对于蓝膜或UV膜固定元件,不需要专门的拨膜机和紫外光机,节约清洗成本。
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公开(公告)号:CN104185380A
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201410417290.X
申请日:2014-08-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种陶瓷基板组装装置,包括金属外壳底座(3)以及设于金属外壳底座(3)内的陶瓷基板(4),陶瓷基板顶面设有元器件(7),金属外壳底座的底面设有贯穿金属外壳底座的阵列式外引脚(1),外引脚与金属外壳底座之间采用绝缘介质烧结;陶瓷基板底面设有与阵列式外引脚相对应的焊盘阵列(5),陶瓷基板与外引脚通过焊盘阵列相焊接;陶瓷基板底面与金属外壳底座之间通过粘接胶填充粘接;金属外壳底座顶部密封焊接有金属盖板;陶瓷基板不直接裸露,能够实现良好的保护;外引脚与金属外壳底座烧结成一体,使外引脚不易从基板表面脱落;陶瓷基板分别与外引脚及金属外壳底座连接,实现复合组装结构,增加了陶瓷基板与金属外壳底座的组装强度,提高了抗冲击性能。
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公开(公告)号:CN102514829A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201110395786.8
申请日:2011-12-04
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种衬底组装方法及衬底组装产品及衬底组装产品,本方法是在外壳侧壁的一对内侧面沿底边加工卡槽,将长度大于外壳内侧面间距且长度小于两侧卡槽间距的衬底倾斜放入外壳底座内,衬底的一端先抵入外壳底座的一侧卡槽内,再将衬底的另一端放入外壳底座的另一侧卡槽,以确保衬底2两端均嵌入卡槽内,解决在高过载冲击(如10000g以上)作用下很容易产生衬底脱落问题,实现衬底与各类底座的紧密、均匀、稳固夹持,还提供了一种衬底组装产品,本产品外壳侧壁的一对内侧面沿其底边分别设有卡槽,所述的衬底的长度大于侧壁内侧面间距且长度小于两侧卡槽间距,所述的衬底设置在卡槽内并通过粘接材料与型腔的底座固定连接,衬底设置在两个卡槽间,使衬底与底座紧密、均匀、稳固连接,能够经受高过载冲击(如10000g以上)作用。
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公开(公告)号:CN117444340A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311105905.0
申请日:2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种共晶焊方法,它包括以下步骤:共晶焊工装的组装、将共晶焊工装放入共晶焊工艺腔室内,工艺腔室内抽真空、充氮气、真空共晶焊炉继续加热,并抽真空、真空共晶焊炉继续加热,停止抽真空,再次充氮气、真空共晶焊炉停止充氮气,开始降温、真空共晶焊炉程序运行结束后,打开工艺腔室舱盖,取出已完成共晶焊接的芯片。本发明提供的方法克服了现有技术焊料片表层氧化导致焊接面出现氧化渣滓的问题,缩短了共晶时间,具有可靠性高、成品率高以及成本低的特点。
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公开(公告)号:CN117219525A
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN202311194095.0
申请日:2023-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种多棱柱结构混合电路三维多面通用互连方法,以实现多棱柱侧面之间、侧面与顶面、侧面与底面引线柱的三维互连。包括,1、制作侧面用空白基板,使其侧棱面与正面形成设定夹角,以保证基板与底座粘接后,侧棱面能与其相邻上、左基板正面处于同一维度面;2、在上述侧棱面制作侧连PAD,包含将与相邻左侧面基板互连的键合PAD以及与顶面基板互连的键合PAD:3、底面引线柱外圆面制作平面PAD,与对应的电路侧面基板平行:4、完成各基板与底座、元件与基板组装:5、在完成各面内部常规键合互连后,再进行相邻侧面之间、侧面与顶面之间、侧面与引线柱之间二维面键合互连,即通过渡PAD媒介,实现三维各面之间的电学互连,不形成三维键合线弧。
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公开(公告)号:CN104959279B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201510380413.1
申请日:2015-07-02
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种搅拌式气压点胶阀,包括阀体,阀体顶部设有端盖、底部设有点胶针,端盖上设有与阀体连通的进气管,所述阀体外壁设有与阀体连通的出气管;所述端盖底部设有竖直伸入阀体的吊杆,吊杆底端设有风车,风车的风叶能够在阀体内水平旋转,风车的转轴底端设有竖直的旋转杆,旋转杆上沿轴向设有一组交错分布的搅拌杆,搅拌杆相对于旋转杆以倾斜方式设置;所述点胶阀还包括与出气管形成配合的堵头;搅拌时,拿出堵头,使从进气管进入阀体的压缩气从出气管排出,从而形成气流,使风车旋转,进而使旋转杆带动搅拌杆旋转,对阀体内的胶剂起到搅拌作用,本发明结构简单,无需拆卸点胶阀就可根据需要实现对胶剂的搅拌,搅拌均匀,提高了工作效率。
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公开(公告)号:CN106180954A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610639280.X
申请日:2016-08-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B23K3/08 , B23K1/008 , H01L21/603
CPC classification number: B23K3/087 , B23K1/008 , B23K2101/40 , H01L24/01 , H01L2021/60007
Abstract: 本发明公开一种多芯片共晶焊施压装置,包括石墨夹具、不锈钢定位夹片与压力板,不锈钢定位夹片上设有一组与待焊芯片相适应的焊槽,压力板的底面设有一组压力块,各个压力块与所述焊槽形成对应配合,每个压力块的高度分别与各自对应配合的待焊芯片高度相适应,也即令每一组相配合的压力块与待焊芯片高度之和均相同,从而保证压力板保持在水平位置,使得每个压力块均能够与各自配合的待焊芯片完全接触;另外,由于每一组相配合的压力块与待焊芯片高度之和均相同,从而保证在施压时,所有的待焊芯片均同时受力,也即通过不同高度的压力块对芯片的不同高度进行补偿,实现共压,保证共晶焊的效果。
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