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公开(公告)号：CN118198117B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410175143.X
申请日：2024-02-07
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种抑制IGCT关断拖尾振荡的方法、压接型IGCT及应用。所述抑制IGCT关断拖尾振荡的方法，包括：将所述IGCT的阴极金属连接片替换成带有凸台结构的阴极金属连接片，或者在所述IGCT的阴极金属连接片上形成凸台结构；在所述凸台位置嵌入软磁磁环。本发明有效抑制了整晶圆封装的压接IGCT器件关断拖尾电流振荡，提高了器件应用系统的可靠性；本发明在现有的压接IGCT器件封装形式上改进完成，装配简单，所用软磁材料只在小电流情况下作用，不影响器件正常工作时的电气参数；所用软磁环可根据实际需求调整为一层或多层，灵活便捷。
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公开(公告)号：CN117810251A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410232290.6
申请日：2024-03-01
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 一种功率半导体器件的终端结构、制造方法及功率器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构位于芯片边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构至少具有第一基区和第二基区，所述第一基区和第二基区具有相反导电类型；所述终端结构中，至少在所述第二基区的远离第一基区的表面与芯片有源区所在的第一主面形成负角，使得终端结构部分芯片厚度至少在所述第一主面上随与芯片有源区距离的增加而减小；其中，所述第二基区至少具有一均匀掺杂的区域。本发明的终端结构可平衡负斜角终端近有源区一侧的电场强度，提高终端的有效利用率和阻断电压，降低电场强度峰值，提升器件长期可靠性；可用于不同类型的功率半导体器件。
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公开(公告)号：CN119920697A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510369140.4
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 本申请涉及一种IGCT器件的封装方法及IGCT器件的封装结构，其中，IGCT器件的封装方法包括：提供一电极和一晶圆；于所述电极的表面形成图形化的互连材料层，所述互连材料层包括多个间隔设置的互连材料单元；将所述晶圆设置于所述互连材料层远离所述电极的一侧；采用键合工艺或焊接工艺，使所述互连材料单元发生形变，以连接所述晶圆和所述电极；其中，至少两个相邻设置且变形后的所述互连材料单元部分相连。本申请在晶圆与电极互连过程中提供了释放热应力的空间，减少或避免了互连过程中因热应力而发生翘曲变形的风险，从而在不影响热阻优化效果的同时提高了IGCT器件的封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN119891709A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374467.0
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M1/06 , H02M1/08 , H02M1/32 , H03K17/56 , H03K17/687
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件的驱动电路及其控制方法，该驱动电路至少包括第一电感换流模块，第一电感换流模块的两端分别用于与阴极和门极电连接，第一电感换流模块包括换流子模块、续流子模块以及定向子模块，换流子模块用于将功率半导体器件的电流由阴极换流至门极，换流子模块的第一端、续流子模块的第一端以及阴极电连接，续流子模块用于为换流子模块续流，换流子模块的第二端与续流子模块的第二端电连接，续流子模块的第三端与定向子模块的第一端电连接，定向子模块用于控制功率半导体器件的电流由门极流入续流子模块，定向子模块的第二端与门极电连接。该驱动电路解决了如何提升功率半导体器件的可靠性的技术问题。
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公开(公告)号：CN119880922A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374464.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种半导体芯片的检测方法和半导体芯片的检测装置，半导体芯片的表面具有多个阴极梳条，该方法包括：获取半导体芯片的表面结构的图像数据；利用图像处理技术，对图像数据进行分析，以识别各阴极梳条的位置，得到各阴极梳条对应的位置信息；根据各位置信息，控制探针移动，使得探针依次与各阴极梳条接触，以检测各阴极梳条是否存在缺陷。本申请解决了现有半导体芯片检测过程中，由于阴极梳条实际位置与预设位置存在误差，主要通过人工来校对探针与芯片中的阴极梳条的测试，导致测试效率低下且准确性较低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118398657B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410841865.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/744 , H01L29/749 , H01L29/423 , H01L21/332
Abstract: 一种半导体器件芯片、其制造方法、半导体器件及电子设备，属于功率半导体器件制造领域。所述半导体器件芯片包括门极，所述门极上具有不同于沟槽栅和隔离沟槽的沟槽结构；所述半导体器件芯片为电子和空穴均以扩散原理导通的双极半导体器件芯片，或者晶闸管芯片。本发明的具有门极沟槽结构的半导体器件可以解决如开关速度慢、漏电流大、电流承受能力低等至少一个技术问题，在开关速率、大电流关断、门极寄生参数优化、门极均流等至少一个方面有显著的提升效果，门极关断时间可减小10%到50%，电场峰值下降了15%，门极汇流过程中的寄生电感的参数也明显降低，汇流能力明显增大。
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公开(公告)号：CN118801666A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410812210.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 一种电流源型功率半导体器件的驱动方法、器件、电路及电子设备，属于电源管理技术领域。所述电流源型功率半导体器件的驱动方法应用于耗尽型元器件，包括：响应于器件开通指令，通过电源管理模块向开通模块内开关元器件输入正偏电压，向维持模块内开关元器件输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件维持通流指令，通过电源管理模块向维持模块内开关元器件输入正偏电压，向开通模块内开关元器件输入反偏电压；响应于器件关断指令，通过电源管理模块向开通模块和维持模块内开关元器件均输入反偏电压，向关断模块内开关元器件输入正偏电压。本申请设计了一种电流源型功率半导体器件的驱动方法，能够可靠实现对耗尽型元器件的驱动控制。
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公开(公告)号：CN118739813A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410814101.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种功率器件的驱动电路、驱动方法和功率器件。所述驱动电路包括：开通模块、门极模块和阴极模块；其中，阴极模块的第一端与功率器件中的功率半导体的阴极连接，阴极模块的第二端分别与开通模块和门极模块的第二端连接；开通模块的第一端与功率半导体的门极连接，门极模块的第一端与功率半导体的门极连接。通过各模块的导通或断开实现功率器件的开通或断开，无需在每次关断完成后进行重新充电，降低了传统驱动电路和驱动方法导致的功率器件功率过高的问题，同时提高了功率器件的开关频率，且在功率器件的阴极增加阴极模块，使功率器件具有正温度特性，提高了功率器件的关断增益，从而提高了功率器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN118610230A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410740011.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/06 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 一种功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构位于功率半导体芯片的边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构表面具有一斜面结构，使得所述终端结构部分与所述芯片的第一主面形成一负角；在终端的斜面结构部分形成有截止环，所述截止环形成于第一半导体基区内部靠近终端边缘的一侧，并纵向延伸接触所述第一导电类型半导体区。本发明采用增加截止环将斜角终端需穿通的平面型PN结延伸至纵向结构，使得斜角终端结构的制备工艺无需严格考虑结深，增大了工艺窗口，提升了工艺良率，增强了器件的阻断电场的性能和耐压能力。
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公开(公告)号：CN118538765A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410814788.3
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/745 , H01L21/332
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：有源区、门极接触环区和终端区。所述功率半导体器件还包括复合阳极区。复合阳极区包括：位于有源区且沿竖直方向自下而上分布的第一阳极区和第二阳极区，以及位于门极接触环区和终端区的第二阳极区。其中，第二阳极区的掺杂浓度小于第一阳极区的掺杂浓度。第一阳极区包括非连续分布的多个子阳极区，且子阳极区的掺杂区面积随其至门极接触环区的距离增大而减小。本公开能够有效降低漏电流，降低关断损耗，提高关断的均匀性，提高器件关断能力。
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