-
公开(公告)号：CN105226129A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510680838.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/028
CPC classification number: H01L31/11 , H01L31/028 , H01L31/035272
Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。
-
公开(公告)号：CN105071784A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510425313.6
申请日：2015-07-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 本发明提供一种宽频带、高Q值有源电感，包括：第一跨导放大器，第二跨导放大器，有源反馈电阻，可变电容，第一电流源，第二电流源，分流支路。两个跨导放大器首尾连接构成回转器，回转器把第一跨导放大器的输入电容回转为等效电感。第一电流源为第二跨导放大器提供电流，第二电流源为第一跨导放大器提供电流。本发明在负跨导放大器采用电压调制的共射-共基结构组成的复合管，增加了放大器的输出阻抗进而减小零点频率，拓展了带宽；采用有源反馈电阻和可变电容，提高了品质因子Q值和等效电感值以及它们的可调性。通过对各个晶体管栅极电压与可变电容电容值的协同调节，有源电感实现了宽频带、高Q值以及带宽和Q值的可调节。
-
公开(公告)号：CN104917488A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510366412.1
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/08
Abstract: 本发明提供了一种射频有源电感，包括第一级回转器，第二级回转器，耦合电容，可变电容，直流偏置电路，其中，第一级回转器与第二级回转器通过耦合电容耦合形成级联回转器结构，第一级回转器的输入端作为有源电感的信号输入端，第二级回转器的输出端作为有源电感的信号输出端，可变电容的输入端连接第一级回转器的输出端，直流偏置电路同时连接第一级回转器与第二级回转器，提供直流偏置。本发明创新地采用级联回转器结构，提高了有源电感的自谐振频率，使有源电感可在高频段下工作，通过调节可变电容的电容值使有源电感的等效电感值与品质因子Q在高频范围内可调，可满足无线通信系统中的射频集成电路与射频系统在高频段下工作的需求。
-
公开(公告)号：CN104091825A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410331788.4
申请日：2014-07-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/165
CPC classification number: H01L29/737 , H01L29/0821 , H01L29/1004
Abstract: 本发明公开了一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用由n型半导体柱和p型半导体柱交替排列的超结集电区结构，引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。基区Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构，引入少子加速电场，有效减小基区渡越时间，从而提高器件特征频率。器件电流增益和特征频率的温度敏感性也得到改善，有效避免了器件静态工作点的漂移，有利于器件稳定工作。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管既具有高击穿电压特性，又具有优异的频率特性，且器件静态工作点不易随工作偏置及工作温度的变化而发生漂移，可实现器件在亚太赫兹功率应用领域的稳定工作。
-
公开(公告)号：CN104009722A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410191631.6
申请日：2014-05-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种全差分式浮地有源电感，具有宽频带、高Q(品质因子)值、可调谐的特点。本发明采用两个差分对电路配置分别提供正、负跨导，采用共栅电路结构作电流缓冲器，使由负跨导产生的电流返回到输入端。其中负跨导差分对电路采用直接交叉耦合结构，形成负阻补偿网络以抵消电流缓冲器产生的电阻，从而减小实部损耗，增大Q值。进一步地，在正跨导与负跨导之间加入反馈电阻，增大Q值。电流缓冲器与负跨导差分对电路的栅源电容之和构成了回转电容，所以浮地有源电感具有较大的等效电感值。通过调节电流源的控制电压，可调谐电感值和Q值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103441141A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310322896.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静态工作点的漂移。同时，所述晶体管还可同时提高器件的特征频率及其随温度变化的敏感性。此外，所述晶体管还采用各个发射极指的指间距由器件两侧向中心处指数增大的非均等指间距对称结构，可有效阻止外侧发射极指热量向中心处的流入，达到削减各发射极指间的热耦合效应、改善器件有源区温度分布的均匀性，进而提高功率晶体管热稳定性的目的。
-
公开(公告)号：CN101656267A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910093286.1
申请日：2009-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。
-
公开(公告)号：CN119578235A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411652057.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络空间映射逆向模型的微波滤波器设计方法。本发明利用快速傅里叶变换(Fast Fourier Transform,FFT)，将输入的电磁响应(S参数)曲线转换为能量集中的低频频谱，从而降低了逆向模型的输入维度。此外，本发明还提出了一种基于NSM的逆向模型的两阶段开发算法，以及该NSM逆向模型在微波滤波器设计中的应用方法。经过充分训练的NSM逆向模型，可以直接根据设计指标一次性得到微波滤波器的设计参数值(几何参数值)，而无需依赖完整的S参数曲线。相比现有的基于ANN的逆向建模方法，本发明在建模速度和微波滤波器设计参数提取的便捷性方面具有显著优势。
-
公开(公告)号：CN118568901A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410565712.1
申请日：2024-05-08
IPC: G06F30/18 , G06F30/27 , G06N3/126 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于遗传算法的VCSEL阵列排布优化方法，以达到改善VCSEL阵列热问题从而提高器件整体性能的目的。本发明直接选取VCSEL阵列单元排布的位置坐标来进行染色体的编码，可实现任意单元个数的VCSEL阵列优化，解决了因VCSEL单元个数增加导致人工设计困难的问题。此外，搭建了表征VCSEL阵列温度均匀性的适应度函数来提供优化标准，并且每一条染色体的温度分布都通过热电反馈模型计算，使遗传算法迭代和VCSEL的优化结果更准确。同时，将复杂繁琐的优化过程交给计算机迭代，极大的节省了人力和时间成本。最后，以具有37个单元的六边形VCSEL阵列为例进行了排布优化设计，证明了本发明方法的有效性。
-
公开(公告)号：CN118278281A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410423755.6
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0499
Abstract: 一种基于电磁灵敏度分析与伴随人工神经网络的微波器件自适应建模方法涉及微波器件建模领域。本发明提出了一种结合电磁灵敏度信息和导数插值技术的新型自适应采样策略，确保用最少的样本获得最精确的人工神经网络(ANN)模型。此外，还提出了一种伴随ANN结构自适应调整算法，以自动确定微波建模问题所需的最优ANN结构。通过在采样和结构调整中同时使用电磁数据和电磁灵敏度信息，使微波器件的自动建模效率得到了有效提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
130
records
(took 0.042 seconds)
