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公开(公告)号：CN216394180U
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202122755203.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
Abstract: 本实用新型涉及一种明确出针位置的髌骨定位器，涉及医疗器械领域，包括弧架、克氏钉、定位杆和手柄，弧架为U形金属杆件，弧架两端分别插入至髌骨内侧前方和内侧后方；克氏钉贯穿弧架两端并穿入至髌骨内；定位杆螺纹连接在弧架位于髌骨内侧前方一端的一侧，定位杆一端抵接在髌骨上，定位杆轴线方向与克氏钉轴线方向夹角为锐角；手柄架设在弧架弧形杆外侧，手柄轴线所处平面与弧架所处平面相交且不垂直，本实用新型具有能够快速且直观地让医师看出克氏钉的出针方向，确保克氏钉钻孔位置能够适合患者进行韧带移植的优点。
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公开(公告)号：CN216257299U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202122753741.5
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)
Abstract: 本实用新型涉及一种可调节股骨定位器，涉及医疗器械领域，包括手柄、入针支杆、入针管套、限位针套、出针支杆和出针片套，手柄为弧形杆件，手柄弧形两端长度方向平行；入针支杆和出针支杆分别滑动连接在手柄弧形两端内，入针支杆和出针支杆滑动方向相同；入针管套固连在入针支杆上，限位针套螺纹连接在入针管套内，出针片套固连在出针支杆上，出针片套中部开设有圆孔，所述圆孔轴线和限位针套轴线重合，限位针套与出针片套均抵接在股骨上，本实用新型具有能够根据不同患者的股骨大小均能进行良好的定位，确保克氏钉钻入位置达到最优的优点。
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公开(公告)号：CN118697927A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410692390.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学口腔医学院 , 苏州九心医疗科技有限公司
Abstract: 本申请涉及医用材料技术领域，具体涉及一种骨粘合剂固相组合物及其制备方法和骨粘合剂。以质量百分含量计，该骨粘合剂固相组合物包括如下组分：钙磷类生物陶瓷1％～20％，磷酸丝氨酸类物质30％～50％，可吸收止血材料0.1％～8％，磷酸四钙补足至100％；钙磷类生物陶瓷为弱碱性的钙磷类生物陶瓷，钙磷类生物陶瓷的100g/L水溶液的pH值为7～10。本发明可以降低碱性物质与磷酸丝氨酸类物质初始反应的激烈程度，延长持续反应时间，从而达到降低反应温度的目的。
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公开(公告)号：CN115124256A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210729797.3
申请日：2022-06-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深圳湾实验室
IPC: C03C17/22 , C01G21/00 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种全无机钙钛矿薄膜制备方法及窄带光电探测器。本发明通过将一定量的卤化铅和卤化铯粉末分别溶解在不同的溶剂中，制备出钙钛矿粉末，再将钙钛矿粉末溶于DMSO和DMF中，得到钙钛矿前驱体溶液，采用ALS喷涂工艺得到钙钛矿薄膜，在提升钙钛矿溶解度的同时又优化了薄膜的质量，最终得到的钙钛矿薄膜致密性好，质量高，结晶度高，有利于电荷传输。本发明在获得钙钛矿薄膜后，进一步对其进行了高温加热处理，对于经过加热处理的薄膜，结晶颗粒将变大甚至能够跨越整个薄膜的厚度，所有的钙钛矿薄膜都表现出了良好的连续性和平整度，增加了薄膜结晶速率，提高薄膜结晶质量，能够减少晶格中存在的缺陷，优化薄膜的平整度和载流子的传输能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114019226A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111258892.1
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种无接触式电量测量与记录装置，包括：电源模块，用于对外接电源电压进行降压；非接触式霍尔传感器，用于采用非接触方式实时测量待测设备的参数数据和待测设备的运行记录信息；主控电路板，用于对该参数数据进行整合，得到打上时间戳的整合参数数据，并将该整合参数数据和待测设备的运行记录信息保存在存储模块中；无线射频模块，用于将接收自外部设备的指令传输给主控电路板，并根据接收自主控电路板的控制指令将存储模块保存的该整合参数数据及待测设备的运行记录信息无线传输给外部设备。本发明实现了对大功率设备与大中型机器人的运行电流电压等参数的无接触式与高精度测量与记录，具有便携、易安装、高安全性、高精度等优点。
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公开(公告)号：CN105006485B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510337336.1
申请日：2015-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底上的沟道层；分别形成在沟道层上两侧的源极和漏极；形成在沟道层上源极和漏极之间的栅极；沟道层采用n型掺杂或p型掺杂的砷化镉Cd3As2材料。本发明的沟道层采用拓扑半金属Cd3As2，是一种新型的拓扑材料，其体态具有两个狄拉克锥，狄拉克点受晶体对称性保护而不会产生能隙；Cd3As2具有超高的电子迁移率，对于高质量的Cd3As2样品，室温下的电子迁移率可达1.5×104cm2/V·s，5K时可达107cm2/V·s，远远超过现有晶体管；由于Cd3As2特殊的能带结构，有望在低温下实现无耗散的弹道输运。
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公开(公告)号：CN103454602B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310412512.4
申请日：2013-09-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑绝缘体的磁场测量计及其测量方法。本发明的磁场测量计包括：探头和分析器；其中，探头为平板状的拓扑绝缘体；分析器为磁阻信号分析器；磁场的方向垂直于拓扑绝缘体的表面；在拓扑绝缘体的表面设置有一对电流电极和一对磁阻电极，电流电极和磁阻电极在同一个方向上；磁阻电极与磁阻信号分析器相连接。拓扑绝缘体对温度不敏感，可在很大范围内使用。本发明极大地拓宽了传统的探头的磁场探测区间，并且在低温区仍工作良好，非常适合极端条件下的实验室研究，如医学中的核磁共振成像，军事中电磁脉冲弹效果的测量，以及航天中极低宇宙温度与等离子体风暴的强场等；同时结合霍尔效应，在传统领域的应用也游刃有余。
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公开(公告)号：CN102194828B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201010128030.2
申请日：2010-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反的掺杂层。通过改变源漏区与埋氧层界面处的掺杂类型，使辐照导致的埋氧层界面处的寄生导电沟道无法导通，从而减少总剂量辐照引起的SOI器件背栅泄漏电流以及由于耦合引起的器件性能退化，达到提高SOI器件抗总剂量辐照能力的目的。
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公开(公告)号：CN102304143B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110195125.0
申请日：2011-07-13
Applicant: 北京大学 , 呼和浩特市若兹新能源有限责任公司
IPC: C07F5/02 , H01M10/0568
Abstract: 本发明公开了一种制备双乙二酸硼酸锂的方法，将干燥的双乙二酸硼酸酯与含锂化合物在有机溶剂中进行反应，反应完成后过滤，再除去滤液中的溶剂得到双乙二酸硼酸锂。其中，双乙二酸硼酸酯可通过含硼酸根化合物与含草酸根化合物在水中反应后过滤，并蒸干滤液得到。该方法工艺简单，反应条件易控制，生产规模容易放大，产品纯度高。
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