公开(公告)号：CN118465166B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410930932.X

申请日：2024-07-12

Applicant: 北京大学 ,  北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙卫玲 ,  吕轶韬 ,  许楠 ,  刘文 ,  陈倩 ,  倪晋仁

IPC: G01N30/88 ,  G01N30/06 ,  G01N30/86

Abstract: 本申请公开了一种增强源识别的定量源解析方法及设备，涉及环境监测技术及污染物溯源领域，该方法包括：获取污染受体样品和每个候选源样品的质谱数据；分析污染受体样品和候选源样品的质谱数据，构建污染受体样品和候选源样品向量；采用引入超参数的期望最大化算法，计算每个候选源样品对污染受体样品的贡献度并识别出有效污染源。本申请通过引入超参数的期望最大化算法，对候选源样品进行增强识别并定量解析，实现从大量源样品中计算每个候选源样品对污染受体样品的贡献度并识别出有效污染源，极大提升了源解析技术的抗干扰能力，充分利用污染源数据库进行溯源，并且能够在没有候选源样品的情况下进行溯源。

公开(公告)号：CN118465166A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410930932.X

申请日：2024-07-12

Applicant: 北京大学 ,  北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙卫玲 ,  吕轶韬 ,  许楠 ,  刘文 ,  陈倩 ,  倪晋仁

IPC: G01N30/88 ,  G01N30/06 ,  G01N30/86

Abstract: 本申请公开了一种增强源识别的定量源解析方法及设备，涉及环境监测技术及污染物溯源领域，该方法包括：获取污染受体样品和每个候选源样品的质谱数据；分析污染受体样品和候选源样品的质谱数据，构建污染受体样品和候选源样品向量；采用引入超参数的期望最大化算法，计算每个候选源样品对污染受体样品的贡献度并识别出有效污染源。本申请通过引入超参数的期望最大化算法，对候选源样品进行增强识别并定量解析，实现从大量源样品中计算每个候选源样品对污染受体样品的贡献度并识别出有效污染源，极大提升了源解析技术的抗干扰能力，充分利用污染源数据库进行溯源，并且能够在没有候选源样品的情况下进行溯源。

公开(公告)号：CN115646447B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202211396618.5

申请日：2022-11-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  黄韬博 ,  李璠 ,  孙丰宾 ,  高艺轩

IPC: B01J20/20 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  C02F1/28 ,  C02F101/30 ,  C02F103/34

Abstract: 本发明公开了一种碳微球/钛酸盐复合吸附材料的制备方法与应用，属于水处理技术领域。本发明所述的碳微球/钛酸盐复合吸附材料，由碳微球和钛酸盐纳米管复合而成。本发明提供了该吸附材料的制备方法，以葡萄糖为原料，通过水热法合成碳微球(PCS)，之后以二氧化钛为原料通过水热法在碳微球负载钛酸纳米管(TANTs)。制备的材料对抗生素类污染物以内分泌干扰物具有高效、快速的吸附能力。本发明涉及的吸附材料具有成本低，可再生，环境友好等特点，适用于制药废水处理中的深度处理过程。(56)对比文件孙晓明.低维功能纳米材料的液相合成、表征与性能研究《.中国优秀博硕士学位论文全文数据库(博士)工程科技Ⅰ辑》.2006,(第8期),第94页 第5.1节、第95页 第5.2.1节、第96页 第5.2.2节、第106页 第5.3节、第107页 第5.3.1节.Haodong Ji et.al.Adsorptive removalof ciprofloxacin with differentdissociated species onto titanatenanotubes.Journal of CleanerProduction.2020,278123924.

公开(公告)号：CN115646447A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211396618.5

申请日：2022-11-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  黄韬博 ,  李璠 ,  孙丰宾 ,  高艺轩

IPC: B01J20/20 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30 ,  C02F1/28 ,  C02F101/30 ,  C02F103/34

Abstract: 本发明公开了一种碳微球/钛酸盐复合吸附材料的制备方法与应用，属于水处理技术领域。本发明所述的碳微球/钛酸盐复合吸附材料，由碳微球和钛酸盐纳米管复合而成。本发明提供了该吸附材料的制备方法，以葡萄糖为原料，通过水热法合成碳微球(PCS)，之后以二氧化钛为原料通过水热法在碳微球负载钛酸纳米管(TANTs)。制备的材料对抗生素类污染物以内分泌干扰物具有高效、快速的吸附能力。本发明涉及的吸附材料具有成本低，可再生，环境友好等特点，适用于制药废水处理中的深度处理过程。

公开(公告)号：CN104176772B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410444253.8

申请日：2014-09-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 倪晋仁 ,  刘文 ,  王婷 ,  孙卫玲 ,  陈倩

IPC: C01G23/00 ,  B01J20/02 ,  C02F5/00

Abstract: 本发明涉及一种合成钛酸材料在饮用水中高效除硬中的应用。本发明中应用的钛酸纳米材料是以二氧化钛为原料，经水热法合成，其组成包括钛酸纳米管和纳米花。材料应用于饮用水中硬度的去除，其特征为高效的钙镁吸附能力和快速的吸附过程。使用后的钛酸纳米材料经氢氧化钠溶液补充恢复钠位点后可重复使用。本发明采用的除硬方法成本低，使用安全方面，适用于家庭饮用水的软化。

公开(公告)号：CN104657972A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201310606463.8

申请日：2013-11-25

Applicant: 北京大学 ,  方正国际软件(北京)有限公司 ,  方正国际软件有限公司

Inventor： 李平立 ,  刘文 ,  王建华 ,  史培培 ,  王思萌

IPC: G06T7/00

CPC classification number: G06T7/0002

Abstract: 本发明公开了一种图像块的模糊度判断方法及系统。首先将待处理图像块进行二值化处理，并提取处理后的二值化图像块的骨架，再计算图像块中所有像素点与所述骨架的距离，以该距离为横轴、像素点的灰度值为纵轴，建立灰度-距离直方图；最后计算灰度-距离直方图中的最长上升斜坡的斜率，以该斜率作为待处理图像块的模糊度，斜率越小图像块越模糊。该方法及系统通过建立灰度-距离直方图，以图像内前景图像骨架为基本形状向外扩大，以扩大后形状的边缘像素灰度平均值的变换情况用于分析图像边缘过度带的长短即清晰度能够快速判断图像的模糊度，而不需要准确定位图像边界，简单实用且效率高。

公开(公告)号：CN102194828B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201010128030.2

申请日：2010-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  黄德涛 ,  刘文 ,  王健

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反的掺杂层。通过改变源漏区与埋氧层界面处的掺杂类型，使辐照导致的埋氧层界面处的寄生导电沟道无法导通，从而减少总剂量辐照引起的SOI器件背栅泄漏电流以及由于耦合引起的器件性能退化，达到提高SOI器件抗总剂量辐照能力的目的。

公开(公告)号：CN101859783B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010164471.8

申请日：2010-04-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  郝志华 ,  黄如

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材料同为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明的SOI器件通过在硅片上依次形成第一SiO2层，牺牲层，第二SiO2层，和硅膜衬底层而制造。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。

公开(公告)号：CN101859782B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010164465.2

申请日：2010-04-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  郝志华 ,  黄如

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明所述的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层，所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明所述的制造方法包括：a)在硅片上通过热氧化生长方法形成第一SiO2层；b)在第一SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成多晶硅牺牲层；c)在多晶硅牺牲层上通过热氧化生长方法形成第二SiO2层；d)在第二SiO2层上通过低压化学气相淀积方法形成P型硅层。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。

公开(公告)号：CN101667580B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910093413.8

申请日：2009-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐照的CMOS集成电路，属于电子技术领域。本发明抗总剂量辐照的CMOS集成电路包括NMOS器件和PMOS器件，器件之间通过沟槽隔离，其特征在于，所述沟槽用隔离材料一和隔离材料二的混合物填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷，所述隔离材料二在总剂量辐照下产生固定负电荷，所述混合物在总剂量辐照下显示弱电荷性或电中性。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。