公开(公告)号：CN1877275A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610083449.4

申请日：2006-05-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘冬宁 ,  张大成 ,  贺学峰 ,  李婷 ,  杨芳 ,  王颖 ,  张美丽

IPC: G01L1/04

Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括：探针体和衬底，探针体和衬底通过固定锚点固定连接，探针体包括：T型探针头、着力质量块、弹性梁及标尺结构，T型探针头与着力质量块通过弹性梁连接，形成探针可动结构，探针可动结构再通过一组弹性梁结构与固定锚点相连接，悬浮于衬底之上，标尺结构分为定尺、动尺I和动尺II三个部分，动尺I与T型探针头部相连，动尺II与着力质量块相连，定尺固定在衬底上。本发明利用弹性梁受力形变与所受外力成正比的原理，读出被测样品所受力的大小，具有读数简单、工艺易于实现的特点。

公开(公告)号：CN1847141A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610011782.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  王颖 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米厚度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：键合区制作、纳米厚度梁结构制作、硅与玻璃键合、纳米厚度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米厚度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。

公开(公告)号：CN1266739C

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN03130642.X

申请日：2003-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 王翔 ,  张大成 ,  李婷 ,  王玮 ,  王颖

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)对键合面进行清洗：3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN102579325A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110008665.3

申请日：2011-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张烜 ,  王颖 ,  陈粟 ,  张强

IPC: A61K9/08 ,  A61K31/41 ,  A61K47/40 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明涉及一种乙烷硒啉静脉注射剂的配方及制备，包含活性组分和辅料，其中所述活性组分为乙烷硒啉，及其类似物，辅料由稳定剂和有机溶剂组成。将活性组分与辅料制备注射液，临床使用时经适当稀释后供静脉注射用。

公开(公告)号：CN101559916B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910082984.1

申请日：2009-04-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  李婷 ,  刘鹏 ,  王玮 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种掩蔽微结构的制备方法，属于微电子机械系统技术领域。该方法包括：在硅基片表面制成厚度为1～2μm的二氧化硅掩膜，并图形化，对硅进行深刻蚀，形成微槽或微开口结构；对微槽或微开口结构进行表面钝化；刻蚀去掉微槽或微开口结构的底部钝化层，对微槽或微开口结构的底部进行预刻蚀；接着继续各向同性刻蚀，形成微结构；然后，去掉硅片表面的掩膜和微槽或微开口结构侧壁的钝化层；回填形成掩蔽微结构。本发明利用厚掩膜很好的保护了硅片表面，不会出现针孔和钻蚀的现象。且掩蔽微结构的各向同性刻蚀在预刻蚀之后进行，可控制掩蔽微结构的截面形状，免去了复杂的工艺参数调整，也可避免对精密刻蚀设备的依赖。

公开(公告)号：CN1322591C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03127940.6

申请日：2003-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  张威 ,  李婷 ,  田大宇 ,  刘蓓 ,  罗葵 ,  王颖 ,  李静 ,  王兆江 ,  王阳元

IPC: H01L29/84 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。

公开(公告)号：CN1953315A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610113570.7

申请日：2006-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  郝一龙 ,  金玉丰 ,  田大宇 ,  王颖 ,  陈治宇

IPC: H02N1/00 ,  H02N1/08

Abstract: 本发明公开了加工基于无机驻极体的MEMS微发电机的方法。本发明加工方法，包括如下步骤：1)在无机衬底表面光刻、溅射金属电极，剥离得到下金属电极；2)在无机衬底表面沉积无机驻极体薄膜，经光刻腐蚀形成驻极体图形；3)在硅衬底上表面光刻，腐蚀出浅槽，并在硅表面注入硼；4)将所述硅衬底与所述无机衬底表面牢固结合在一起，其中，硅衬底带有浅槽的表面与无机衬底带有驻极体图形的表面相对；5)通过光刻并刻蚀上层硅衬底形成上极板，刻蚀位置与驻极体图形的位置相对应；6)在无机驻极体薄膜内注入电荷，得到所述MEMS微发电机。本发明方法具有与集成电路工艺兼容性好，可批量生产，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN1924417A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200510086322.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 李修函 ,  于晓梅 ,  张大成 ,  李婷 ,  王颖 ,  王玮 ,  罗葵 ,  王阳元

IPC: F16K17/20

Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。

公开(公告)号：CN1292541C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200410009425.5

申请日：2004-08-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 阮勇 ,  张大成 ,  郝一龙 ,  王阳元 ,  王丛舜 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  王玮 ,  王颖 ,  王兆江

IPC: H03K17/72

Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上极板和上极板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上极板和上极板驱动金属板相对应的开关下极板和下极板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。

公开(公告)号：CN1847140A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610011781.X

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。