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公开(公告)号：CN106941131A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710288047.6
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0001
Abstract: 本发明公开了一种定位自组装有机半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明以石墨烯和h‑BN为模板进行自组装生长有机半导体薄膜，有机半导体薄膜与石墨烯之间形成较好的接触，从而实现定位自组装有机半导体薄膜晶体管；自组装过程中无需溶剂介入，不受材料溶解性的限制，自组装过程简单；自组装过程中无需高真空条件，可降低生产成本；自组装过程最高温度为130℃，能应用于PET等柔性衬底；石墨烯与h‑BN具有良好的透光性，有利于制作透明器件；由于大面积制备石墨烯以及h‑BN的工艺已经成熟，该方法可以被推广到大面积自组装有机半导体薄膜晶体管，在柔性有机电子、光电子器件及显示器件领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105403536A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510971409.2
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的液体折射率探针及其探测系统和探测方法。本发明采用纳米线探针测量液体的折射率，不需要复杂的耦合激发装置，同时避免了贵金属的使用，因此可以大幅降低成本；此外，纳米线探针测量过程中避免了激光强光源的使用，不存在淬灭或者闪烁现象，稳定性好；并且对衬底的依赖性不高，柔性和硬质衬底均可以；特别是纳米线探针可以进入生物细胞，探测细胞内生物反应导致的折射率变化；通过纳米线的直径调控散射效率极大峰位的范围在650～900nm之间，这个波段是血液等生物混合液吸收和散射最小的波段，非常适合生物探测；本发明具有测量方法简单、稳定性好、成本低、灵敏度高以及应用广泛等优点。
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公开(公告)号：CN102881841A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210391045.7
申请日：2012-10-16
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件。在铜箔上利用化学气相淀积方法生长石墨烯薄膜，将所得的铜/石墨烯复合材料应用作半导体光电器件的阳极，例如作为顶发射有机电致发光二极管的阳极，能够简化工艺流程，提高器件的出光效率，增加器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872120B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010215355.4
申请日：2010-07-01
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶连同其上的石墨烯剥离掉，得到器件所需的图形化的石墨烯。该方法相比现有技术，具有精确定位的优点，且无需刻蚀，不需要制作压印模版，从而成本较低。本发明不仅实现了精确定位地图形化石墨烯，而且很容易实现大面积器件集成。此外，利用曝光、剥离的方法，避免了氧等离子体刻蚀的步骤，从而避免了辐照损伤带来的器件性能的降低。
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公开(公告)号：CN101872120A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010215355.4
申请日：2010-07-01
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶连同其上的石墨烯剥离掉，得到器件所需的图形化的石墨烯。该方法相比现有技术，具有精确定位的优点，且无需刻蚀，不需要制作压印模版，从而成本较低。本发明不仅实现了精确定位地图形化石墨烯，而且很容易实现大面积器件集成。此外，利用曝光、剥离的方法，避免了氧等离子体刻蚀的步骤，从而避免了辐照损伤带来的器件性能的降低。
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公开(公告)号：CN1699637A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200410038099.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极A、B、C，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，加热电极C接地，分别与加热电极A及加热电极B组成两套蒸发电极；两个钼舟或/和钽舟并排水平放置，使气体沿水平方向吹过两个钼舟或/和钽舟表面的通气导管气嘴高度与两个钼舟或/和钽舟表面高度相当。利用单晶半导体纳米线的生长装置生产单晶GaN纳米线的方法，包括如下步骤：1)将金属Ga源和Si样品衬底分别置于两个钼舟或/和钽舟的表面；2)抽真空；3)向真空室中通入NH3气。本发明可广泛用于新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面。
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公开(公告)号：CN1642376A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410001060.1
申请日：2004-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明所提供的有机电致发光器件，至少包括发光层，以及分别位于所述发光层上下的阴极层和阳极层，且所述阳极层的阳极为硅。该有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：1)在硅片背面制作欧姆接触金属；2)在步骤1)所述已制备好欧姆接触金属的硅片正面生长空穴注入/控制层；3)在步骤2)所述空穴注入/控制层上依次真空淀积空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入/控制层；4)用模板淀积法或用淀积加光刻的方法在步骤3)所述电子注入/控制层上依次制备透光阴极和厚阴极；5)在步骤4)所述透光阴极和厚阴极上制备器件钝化保护膜。本发明的有机电致发光器件可广泛应用于视频数字显示、仪器监控、广告等领域。也可实现微显示、(Microdisplay)，随身“看”等特殊要求，从而用在军事，电子游戏等特殊领域。
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公开(公告)号：CN1603471A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN03134724.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 北京大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10－300mA/cm2范围，时间为5－30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。
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