公开(公告)号：CN102569487B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210015241.4

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  樊超 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。

公开(公告)号：CN102496632B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201110452444.5

申请日：2011-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  董显山 ,  田大宇 ,  金玉丰

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于键合基片的超薄硅PIN高能粒子探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的器件层硅片和支撑层硅片，以及二者之间的二氧化硅层，其中：所述器件层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述支撑层硅片在对应于器件层硅片P+区的位置开有窗口形成空腔结构，暴露出器件层硅片的背面，该空腔结构为下宽上窄的倒扣桶状；所述器件层硅片暴露的背面区域为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的超薄探测器可测量粒子能量及鉴别粒子种类，应用于核物理探测等领域中。

公开(公告)号：CN103094360A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210256999.7

申请日：2012-07-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 靳纯艳 ,  王金延 ,  方敏 ,  张波 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上采用ICP-RIE方法刻蚀隔离岛；然后涂光刻胶，进行光刻、曝光并显影，形成肖特基电极图形；再通过电子束蒸发一金属层，将光刻胶剥离后形成可变电容。利用本发明，可在GaN基上实现与高电子迁移率晶体管HEMT工艺兼容的可变电容，对于实现LNAs、VCOs以及混频器等电路有重要意义。

公开(公告)号：CN102915957A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210345336.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张波 ,  靳纯艳 ,  方敏 ,  王金延 ,  王茂俊 ,  于民 ,  解冰 ,  吴文刚

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种制作空气桥及电感的方法。其步骤主要包括：在基片上利用光刻胶制作第一牺牲胶层；在第一牺牲胶层上涂敷光刻胶制作第二牺牲胶层，该第二牺牲胶层的长度小于第一牺牲胶层的长度；通过烘烤使牺牲胶层的边角圆滑并固化，形成拱形的空气桥支撑基片；利用电子束蒸发制作种子层；在种子层上电镀金属材料层；采用腐蚀方法去除种子层，采用有机溶剂去除牺牲胶层，形成空气桥。本发明使用光刻胶制作两层牺牲胶层，可以提高空气桥的性能，并能提高工艺效率，减小制作过程中对器件造成的损伤，同时避免使用剧毒试剂，保护环境。

公开(公告)号：CN102183333B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010612818.0

申请日：2010-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱智源 ,  朱韫晖 ,  于民 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: G01L9/12 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片，含可动电极的膜片，和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路；所述固定电极和所述可动电极之间存在间距，形成电容；所述可动电极位于所述膜片的梯形槽内，所述可动电极四周设有多个和所述可动电极相接的彼此间隔的经填充的通孔，所述通孔位于所述梯形槽的斜面中，将所述可动电极和部分所述斜面分隔。本发明还公开了含有硅通孔的电容式压力传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。

公开(公告)号：CN102569487A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210015241.4

申请日：2012-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  樊超 ,  杨昉东 ,  田大宇 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发明通过将P型和N型有源区设计成上下非垂直对称结构，有效增大了P型有源区到N型有源区的距离，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，即增大了探测器件I区的有效厚度，突破了高阻硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。

公开(公告)号：CN1322552C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03153740.5

申请日：2003-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 施小康 ,  于民 ,  石浩 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后每个栅格内平均停留离子的数目，进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目，而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素，通过本发明，基于现有的模拟数据，可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落，获得掺杂涨落与深度的变化关系，本发明提出的对掺杂涨落的标定方法，更加有利于数据的分析和后续的应用。

公开(公告)号：CN113871509A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111086164.7

申请日：2021-09-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  李铁松 ,  何鑫

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双沟槽型窄边缘耐高压硅PIN辐射探测器及其制备方法。通过在高阻半导体硅片的正面和背面的边缘处各刻蚀一个沟槽，两个沟槽表面以及硅片的整个背面掺杂形成高浓度N+区，采用多晶硅填充正面和背面的沟槽，在硅片正面通过离子注入形成主结P+区和保护环P+区。本发明在探测器边缘设计了双沟槽结构，完全屏蔽了划片切割操作引入的边缘缺陷对探测器灵敏区的影响，减小了探测器的漏电流，提高了探测器的收集效率；通过扩散工艺在沟槽的表面形成高浓度的N+区，减小了沟槽附近的漏电流；并且通过正面的保护环结构，提高了探测器的击穿电压；此外，通过沟槽填充技术填充沟槽，提高了结构的强度，保证了探测器的高性能。

公开(公告)号：CN109686812B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910004641.7

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 于民 ,  刘佳乐 ,  王景玺

IPC: H01L31/117 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于隧穿氧化层的键合硅PIN辐射响应探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的探测层硅片和收集层硅片，以及二者之间的超薄二氧化硅层，其中：所述探测层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述收集层硅片的背面全部为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的辐射响应探测器可用于核辐射领域的超快响应测量，在辐射防护、空间监测等领域有着重要应用。

公开(公告)号：CN103515466A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210219025.1

申请日：2012-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱智源 ,  于民 ,  王陪权 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  刘晨晨 ,  马盛林 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L25/043 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种复合式ΔE-E核辐射探测器及其制造方法，属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的复合式ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器，厚型PIN探测器以及两者之间的介质键合层；薄型PIN探测器与厚型PIN探测器通过介质键合层机械固定到一起，并且形成电学互连；所述薄型PIN探测器包括高阻硅基片和所述高阻硅基片上的探测窗口；所述薄型PIN探测器探测窗口包括P区，N区以及两者之间的硅层。本发明还公开了所述复合式ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探测，核物理，医学检测，和环境检测等多个领域。