公开(公告)号：CN119323787A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202411876606.1

申请日：2024-12-19

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院) ,  中国科学院遗传与发育生物学研究所

Inventor： 张丽 ,  李承阳 ,  邵世豪 ,  黄江伟 ,  乔杰 ,  洪锴 ,  唐文豪 ,  孙宇娇 ,  王瑜 ,  石浩 ,  降雨强 ,  闫丽盈

IPC: G06V20/69 ,  G06V10/26 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82

Abstract: 本发明涉及一种精确识别人圆形精子细胞的人工智能模型构建系统和方法，该系统包括图像收集单元、图像预处理单元、数据集分割单元、先导实验模型挑选单元、错样本强化的模型训练单元和模型验证单元；数据集分割单元用于将人圆形精子细胞图像分割为训练集、验证集和测试集；先导实验模型挑选单元用于根据系列待选择模型在验证集上的表现挑选性能最优的模型；错样本强化的模型训练单元用于构建假正和假负数据集，利用随机抽取的方法将假正数据与假负数据加入目前正在训练的图片中，增强模型应对错例的能力；模型验证单元用于进行双盲实验，检测筛选出来的细胞是否表达人圆形精子细胞特异性蛋白，验证模型的有效性和精准性。

公开(公告)号：CN100407570C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200410009957.9

申请日：2004-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 石浩 ,  张国艳 ,  廖怀林 ,  黄如 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: H03B5/12

Abstract: 本发明公开了一种宽频带的压控振荡器，包括LC谐振回路和用于提供负电导的电路，所述负电导电路的电流可调。本发明采用可变负电导的电路结构。该电路通过开关控制多个负电导有源电路网络的连接或断开，从而改变压控振荡器总的等效负电导，使它在各个频率段能最佳的抵消电路中的电导损耗，达到振荡器的振荡条件，同时使输出信号的相位噪声和幅度达到优化值。

公开(公告)号：CN1194387C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN03109609.3

申请日：2003-04-09

Applicant: 北京大学 ,  富士通株式会社

Inventor： 施小康 ,  黎明 ,  石浩 ,  于民 ,  黄如 ,  张兴 ,  张进宇 ,  铃木邦广 ,  冈秀树

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66 ,  H01L21/70 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，不断产生注入过程中的缺陷分布；虚离子模拟注入的射程分布，不必跟踪级联碰撞，亦不产生注入靶材料的缺陷分布。本发明的模拟方法，离子注入的射程分布可以很好地被模拟，模拟结果很好地符合SIMS的实验结果；对离子注入的模拟不但可以保持高精度，而且还可以实现高速高效模拟；同时由于本发明的模拟方法引入了缺陷产生，得到的缺陷分布还可以应用后续的退火模拟，并最终实现完全的工艺仿真。

公开(公告)号：CN1585098A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN03153740.5

申请日：2003-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 施小康 ,  于民 ,  石浩 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后总的停留离子的数目，进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目，而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素，通过本发明，基于现有的模拟数据，可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落，获得掺杂涨落与深度的变化关系，本发明提出的对掺杂涨落的标定方法，更加有利于数据的分析和后续的应用。

公开(公告)号：CN100407569C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200410009955.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 石浩 ,  张国艳 ,  廖怀林 ,  黄如 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: H03B5/12

Abstract: 本发明公开了一种可减小增益波动的压控振荡器，包括LC谐振回路、用于提供负电导的有源器件，该压控振荡器的电压控制端接电压变换的电路。本发明通过使用电压变换电路，使实际能够控制压控振荡器的电压范围可变，从而使实际的调频范围可变，这样，就能控制压控振荡器的增益。

公开(公告)号：CN1604460A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410009728.7

申请日：2004-10-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 石浩 ,  张国艳 ,  廖怀林 ,  延涛 ,  王凝华 ,  黄如 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: H03B7/02

Abstract: 本发明公开了一种实现射频压控振荡器频率粗调的装置，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路中的电容为三端变容管，该三端变容管的两控制端分别接不同的控制电路。本发明与数字开关电容压控振荡器相比，本发明仅使用单个的三端变容管，省去了额外的固定电容。使用单个的三端变容管将大大的节省芯片的成本。并且，核心电路部分的简化对于减少设计的复杂度，降低相位噪声的设计难度，以及获得稳定可靠的压控振荡器性能具有很大的帮助。

公开(公告)号：CN100384083C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410009956.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 石浩 ,  张国艳 ,  廖怀林 ,  黄如 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: H03B5/12

Abstract: 本发明公开了一种可减小增益波动的压控振荡器，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路的电容为变容管电容和耦合电容串联，再与数字控制的开关电容并联而成，所述耦合电容也为数字控制的开关电容。本发明使用数字控制的开关耦合电容，将变容管的电容耦合到LC谐振回路中。这样，耦合电容即可变。这样，对于不同的调频区间，使用不同的耦合电容Cc，使调频增益可变。

公开(公告)号：CN1614875A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410009957.9

申请日：2004-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 石浩 ,  张国艳 ,  廖怀林 ,  黄如 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: H03B5/12

Abstract: 本发明公开了一种宽频带的压控振荡器，包括LC谐振回路和用于提供负电导的电路，所述负电导电路的电流可调。本发明采用可变负电导的电路结构。该电路通过开关控制多个负电导有源电路网络的连接或断开，从而改变压控振荡器总的等效负电导，使它在各个频率段能最佳的抵消电路中的电导损耗，达到振荡器的振荡条件，同时使输出信号的相位噪声和幅度达到优化值。

公开(公告)号：CN1322552C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03153740.5

申请日：2003-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 施小康 ,  于民 ,  石浩 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后每个栅格内平均停留离子的数目，进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目，而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素，通过本发明，基于现有的模拟数据，可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落，获得掺杂涨落与深度的变化关系，本发明提出的对掺杂涨落的标定方法，更加有利于数据的分析和后续的应用。

公开(公告)号：CN1614874A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410009956.4

申请日：2004-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 石浩 ,  张国艳 ,  廖怀林 ,  黄如 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: H03B5/12

Abstract: 本发明公开了一种可减小增益波动的压控振荡器，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路的电容为变容管电容和耦合电容串联，再与数字控制的开关电容并联而成，所述耦合电容也为数字控制的开关电容。本发明使用数字控制的开关耦合电容，将变容管的电容耦合到LC谐振回路中。这样，耦合电容即可变。这样，对于不同的调频区间，使用不同的耦合电容Cc，使调频增益可变。