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公开(公告)号：CN108400157A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810104358.7
申请日：2018-02-02
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金泽大学
CPC classification number: C30B25/20 , C23C16/0281 , C23C16/272 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04 , H01L21/00 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02491 , H01L21/02499 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L29/04 , H01L21/02617
Abstract: 本发明的目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于所述方法的衬底基板，其对于减低包含位错缺陷等的各种缺陷是有效的。上述衬底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜的衬底基板，其特征在于：前述衬底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。
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公开(公告)号：CN104451868B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410478813.1
申请日：2014-09-18
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B25/16 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/04
Abstract: 本发明提供在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上稳定地追加堆积气相合成单晶金刚石而制造高质量的单晶金刚石的方法。一种在通过气相合成得到的单晶金刚石晶种基板上追加堆积气相合成单晶金刚石的单晶金刚石的制造方法，其特征在于，包括以下工序：(1)测量晶种基板的平坦度的工序；(2)基于平坦度的测量结果，判定是否进行晶种基板的平坦化的工序；(3)以下两工序中之一，即，(3a)基于判定，对于需要平坦化的晶种基板，进行平坦化之后，追加堆积气相合成单晶金刚石的工序，(3b)基于判定，对于不需要平坦化的晶种基板，不进行平坦化而追加堆积气相合成单晶金刚石的工序。
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公开(公告)号：CN107130294A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
CPC classification number: C30B25/04 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02057 , H01L21/02085 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L29/1602 , C30B25/02
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
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公开(公告)号：CN102296362A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110177039.7
申请日：2011-06-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B25/18
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/183 , Y10T428/263 , Y10T428/266 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的，以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法。具体地说，本发明提供了一种单晶金刚石生长用基体材料，其特征在于所述基体材料包括：由线膨胀系数比MgO要小，且为0.5×10-6/K以上的材料构成的基本基体材料；在所述基本基体材料的使所述单晶金刚石生长侧，用贴合法形成的单晶MgO层；以及在所述单晶MgO上使其异质外延生长的铱膜、铑膜、铂膜的任意一个构成的膜。
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公开(公告)号：CN102031561A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010226112.0
申请日：2010-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B25/183 , C30B29/04 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，由单晶硅基板、在单晶硅基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的MgO膜、在MgO膜上异质外延生长的铱膜或铑膜组成。
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公开(公告)号：CN101892521A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010167218.8
申请日：2010-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C30B29/04 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02527 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/02 , C30B29/04 , C30B33/06 , H01L21/02021 , H01L21/02376 , H01L21/02491 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , Y10T428/219 , Y10T428/24488
Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(r)≥50μm的倒角形。
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公开(公告)号：CN119731377A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380062390.2
申请日：2023-08-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
Abstract: 本发明为一种衬底基板，在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中，具有：单晶Si{111}基板、单晶α‑Al2O3{0001}基板等中的任意一种的初始基板与在所述初始基板上的中间层，所述初始基板的最外侧表面相对于立方晶面取向{111}在晶轴 方向具有偏离角、或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴 或 方向具有偏离角。由此，提供一种可将高品质的单晶金刚石层制膜的衬底基板，该高品质的单晶金刚石层能够应用于电子·磁性装置、面积大(口径大)、结晶性高且凸起、栾晶等异常生长颗粒、位错缺陷等少、纯度高且应力低。
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公开(公告)号：CN118660994A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020747.0
申请日：2023-02-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种衬底基板，其在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中，具有初始基板与在所述初始基板上的中间层，所述初始基板为单晶Si{111}基板、单晶α‑Al2O3{0001}基板等中的任意一种，所述初始基板的最外层表面无偏离角，或者相对于立方晶面取向{111}在晶轴 方向具有偏离角，或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴 或 方向具有偏离角等。由此，提供一种可将单晶金刚石层制膜的衬底基板，所述单晶金刚石层能够适用于电气·磁力设备，面积大(口径大)，结晶性高且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等少，纯度高且应力低、品质高。
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公开(公告)号：CN111270307B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201911222448.7
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
Abstract: 本发明提供一种具有可适用于电子器件及磁器件的、大口径且高品质的单晶金刚石(111)的层叠基板、大口径单晶金刚石(111)自支撑基板、所述层叠基板的制造方法及自支撑基板的制造方法。所述层叠基板为包含单晶金刚石(111)层的层叠基板，其包括基底基板、该基底基板上的中间层、及该中间层上的所述单晶金刚石(111)层，所述基底基板的主表面相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以‑8.0°以上‑0.5°以下或+0.5°以上+8.0°以下的范围具有偏离角，所述单晶金刚石(111)层相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以大于‑10.5°且小于‑2.0°或大于+2.0°且小于+10.5°的范围具有偏离角。
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公开(公告)号：CN107130294B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
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