-
公开(公告)号：CN104798176B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380061023.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/316 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02329 , H01L21/02337 , H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/6835 , H01L29/0649 , H01L2221/68327
Abstract: 复合基板的制造方法，是通过将半导体基板1与支持基板3贴合后，对上述半导体基板1进行薄化，得到在支持基板3上具有半导体层6的复合基板8的复合基板的制造方法，其中,在支持基板3的进行贴合的面形成含有聚硅氮烷的涂膜4a，进行将该涂膜4a加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜4，然后经由该绝缘膜4将上述半导体基板1与支持基板3贴合，抑制支持基板的面粗糙度、缺陷引起的贴合不良，简便地得到复合基板。
-
公开(公告)号：CN107130293A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710103267.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602 , C23C16/27 , C30B25/02 , C30B33/12
Abstract: 本发明提供一种制造转位缺陷为少，抑制异常成长粒子的发生的金刚石基板的制造方法。该金刚石基板的制造方法的特征包括，包括在基底表面上设置图案状的金刚石的第一工序；除去在该第一工序设置的图案状的金刚石的壁面上附着的异种附着物的第二工序；从所述在第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，在所述第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中形成金刚石的第三工序。
-
公开(公告)号：CN109417376B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201780040362.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可降低压电结晶膜和支承基板的接合界面上的波的反射造成的杂散的、温度特性良好且为高性能的表面声波器件用复合基板。表面声波器件用复合基板包含压电单晶基板和支承基板而构成，其特征在于，在压电单晶基板和该支承基板的接合界面部，至少压电单晶基板和支承基板中任一方具有凹凸构造，该凹凸构造的剖面曲线上的要素的平均长度RSm和用作表面声波器件时的表面声波的波长λ的比为0.2以上且7.0以下。
-
公开(公告)号：CN115315780A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022998.3
申请日：2021-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板即使暴露于高温或低温下也不会出现裂纹，从而不会出现性能劣化。本发明的复合基板(10)具有按列出顺序层叠的支承基板(2)、应力松弛间层(3)和氧化物单晶薄膜(1)。应力松弛间层(3)具有介于支承基板(2)的热膨胀系数与氧化物单晶薄膜(1)的热膨胀系数之间的热膨胀系数。
-
公开(公告)号：CN104798176A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380061023.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/316 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02329 , H01L21/02337 , H01L21/265 , H01L21/302 , H01L21/6835 , H01L29/0649 , H01L2221/68327
Abstract: 复合基板的制造方法，是通过将半导体基板1与支持基板3贴合后，对上述半导体基板1进行薄化，得到在支持基板3上具有半导体层6的复合基板8的复合基板的制造方法，其中,在支持基板3的进行贴合的面形成含有聚硅氮烷的涂膜4a，进行将该涂膜4a加热到600℃以上1200℃以下的烧成处理而形成含硅绝缘膜4，然后经由该绝缘膜4将上述半导体基板1与支持基板3贴合，抑制支持基板的面粗糙度、缺陷引起的贴合不良，简便地得到复合基板。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110140192B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201780081147.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。
-
公开(公告)号：CN107130294B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
-
公开(公告)号：CN110140192A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780081147.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。
-
公开(公告)号：CN101846876B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
-
公开(公告)号：CN101846876A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.045 seconds)
