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公开(公告)号：CN117916412A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280059910.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体基板的制造方法，所述氮化物半导体基板在成膜用基板上形成有氮化物半导体，其特征在于，包含：工序(1)，其在氮气气氛中对由单晶硅构成的成膜用基板进行热处理，由此在所述成膜用基板上形成硅氮化膜；工序(2)，其在所述硅氮化膜上生长AlN膜；以及工序(3)，其在所述AlN膜上生长GaN膜、AlGaN膜或这两者。由此，提供一种氮化物半导体基板的制造方法，该方法当在高电阻单晶硅基板上外延生长AlN层并在其上外延生长GaN和AlGaN层时，能够防止Al扩散至高电阻单晶硅基板。
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公开(公告)号：CN117795137A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280052927.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L29/201 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其包含：层叠有多个层的复合基板；层叠在该复合基板上，且具有中央部的平坦面和位于该平坦面的周围的侧面的氧化硅层或TEOS层；层叠在该氧化硅层或TEOS层上的单晶硅层；及成膜在该单晶硅层上的氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氧化硅层或TEOS层的中央部的整个平坦面被所述单晶硅层覆盖。由此，提供一种氮化物半导体基板及其制造方法，该氮化物半导体基板在外延生长后的镜面边缘表面无雾化，因此无扬尘或反应痕迹且工艺中的不良较少。
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公开(公告)号：CN116034189A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180055465.5
申请日：2021-04-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度小于1×1017原子/cm3、厚度为1000μm以上的硅单晶基板用作所述硅单晶基板，通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在该硅单晶基板上。由此，能够提供一种即便基板是作为高频器件的支撑基板而有前景的高电阻率且超低氧浓度的硅单晶基板，也抑制了塑性变形及翘曲的氮化物半导体晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN109716492B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780054582.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 三垦电气股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
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公开(公告)号：CN106068547A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580011736.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100459182C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380109980.9
申请日：2003-12-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079
Abstract: 在本发明的发光元件(100)中，以具有发光层部(24)的化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，在该化合物半导体的第二主表面侧，透过具有反射面的主金属层(10)结合元件基板(7)而构成；该反射面使来自该发光层部(24)的光向该光取出面侧反射，其特征在于：该元件基板(7)是以导电型为p型的Si基板所构成，且在该元件基板(7)的主金属层侧(10)的主表面正上方形成以Al为主成分的接触层(31)。藉此提供：在具有透过金属层使发光层部与元件基板贴合的构造的发光元件中，具有良好的导电性的发光元件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1667849A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053612.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合，既容易制造，又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层，该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层的第二主表面，是通过反射金属层结合于构成导电性元件基板的Si基板的第一主表面上。反射金属层10是由以Au、Ag、或Al之任一作为主成分的金属构成。反射金属层与Si基板通过导电性粘着材层11贴合，该导电性粘着材层11是将以Au、Al、Cu、或Ni为主成分的金属粒子，以环氧系高分子材料、氨基甲酸系高分子材料或丙烯酸系高分子材料等构成的高分子结合材料结合而构成。
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公开(公告)号：CN119654453A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380060769.X
申请日：2023-06-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其具备：电阻率为1000Ω·cm以上的硅基板、或表面具备电阻率为1000Ω·cm以上的硅层的基底基板；及外延成膜在所述硅基板或所述硅层上的III族氮化物半导体薄膜，该氮化物半导体基板的特征在于，所述III族氮化物半导体薄膜中的碳浓度的平均值为3E＋18个原子/cm3以下。由此，提供一种高频损耗少并且热导率高的氮化物半导体基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118900941A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202280083343.1
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在支撑基板上形成有包含GaN的III族氮化物半导体层的氮化物半导体基板，其特征在于，支撑基板包含：复合基板，其由多个层层叠而成，所述多个层包含多晶陶瓷芯、接合于整个所述多晶陶瓷芯的第一粘合层、层叠于整个所述第一粘合层的第二粘合层及结合于整个所述第二粘合层的阻障层；及，III族氮化物半导体晶种层，其隔着平坦化层接合于所述复合基板上且至少包含GaN；III族氮化物半导体层形成于所述III族氮化物半导体晶种层上，III族氮化物半导体晶种层的GaN的(0002)生长面的结晶性以XRD半峰宽计为550角秒以下。由此，能够提供一种包含翘曲少、发生位错少且晶性良好的III族氮化物半导体层的氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN118215987A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074478.1
申请日：2022-10-17
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其为高频用氮化物半导体基板，其特征在于，包含在单晶硅基板上隔着氧化硅层形成有单晶硅薄膜的SOI基板、和形成于该SOI基板上且包含GaN层的氮化物半导体层，所述单晶硅薄膜包含浓度为2.0×1014个原子/cm3以上的氮，且电阻率为100Ωcm以上，所述单晶硅基板的电阻率为50mΩcm以下，所述氧化硅层的厚度为10～400nm。由此，能够提供一种在用以制造高频用装置的SOI基板上生长有氮化物半导体层的氮化物半导体基板，其塑性变形得以抑制。
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