抗蚀剂材料及图案形成方法
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119805859A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411399219.3

    申请日:2024-10-09

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供正型或负型皆高感度,且LWR及CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。本发明的解决手段是一种抗蚀剂材料,包含:双鎓盐,其含有具有与具有碘原子或溴原子的芳香族基团连接的α位或β位具有氟原子或三氟甲基的磺酸阴离子结构及与该具有碘原子或溴原子的芳香族基团经由碳数1以上的连接基团进行键结的羧酸阴离子结构的2价阴离子、以及鎓阳离子。

    抗蚀剂材料及图案形成方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119689780A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411314136.X

    申请日:2024-09-20

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题为提供无论正型或负型皆为高感度且LWR及CDU经改善的抗蚀剂材料、以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料,含有:酸产生剂,包含将具有碘原子或溴原子的2个芳香族基连接而成的磺酸的鎓盐。

    抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782934B

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202011216447.4

    申请日:2020-11-04

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。#imgabs0#式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

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