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公开(公告)号：CN100580881C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200480000273.0
申请日：2004-02-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物-基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物-基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜-沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜-沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜-沉积温度。
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公开(公告)号：CN100505346C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680000584.6
申请日：2006-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13与该InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10-20J以上、4.8×10-20J以下。
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公开(公告)号：CN100483627C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410062832.2
申请日：2004-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1-xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。
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公开(公告)号：CN101330123A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810128693.7
申请日：2008-06-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物系半导体发光元件(11)，其中，p型AlYGa1－YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19比p型AlXGa1－XN层(15)的p型掺杂剂浓度Np15大，因此，p型掺杂剂从p型AlYGa1－YN层(19)向p型AlXGa1－XN层(15)扩散，且到达p型AlXGa1－XN层(15)和活性层(17)的界面附近。p型AlXGa1－XN层(15)和活性层(17)的界面附近的p型AlXGa1－XN层(15)中，p型掺杂剂的浓度分布曲线PF1Mg变得陡峭。另外，p型AlZGa1－ZN层(21)的p型掺杂剂浓度与p型AlYGa1－YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19被独立地规定。
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公开(公告)号：CN1698184A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000273.0
申请日：2004-02-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供了一种制造方法，其易于生产包含具有出色平直度和结晶性的外延膜的氮化物－基半导体装置，并使得通过这种方法制造的氮化物－基半导体装置是可利用的。氮化物半导体装置在半导体衬底上形成，半导体衬底是一种包含第3B族元素及氮的化合物，此第3B族元素适合于与氮形成化合物，制造氮化物半导体装置的方法包括将半导体衬底(1)加热到膜－沉积温度、给衬底提供包含第3B族元素源气体和氮源气体的膜－沉积气体、及在半导体衬底上外延生长薄膜(2)的步骤，薄膜(2)是包含第3B族元素和氮的化合物；该方法在外延生长步骤之前还提供有将半导体衬底加热到预处理温度的步骤，以清洁半导体衬底表面，该预处理温度低于膜－沉积温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1577743A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062832.2
申请日：2004-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: GaN基底28包括GaN单晶基底14、在基底14上外延生长的AlxGa1－xN中间层24(0＜x≤1)和在中间层24上生长的GaN外延层26。中间层24由AlGaN制成，这个AlGaN生长在其上有污点和其中有高位错区域的基底的整个表面14a上。这样，中间层24正常地生长在基底14上，可使中间层24的生长表面24a平整。由于生长表面24a是平整的，在中间层24上外延生长的GaN外延层26的生长表面26a也是平整的。
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公开(公告)号：CN103959580B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280051908.4
申请日：2012-06-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件，具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号：CN105206692A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510337330.4
申请日：2015-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/02161 , H01L31/03046 , H01L31/101 , Y02E10/544 , H01L31/035263 , H01L31/102 , H01L31/1844
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。作为该半导体器件的红外光电二极管包括衬底、由GaSb形成的缓冲层和包括多量子阱结构的吸收层。该多量子阱结构包括单元结构的堆叠，每个单元结构都包括多个组分层。单元结构中的每一个包括：由InAs1-aSba形成的第一组分层，其中比率a为0或更大且0.05或更小；由GaSb形成的第二组分层；和由InSbxAs1-x形成的第三组分层，其中比率x为大于0且小于1。第三组分层被设置成与第二组分层的一个主表面接触。第二组分层的另一个主表面与单元结构内的第一组分层接触。第三组分层具有0.1nm或更大且0.9nm或更小的厚度。
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公开(公告)号：CN102422496B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080020499.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。
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公开(公告)号：CN103560191A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310467660.6
申请日：2009-08-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
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