公开(公告)号：CN102162134A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110042966.8

申请日：2011-02-18

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 渡边弘纪 ,  木藤泰男 ,  山本建策 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  森本淳 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/08

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66068

Abstract: 在碳化硅衬底的制造方法中，制备由碳化硅制成的含缺陷的衬底(2)。含缺陷的衬底(2)具有前表面、与前表面相对的后表面、和接近于前表面的表面部分(2a)。含缺陷的衬底(2)在表面部分(2a)包括螺型位错。对含缺陷的衬底(2)的前表面施加外力从而减少表面部分(2a)的结晶性。施加外力后，热处理含缺陷的衬底(2)从而恢复表面部分(2a)的结晶性。

公开(公告)号：CN100530687C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200580024191.4

申请日：2005-06-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地徹 ,  中野由崇 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其具有p-GaN层(32)、SI-GaN层(62)、AlGaN层(34)被层叠的层叠结构，并且具有形成在AlGaN层(34)的顶表面侧的栅电极(44)。AlGaN层(34)具有比p-GaN层(32)和SI-GaN层(62)更宽的带隙。而且，SI-GaN层(62)的杂质浓度小于1×1017cm-3。可以实现具有稳定的常断操作的、包括III-V族半导体的半导体器件。

公开(公告)号：CN101057336A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580039042.5

申请日：2005-11-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅 ,  加地徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/812 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/8122

Abstract: 一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。

公开(公告)号：CN102760768B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210128717.5

申请日：2012-04-27

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 渡边弘纪 ,  宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC半导体器件包括：SiC衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2)，并且包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。

公开(公告)号：CN102569367B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201110435840.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  宫原真一朗 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC半导体器件包括衬底(1)、漂移层(2)、基极区(3)、源极区(4)、沟槽(6)、栅极氧化物膜(7)、栅电极(8)、源电极(9)和漏电极(11)。衬底(1)以Si面作为主表面。源极区(4)具有Si面。从所述源极区(4)的表面到比所述基极区(3)更深的部分提供沟槽(6)，所述沟槽(6)在一个方向上沿纵向延伸并具有Si面底部。所述沟槽(6)至少在与所述基极区(3)接触的部分具有倒锥形形状，该倒锥形形状在入口部分的宽度比底部更小。

公开(公告)号：CN102629625A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210009800.0

申请日：2012-01-13

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 宫原真一朗 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/0475 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种碳化硅半导体器件包括碳化硅半导体衬底(1)和沟槽(2)。所述碳化硅半导体衬底(1)具有相对于(0001)平面或(000-1)平面的偏移角并且具有沿 方向的偏移方向。所述沟槽(2)从所述碳化硅半导体衬底(1)的表面开始设置。所述沟槽(2)沿相对于偏移方向的内角为30度或-30度的方向延伸。

公开(公告)号：CN102569367A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110435840.7

申请日：2011-12-22

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  宫原真一朗 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC半导体器件包括衬底(1)、漂移层(2)、基极区(3)、源极区(4)、沟槽(6)、栅极氧化物膜(7)、栅电极(8)、源电极(9)和漏电极(11)。衬底(1)以Si面作为主表面。源极区(4)具有Si面。从所述源极区(4)的表面到比所述基极区(3)更深的部分提供沟槽(6)，所述沟槽(6)在一个方向上沿纵向延伸并具有Si面底部。所述沟槽(6)至少在与所述基极区(3)接触的部分具有倒锥形形状，该倒锥形形状在入口部分的宽度比底部更小。

公开(公告)号：CN102473602A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034296.9

申请日：2010-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1-x-y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x-0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝-2.504x2-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。

公开(公告)号：CN102403338A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110281178.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本敏雅 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  森本淳 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种SiC半导体器件，包括：按下述顺序堆叠的衬底(1)、漂移层(2)和基极区(3)；第一和第二源极区(4a，4b)和基极区中的接触层(5)；穿透所述源极和基极区的沟槽(6)；沟槽中的栅电极(8)；覆盖栅电极，具有接触孔的层间绝缘膜(10)；经由所述接触孔与所述源极区和所述接触层耦合的源电极(9)；衬底上的漏电极(11)；以及金属硅化物膜(30)。高浓度的第二源极区比低浓度的第一源极区更浅，且高浓度的第二源极区具有被层间绝缘膜覆盖的部分，该部分包括表面附近的低浓度的第一部以及比第一部深的高浓度的第二部。第二部上的金属硅化物膜的厚度大于第一部上的金属硅化物膜的厚度。

公开(公告)号：CN101180734B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680018146.2

申请日：2006-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地彻 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明旨在抑制III-V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。