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公开(公告)号：CN107331616A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710463915.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种沟槽结势垒肖特基二极管的制作方法，其中包括：步骤一、提供用于制作器件的衬底，并且在衬底正面生长外延层；步骤二、在外延层上制作场限环区和预备主结区，预备主结区用于提供第一离子注入；步骤三、在除场限环区以外的外延层上刻蚀结势垒凹槽，其中在预备主结区刻蚀主结凹槽，并对结势垒凹槽和主结凹槽进行第二离子注入；步骤四、在衬底背面制作欧姆接触；步骤五、在器件正面制作钝化层和肖特基接触；步骤六、在器件正面制作金属电极并进行钝化。本发明还提供一种沟槽结势垒肖特基二极管。本发明能够在有效屏蔽肖特基表面电场的同时降低主结电场聚集效应，纵向增加主结面积，提升耐压特性。
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公开(公告)号：CN106960787A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710202863.0
申请日：2017-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/311 , H01L21/66
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L21/31116 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供了一种肖特基结的无损伤干法过刻蚀制备方法，包括以下步骤：S1：在外延片上表面制备肖特基结的位置处形成金属阻挡层；S2：在外延片的上表面和金属阻挡层的上表面生长绝缘介质层；S3：采用干法刻蚀方法对金属阻挡层上表面的绝缘介质进行过刻蚀，形成肖特基孔；S4：在绝缘介质层上表面和肖特基孔处形成第二金属层，得到肖特基结和阳极。本发明解决了现有技术中干法刻蚀过刻损伤外延材料的问题，以及湿法刻蚀过程中导致工艺精度无法控制的难题，本发明可以在不增加成本的基础上制作出高质量的肖特基结。
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公开(公告)号：CN102810465B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110147251.9
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。
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公开(公告)号：CN102800609B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210335699.8
申请日：2012-09-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公布了肖特基二极管空气桥制作的图形监控方法，该方法是在制备空气桥抗腐蚀掩模的同时，制备出与空气桥桥宽相对应的包含至少两个条形抗腐蚀掩模的长栅条结构掩模，在腐蚀制备空气桥的过程中只需通过显微镜观测栅条掩模结构下的外延材料腐蚀形貌，即可准确的判断出肖特基二极管空气桥的制备进程。本发明是一种非破坏性监控方法，操作简单且对加工设备能力要求低。
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公开(公告)号：CN102486550B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201010574449.0
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基复合介质模斑转换器及其制备方法。该模斑转换器在沿光传输方向上交替由硅和氧化硅两种材料按不同的组分比例排列在一起，构成周期结构。通过两种材料组分比例的变化实现模斑转换器等效折介质射率的变化，进而实现光斑模场从光纤端到硅微纳波导端的逐渐转变。该复合介质模斑转换器具有波长不敏感的性质，且其制作方法能够更好的与传统工艺相兼容，可重复制作性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102810465A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110147251.9
申请日：2011-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2钝化层致密。所述方法能够在较低的温度条件下实现SiO2钝化层在SiC材料上的生长，SiO2钝化层在退火后的折射率从1.465减小到1.455，SiO2钝化层的致密程度高，能够满足SiC材料对SiO2钝化层的要求。并且，本发明提供的在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法能够用于厚度在100nm以上的SiO2钝化层的生长。
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公开(公告)号：CN102496559A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110379705.5
申请日：2011-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/266
Abstract: 公开了一种三层复合离子注入阻挡层，包括：三层复合结构SiO2/Ti/Ni；所述三层复合结构的最上层为Ni金属层，所述Ni金属层为离子注入阻挡层；所述三层复合结构中层为Ti金属层，用于增加Ni金属层与下层SiO2的黏附性；所述三层复合结构下层为SiO2牺牲层，置于底层衬底之上，用于将Ti/Ni金属层与衬底分隔开。本发明还公开了一种制备、去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法。通过本发明提供的制备方法制备的三层复合离子注入阻挡层不仅能够实现对半导体材料高温注入Al工艺的阻挡要求，同时，SiO2牺牲层还能够有效减少注入半导体表面的损伤。去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法简单有效，解决了半导体衬底上Ti/Ni金属去除中的金属残留问题。
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公开(公告)号：CN101383388B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710121369.8
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。
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公开(公告)号：CN100428591C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610003069.5
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01S5/026 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/00 , H01L25/00 , H01L23/00 , H01L21/50 , G02B6/00 , H04B10/02
Abstract: 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。
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公开(公告)号：CN101017956A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003069.5
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01S5/026 , H01S5/022 , H01S5/024 , H01S5/00 , H01L25/00 , H01L23/00 , H01L21/50 , G02B6/00 , H04B10/02
Abstract: 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。
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