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公开(公告)号：CN110793631A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911088171.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J1/46
Abstract: 本发明提供一种具有渐变传输线的超导纳米线单光子探测系统，包括：超导纳米线单光子探测器；渐变传输线，一端与超导纳米线单光子探测器相连接；高通滤波器，一端与渐变传输线连接于超导纳米线单光子探测器的一端相连接，另一端接地；三端口器件，三端口器件的第一端口与渐变传输线远离所述超导纳米线单光子探测器及高通滤波器的一端相连接；电流源，一端与三端口器件的第二端口相连接；放大器，放大器的输入端与三端口器件的第三端口相连接，放大器的接地端接地；超导纳米线单光子探测器、渐变传输线及高通滤波器集成于同一芯片上。本发明可以实现高频信号的放大，降低时间抖动及提高计数率等超导纳米线单光子探测器的整体性能。
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公开(公告)号：CN109764967A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910035740.1
申请日：2019-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种抑制多模光纤耦合SNSPD暗计数的方法及系统，抑制多模光纤耦合SNSPD暗计数的方法包括如下步骤：将入射光进行过滤，以得到目标波长的光；将所述目标波长的光经由多模光纤耦合至SNSPD进行探测。本发明的抑制多模光纤耦合SNSPD暗计数的方法通过将目标波长之外的光进行过滤后再进行探测，可以显著降低系统的暗计数。
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公开(公告)号：CN107507883B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710678394.X
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种晶须单光子探测器件，所述晶须单光子探测器件包括：衬底；功能结构层，所述功能结构层位于所述衬底表面；所述功能结构层至少包括一层晶须。本发明的晶须单光子探测器件使用晶须替代现有超导纳米线单光子探测器件中的超导纳米线，本发明的晶须单光子探测器件即具有现有超导纳米线单光子探测器件的一切功能，同时，晶须具有很好的柔性，具有较高的临界电流密度，且在弯曲和外场强下其临界电流密度不会明显变化，大大提高了晶须单光子探测器件的实用性。
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公开(公告)号：CN106549097B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510593942.X
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜表面；介质层，位于所述高反膜表面，且包覆所述超导纳米线。本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器在高反膜上加工制备超导纳米线，该器件结构可以通过正面光耦合将光直接照射到超导纳米线上，可以避免光学腔体结构中远距离聚焦的问题，进而避免了衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，且对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明的抑制偏振敏感度的超导纳米线单光子探测器通过在高反膜表面生长包覆超导纳米线的高折射率介质层，可以降低器件的偏振相关性。
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公开(公告)号：CN108365049A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810083509.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种大光敏面超导纳米线单光子探测器，包括至少一层超导纳米线结构，超导纳米线结构包括：若干条平行间隔排布的直线部，包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线；若干个第一连接部，将直线部依次首尾连接成蜿蜒状；若干个第二连接部，位于直线部内，且位于直线部内平行间隔排布的超导纳米线之间；位于同一直线部内的若干个第二连接部平行间隔排布；沿平行于所述直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为第二连接部；沿垂直于直线部的方向，超导纳米线结构对应于写场拼接处的部分为相邻直线部之间的间隙。本发明可以避免写场拼接误差对超导纳米线核心区域的影响，从而不可以确保大光敏面超导纳米线单光子探测器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694117B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210167983.9
申请日：2012-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法，该振荡器包括一共面波导，以及位于所述共面波导中心导体带和接地导体之间的超导纳米线，该振荡器的实现原理是基于超薄超导材料的纳米线结构的自热弛豫效应特性。本发明制备的振荡器工艺结构简单，和超导约瑟夫逊振荡器相比，不需要使用多层超导薄膜，不需要制备结构复杂且制备难度较高的超导约瑟夫逊结。同时，其控制简单，不需要外加磁场，仅需控制器件的偏置电压即可实现高频振荡。该振荡器原理适用于所有类型超导材料，包括各种高温超导材料和低温超导材料。
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公开(公告)号：CN104064631A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410334717.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/02165 , H01L31/035227 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成短波通多层薄膜滤波器；其中，所述短波通多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有短波通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。本发明操作简单，仅需在衬底上集成短波通多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率，另外，只需要过滤波长范围大于1550nm的光波，降低了设计要求，有利于滤波器的实现。
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公开(公告)号：CN102694117A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210167983.9
申请日：2012-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法，该振荡器包括一共面波导，以及位于所述共面波导中心导体带和接地导体之间的超导纳米线，该振荡器的实现原理是基于超薄超导材料的纳米线结构的自热弛豫效应特性。本发明制备的振荡器工艺结构简单，和超导约瑟夫逊振荡器相比，不需要使用多层超导薄膜，不需要制备结构复杂且制备难度较高的超导约瑟夫逊结。同时，其控制简单，不需要外加磁场，仅需控制器件的偏置电压即可实现高频振荡。该振荡器原理适用于所有类型超导材料，包括各种高温超导材料和低温超导材料。
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公开(公告)号：CN119374502A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310932927.8
申请日：2023-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器膜厚测试结构、方法及制备方法，所述膜厚测试结构包括从下至上依次层叠设置的衬底、底反射层、超导膜层、介质材料层及顶反射层；其中，所述底反射层、所述超导膜层、所述介质材料层及所述顶反射层形成光学微腔结构；所述底反射层及所述顶反射层作为所述光学微腔结构的两个反射面；所述超导膜层及所述介质材料层作为所述光学微腔结构的间隔层。本发明提供的超导纳米线单光子探测器膜厚测试结构、方法及制备方法，能够解决现有膜厚测试手段无法准确测试得到超导纳米线单光子探测器的超导膜层膜厚的问题。
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公开(公告)号：CN117805588A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311863259.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种测试装置及测试方法，测试装置包括：线缆、测试板、芯片安装位、样品转接架、连接装置和探测杆；测试板上设置了M个内置孔，M为大于1的自然数；芯片安装位设置于测试板上，用以安装芯片；连接装置设置于测试板上，用以将测试板与样品转接架的第一表面固定连接；样品转接架上设置了M个连接器，连接器贯穿了样品转接架的本体；各连接器的一端分别通过各内置孔与相应的芯片端口一一对应连接，另一端分别连接对应线缆的低温端接头；探测杆与样品转接架的第二表面固定连接。本发明提供一种测试装置及测试方法，可满足高频响应带宽和高频低噪声测试需求，且无需插拔射频线缆，直接更换芯片，操作简便。
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