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公开(公告)号：CN111755046A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010425372.4
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种存储器装置的偏置方法，其中存储器装置的选通器为二极管阵列，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，正常选通工作时，在选通二极管所在的位线BLn上施加选通信号，在需要消除寄生漏电流的位线上施加随所述选通信号变化的抑制信号，其他位线接地，在选通二极管单元所在的字线WLn接地，其他字线施加大于选通信号且小于二极管反向击穿电压的电压Vp。本发明可以降低或彻底消除相邻位线的寄生漏电流，同时减少小部分二极管反向漏电流。
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公开(公告)号：CN107591186B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710749389.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电流测试自动切换电路接收单脉冲电压信号，并加载到第一待测相变电阻的两端，通过数字源表测量第一待测相变电阻的阻值；电流测试时，电压电流测试自动切换电路基于单脉冲电压信号及负直流电流信号产生单脉冲电流信号，并加载到第二待测相变电阻，通过数字源表测量第二待测相变电阻的阻值。本发明将分立的电压和电流测试系统合成到一起，通过电压和电流的自动切换实现工程测试的自动化，同时减小噪音干扰。
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公开(公告)号：CN109903801A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910208832.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的数据读出电路及方法，包括：参考读电压产生电路、读电压预充电电路、目标相变存储单元、未选中相变存储单元、电压比较器电路；其中，所述参考读电压产生电路与所述电压比较器电路连接，所述读电压预充电电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述未选中相变存储单元所在位线连接，所述目标相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述未选中相变存储单元与所述电压比较器电路连接，所述电压比较器电路与所述读电压预充电电路连接。本发明的相变存储器的数据读出电路及方法读出速度快、功耗低且误读率低。
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公开(公告)号：CN104317753B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410562409.2
申请日：2014-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括：相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控制模块的存储控制器，用于响应来自于所述SD接口控制模块的数据读取或写入命令，并通过所述相变存储器接口控制模块控制对所述相变存储器芯片的读取或写入。本发明的存储设备为基于相变存储器的SD卡，采用相变存储器芯片作为存储介质，可以进行随机读写。另外，相较于FLASH，坏块管理和ECC纠错等操作也更加简单，实现了坏块屏蔽功能，且具有抗疲劳的特点。
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公开(公告)号：CN107068198A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710256187.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及对单脉冲驱动电压反相的反相器。基于负直流电流及单脉冲驱动电压产生第一、第二脉冲电流源；在单脉冲驱动电压为高电平时，第一脉冲电流源为电容充电；第二脉冲电流源流经负载相变电阻，作为输出驱动电流的高电平信号；在单脉冲电压为低电平时，电容为负载相变电阻供电，使输出驱动电流的下降沿缓慢下降。本发明利用RC放电效应，控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降，以此每个存储单元都能作用在最优SET操作的参数下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104575611A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410804631.9
申请日：2014-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C29/08
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器器件单元的皮秒级脉冲测试系统，包括主控计算机、皮秒脉冲信号发生器、数字源表和器件夹具盒，所述主控计算机分别与所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表相连；所述皮秒脉冲信号发生器和数字源表还分别与所述器件夹具盒内的偏置器相连；所述器件夹具盒的两根探针分别连接被测相变存储器的上电极和下电极，构成一个完整的存储单元测试连接回路；所述主控计算机通过控制软件进行命令及数据传输，实现命令的发送和数据的采集。本发明能够表征器件单元的电学和存储性能。
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公开(公告)号：CN102779072B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210199953.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/48
Abstract: 本发明提供一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由传统的非易失主存及DRAM内存构成存储架构，非易失主存又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区，可实现应用进程挂起到非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠，使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便，可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间，从而提高嵌入式系统运行效率。
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公开(公告)号：CN103019955A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110300660.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F12/08
Abstract: 本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法，应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中，该内存管理方法是：将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存，系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存；于CPU执行写数据的操作时，CPU检测DRAM缓存中是否存在要写的数据页，存在则将数据写入DRAM缓存，否则将要写的数据页由PCRAM主存读入到DRAM缓存之后再进行写操作，实现了CPU写操作时对PCRAM主存所需求的擦写次数及写速度、疲劳特性等性能的需求；于CPU执行读数据的操作时，CPU首先访问DRAM缓存，并在DRAM缓存中未读取到要访问的数据页时，CPU访问PCRAM主存进行读取，实现CPU可直接读取DRAM缓存及PCRAM主存内的数据，大大节省了系统读操作时的工作量。
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公开(公告)号：CN102866896A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110186989.6
申请日：2011-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F9/445
Abstract: 本发明提供一种基于单存储器的嵌入式设备的启动系统，其至少包括：中央处理器，系统总线，外围总线设备，以及一单类型存储器，其中，所述单类型存储器通过所述系统总线与所述中央处理器连接，所述单类型存储器划分有启动程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及系统RAM区，以使所述嵌入式设备在常规和XIP的两种启动模式下执行启动作业，进而可实现存储空间的共享，根据需求可以调整各个存储区的大小，便于实现软件升级及嵌入式设备的高效运行；同时可简化CPU接口，节约I/O引脚数量，在一些应用中甚至可以使用不带DRAM控制器的CPU以达到节约成本的目的。
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公开(公告)号：CN112311361B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201910699840.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种阶梯脉冲的确认方法，包括：基于确定的电阻方程和温度方程确定包含第一未知参量和第二未知参量的电流方程；根据多个第一阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲；第一电阻阻值对应的第一阶梯脉冲的首脉冲的脉宽和幅值为第一脉宽和第一幅值；根据多个第二阶梯脉冲对应的多个电阻阻值中确定出第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲；第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的脉宽为第二脉宽；基于第二脉宽和第一幅值确定电流方程；基于电流方程对第二电阻阻值对应的第二阶梯脉冲的非首脉冲的幅值进行调节，获取与电流方程相匹配的目标阶梯脉冲。此设计得到的目标阶梯脉冲可以使擦操作成功率提高且速度变快。
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