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公开(公告)号：CN103208425A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310095306.5
申请日：2013-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28255 , H01L21/02115 , H01L21/02181 , H01L21/02252 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/02321 , H01L21/0234 , H01L21/02381 , H01L21/26513 , H01L21/2855 , H01L21/324 , H01L22/14 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/42364 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66431 , H01L29/66477 , H01L29/6659 , H01L29/7781 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供一种石墨烯调制的高k金属栅Ge基MOS器件的制作方法，包括步骤：1）于Ge基衬底上引入石墨烯薄膜；2）对石墨烯薄膜进行氟化处理形成氟化石墨烯；3）采用臭氧等离子体活化氟化石墨烯表面，然后通过原子层沉积技术于氟化石墨烯表面形成高k栅介质；4）于高k栅介质表面形成金属电极。本发明利用石墨烯作为钝化层抑制Ge基衬底表面非稳定氧化物GeOx形成，同时阻挡栅介质与Ge基衬底间的互扩散，提高Ge与高k栅介质层之间的界面性质。氟化石墨烯能够在保持石墨烯优良特性的基础上使石墨烯变为质量较好的绝缘体，减少其对Ge基器件电学性能的影响。采用臭氧等离子处理Ge基石墨烯，然后采用原子层沉积技术可以获得超薄的Hf基高k栅介质层。
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公开(公告)号：CN110065939A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810062548.7
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换成氢气，氢气使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆氢气的石墨烯气泡。通过上述方案，本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该石墨烯结构的制备方法，本发明的技术方案可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN105977145B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201610457787.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在所述光刻胶上形成多个注入窗口，进行H+离子或He离子注入，去除所述光刻胶，进行退火处理，使所述标的材料中的H+离子或He离子聚集成H2或He产生气泡凸起，从而得到标的材料的应变量子点。本发明的方法新颖，制备过程简单，可操作性强，应变量可观、可调；制备过程可控性强，注入窗口的大小、形状、间距，H+离子或He离子注入的能量、剂量，退火温度、时间等工艺参数均可调；且方法可用范围广，晶体材料均可使用该方法制备应变量子点。
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公开(公告)号：CN105895522A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610459777.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/0217 , H01L21/31133
Abstract: 本发明提供一种去除石墨烯上光刻胶的方法，包括：提供表面具有石墨烯的衬底；在所述石墨烯上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上涂覆光刻胶，并进行需要光刻胶的后续工艺处理；利用丙酮浸泡去除部分所述光刻胶；利用氢氟酸浸泡去除所述氮化硅层及剩余的光刻胶。本发明的方法，在石墨烯与光刻胶之间插入一层氮化硅层，利用氢氟酸去除氮化硅层，从而通过去除氮化硅层可有效带走其上难以去除的光刻胶。插入的氮化硅层不会影响后续带胶工艺，易腐蚀，方便去除，且不会对石墨烯造成不利影响，避免了传统打胶处理对石墨烯造成的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105655242A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410675336.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法，其中，所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括：提供一铜衬底，在所述铜衬底上形成镍薄膜层；在所述镍薄膜层上选择一特定区域，在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素，以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区；对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温，以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底；然后在甲烷环境下进行第二阶段保温，以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯。本发明结合铜和镍的性质，利用离子注入技术，实现了N型和P型掺杂元素的晶格式掺杂，从而得到稳定的掺杂石墨烯结构。
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公开(公告)号：CN105129785A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510532114.5
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上石墨烯的制备方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一绝缘衬底，将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述绝缘衬底键合，得到键合片；微波处理所述键合片，以使所述Ge-H键断裂，生成氢气，使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离，转移至所述绝缘衬底表面，得到绝缘体上石墨烯。本发明无需经过湿法反应过程，减少了缺陷的引入，且石墨烯转移过程中始终有载体支撑，最大程度保留了石墨烯的完整性，有利于得到大尺寸、高质量的绝缘体上石墨烯。
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公开(公告)号：CN105088179A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510532604.5
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一键合基底，将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合，得到键合片；微波处理所述键合片，以使所述Ge-H键断裂，生成氢气，使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离，转移至所述键合基底表面。本发明可将石墨烯轻松转移至多种衬底上，无需经过湿法反应过程，减少了缺陷的引入，且能够最大程度保留了石墨烯的完整性，特别有利于大尺寸石墨烯的转移。锗催化衬底可重复利用，有利于节省材料，更为环保。
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公开(公告)号：CN103058129B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310003760.3
申请日：2013-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。
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公开(公告)号：CN103058129A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310003760.3
申请日：2013-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。
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