-
公开(公告)号：CN108933183B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810715873.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学 , 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供的基于硅‑石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。
-
公开(公告)号：CN103058129B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310003760.3
申请日：2013-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。
-
公开(公告)号：CN103065937A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210593800.X
申请日：2012-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L24/95 , H01L2224/95085
Abstract: 本发明涉及基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法，包括通过光刻以及RIE刻蚀过程制备具有微型井图形的衬底以及制备与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元的步骤；然后将具有微型井图形的衬底以及与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元放入盛有酸性组装液的容器中，利用脉冲湍流系统在容器中产生湍流，从而对微单元产生扰动使得形状互补的微单元与具有微型井图形的衬底通过图形辨认自组装集成一体。本发明最终形成硅基衬底上不同半导体材料集成的结构，即MSMOS（Multi-Semiconductor Materials on Silicon）。这种自组装形成的材料满足国际半导体技术发展路线图(ITRS)所提出的延续摩尔定律以及超越摩尔定律的材料需求；解决了异质生长的失配问题；同时，自组装形成异质材料集成的方法更加简易，成本更低。
-
公开(公告)号：CN103058129A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310003760.3
申请日：2013-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。
-
公开(公告)号：CN108933183A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810715873.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学 , 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供的基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117712203A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311723009.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 南方科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C16/515 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种光电探测器、制备方法及应用，依次包括层状设置的零维石墨烯、三维石墨烯、二维石墨烯和衬底层。本发明在零维石墨烯和二维石墨烯的配合作用下，有效提升了三维石墨烯的光电性能，由此本发明提供了一种有效提升三维石墨烯光电性能的手段。
-
公开(公告)号：CN113078053A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110331144.5
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种顶栅结构的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、栅介质层、至少一栅电极层及支撑层；将由栅介质层、栅电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，栅介质层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使由栅介质层及栅电极层组成的顶栅结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作顶栅结构，利用石墨烯与栅介质材料间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意顶栅结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了顶栅结构的可应用范围，减少了顶栅结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低顶栅结构的制作成本。
-
公开(公告)号：CN113078044A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110320623.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介电材料与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使介电材料层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作介电材料层，利用石墨烯与介电材料层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意介电材料层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了介电材料层的可应用范围，减少了介电材料层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低介电材料层的制作成本。
-
公开(公告)号：CN110065271B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810062550.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；对衬底进行处理，以于衬底的表面形成一离子膜层；提供一石墨烯层，并转移石墨烯层至离子膜层的表面；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分离子膜层转换成对应的气体，该气体使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆该气体的石墨烯气泡，通过上述方案，本发明可以在任意衬底上制备得到石墨烯气泡，不受衬底限制；本发明的具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该结构的制备方法，可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。
-
公开(公告)号：CN109473507A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811245526.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯的器件及其制备方法，具有石墨烯的器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的表面形成石墨烯；3)于石墨烯远离基底的表面生长量子点。本发明的具有石墨烯的器件的制备方法通过分子束外延工艺生长量子点，通过调节分子束外延工艺的生长条件，可以有效的控制在石墨烯表面外延生长的量子点的形貌特征；生长过程稳定可控，重复性强，适合作为石墨烯表面功能化量子点的普适方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
246
records
(took 0.052 seconds)
