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公开(公告)号：CN104392992A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410738258.1
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构，包括SOI衬底；所述SOI衬底的顶层硅中定义有有源区，所述有源区中形成有P阱及N阱；其中：所述有源区表面形成有假栅极型硅化物隔离结构，所述假栅极型硅化物隔离结构周围的有源区表面形成有金属硅化物层。本发明利用假栅极型硅化物隔离结构来实现有源区中不同类型重掺杂区以及阱区之间的金属硅化物阻隔，其中，该假栅极可与SOI衬底上其它区域的正常栅极结构同时制作，从而减少了一层硅化物阻挡层掩膜版，有利于节约生产成本；制作工艺与SOICMOS工艺完全兼容，具有很强的设计可行性；本发明的ESD保护器件结构可以单独使用，也可以结合其他外部电路或器件使用，达到更好的抗ESD保护效果。
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公开(公告)号：CN102692682B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210193178.3
申请日：2012-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光栅耦合器及其制作方法，提供一SOI衬底，刻蚀所述SOI衬底的顶层硅，形成周期为500~800nm的耦合光栅，同时于所述顶层硅中隔出CMOS有源区；于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅及CMOS有源区的栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成导电层，刻蚀所述导电层，形成与所述耦合光栅周期相同的覆层结构，同时形成CMOS的栅极结构；最后形成保护层以完成制备。所述耦合光栅、栅氧化层及覆层结构均与CMOS的制备同时完成，可共享掩膜，降低了制作成本；覆盖于栅氧化层上的导电上覆层提高了耦合效率；优化的结构参数使得光栅耦合器的耦合效率显著提高；新颖的光栅耦合器结构使耦合效率对SOI埋氧层厚度的依赖性大为降低，从而放松了对SOI衬底的规格要求。
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公开(公告)号：CN102879858A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210419042.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有光栅的单纤三向复用器。该单纤三向复用器至少包括：用于接入第一波长及第二波长的光波信号的输入波导；用于接入第三波长的光波信号的上传波导；第一输出波导；第二输出波导；及多模波导耦合器；该多模波导耦合器用于分离所述第一波长信号及第二波长信号，并使两者分别由第一输出波导及第二输出波导输出；此外，该多模波导耦合器所具有的光栅，能反射所述第三波长的光波信号，并使该光波信号由输入波导输出。优选地，输入波导、上传波导、第一输出波导、第二输出波导及多模波导耦合器均通过对半导体基底的刻蚀来形成。本发明的优点包括：结构紧凑小巧，且制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN101901754B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010211448.X
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102437179A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110402796.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111739838A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010578947.6
申请日：2020-06-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及一种抗辐射的SOI材料的制备方法，包括：采用局域性离子注入的方式制备抗辐射的SOI材料。本发明顶层硅离子注入损伤小，局域性离子注入，其它部分不被注入，顶层硅晶格结构完整，成为后续退火修复的籽晶区域，退火后顶层硅晶格质量完整，均匀性好。
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公开(公告)号：CN104570207B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510028170.5
申请日：2015-01-20
Applicant: 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种大角度准自准直光子晶体及其准直度定量方法，所述大角度准自准直光子晶体至少包括：矩形晶格光子晶体介质柱；位于该光子晶体外起抗反射层作用的单排抗反射介质柱；所述光子晶体介质柱及所述抗反射介质柱处在空气介质中，可通过刻蚀SOI衬底的顶层硅得到。本发明的优点包括：基于最小二乘法来定量光子晶体等频线的准直度，改变光子晶体晶格对称性可实现准自准直光束传播，同时通过优化单排光子晶体介质柱的结构参数，可使得大角度入射光束能高效耦合进入准自准直光子晶体，制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。
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公开(公告)号：CN105785507A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410829315.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，所述偏振分束旋转器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和非对称Y分支波导；双刻蚀波导包括一端与所述单模输入波导尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，第一刻蚀区的高度大于第二刻蚀区的高度；非对称Y分支波导包括根波导、第一分支波导和第二分支波导，根波导与第一刻蚀区的尾端相连，第一Y分支波导的宽度大于第二Y分支波导的宽度。由于双刻蚀波导的模式转换和非对称Y分支波导的模式分配是宽带的，本发明提供的偏振分束旋转器中利用了这两个基本结构的宽带特性，解决传统偏振分束旋转器带宽较窄的缺点。
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公开(公告)号：CN105740555A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610073979.4
申请日：2016-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明提供一种单粒子瞬态脉冲电流源的建模方法，首先建立单粒子瞬态脉冲电流源模型，然后利用脉冲波形测试电路对反相器电路的单粒子脉冲进行测试，获得单粒子瞬态脉冲不同电压值下的脉冲宽度，最后利用仿真器对反相器进行仿真模拟，将仿真结果与实际测试的反相器电路单粒子瞬态脉冲电压波形进行对比，校准单粒子瞬态脉冲电流源模型的参数，由此得到准确的等效电流源模型，为电路提供准确的瞬态脉冲电流源模型。
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公开(公告)号：CN105652371A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410664561.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本发明提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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