-
公开(公告)号：CN1431679A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115427.1
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。
-
公开(公告)号：CN1424754A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160742.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于(1)离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；(2)离子注入时的能量范围是50～200 keV，相应的剂量范围是2.0×1017～7.0×1017cm－2，注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(1017cm－2)＝(0.035±0.005)×E(keV)；(3)离子注入后的高温退火的温度为1200～1375℃，退火的时间为1～24个小时，退火的气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0.5％～20％。采用本发明提供的方法所制备的图形化SOI材料具有平整度高，缺陷密度低，过渡区小等优点，适合于制造集成体硅和SOI电路的系统芯片。
-
公开(公告)号：CN118868895A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410875520.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/687 , H03K17/14
Abstract: 本发明涉及一种时钟自举的参考电压传输开关电路，包括：第一电流源、第二电流源和开关管MSW；参考电压产生电路，与所述第一电流源相连，用于产生固定的输入参考电压；自举电压产生电路，与所述第二电流源相连，用于产生时钟信号的自举电压；在所述时钟信号为第一电平时，所述自举电压与所述输入参考电压相等；在所述时钟信号为第二电平时，所述自举电压与所述输入参考电压的差值为所述时钟信号的幅值，所述时钟信号的幅值大于所述开关管MSW的阈值开启电压；所述开关管MSW的栅端与所述自举电压产生电路的输出端相连，源端与所述参考电压产生电路的输出端相连，漏端作为整个电路的输出端。本发明能够保证开关电路线性度和精度，且不需要电容的充放电过程。
-
公开(公告)号：CN118130518A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410160578.7
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2202 , G01N23/04 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种薄膜材料的平面TEM样品制备方法，本发明利用信息标记定位方法，实现界面精准定位，进而能够在原子级分辨率下，从薄膜平面方向有效地区分出单层薄区(≤5nm)和双层薄区，从大面积观测角度获取原子排列、元素分布、晶粒粒径等信息。同时，制样机时平均节约1小时以上，制样效率提升一倍，平面样品的制样成功率提升75％。
-
公开(公告)号：CN117969574A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410160579.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2202 , G01N23/04 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种二维材料的平面制样方法，本发明通过对机械手/样品/铜网三者进行一定的角度变换，就可以避免现有技术中需要更换样品底座或破真空手动垂直铜网两种方法来实现薄膜材料的平面制样，同时也可以按照正常步骤实现样品截面TEM的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117014009A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310905362.4
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SAR ADC单粒子翻转检测系统，包括：电荷再分配型逐次逼近式模数转换器和检测电路，所述检测电路包括不少于一个检测单元，用来在所述逐次逼近式模数转换器完成对输入信号的采样量化后再进行一次电荷分配和电压比较，来检测所述逐次逼近式模数转换器的残差电压是否正常收敛，进而判断是否发生单粒子翻转；所述检测电路的第一端口与所述比较器的输入端口连接，所述检测电路的第二端口与所述逻辑控制电路的输出端口连接。本发明以简单的电路逻辑、较小的面积损失对系统是否发生单粒子翻转进行检测。
-
公开(公告)号：CN111403380B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201910773021.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请提供一种静电保护结构，包括：埋氧层、电阻和设置于埋氧层上的场效应晶体管和二极管组件，其中，场效应晶体管包括第一注入区、第一阱区、第二注入区、第二阱区和第三注入区，第一阱区与第二阱区均为低压阱区；第一阱区与第二阱区远离埋氧层的一面均设有绝缘层，第一阱区的绝缘层与第二阱区的绝缘层跨接引出栅极端，栅极端为高压栅极端；第一注入区与第三注入区跨接引出源极端，源极端接地；第二注入区引出漏极端；电阻的第一端与栅极端连接，电阻的第二端接地，二极管组件与场效应晶体管连接。基于本申请实施例，通过在场效应晶体管的栅极串接电阻，与漏极‑栅极间寄生的耦合电容形成电容耦合效应，提高场效应晶体管的导通均匀性。
-
公开(公告)号：CN110401444B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910558207.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种异步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路，包括：异步时钟生成电路，用于根据所述异步时钟ADC电路的比较器的输出和反向输出生成一异步时钟信号，作为所述异步时钟ADC电路的比较器的时钟信号输入至所述异步时钟ADC电路的比较器的时钟信号输入端；亚稳态标志信号生成电路，输出端连接至所述异步时钟生成电路，用于向所述异步时钟生成电路输出由所述异步时钟信号确定的亚稳态标志信号，使在所述异步时钟信号异常时，输出至所述异步时钟生成电路的亚稳态标志信号使得所述异步时钟生成电路输出的时钟信号恒为零，比较器复位。
-
公开(公告)号：CN110401443B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201910558206.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种同步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路，包括：亚稳态标志信号生成电路，用于连接至所述同步时钟ADC电路的比较器的输出端，根据所述比较器的输出和反向输出生成亚稳态标志信号，以控制同步时钟信号的生成，所述同步时钟信号用于供给所述比较器，给所述比较器提供比较时钟；同步时钟信号生成电路，连接至所述亚稳态标志信号生成电路的输出端，用于根据所述亚稳态标志信号生成同步时钟信号，所述同步时钟信号生成电路还连接至所述比较器，将生成的同步时钟信号供给所述比较器，且所述比较器处于亚稳态时，所述同步时钟信号为低电平。
-
公开(公告)号：CN111261515B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010061425.9
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L21/66 , G01Q30/20
Abstract: 本发明涉及微纳尺度材料样品制备技术领域，特别涉及一种电子器件表面处理方法。所述电子器件包括衬底层和设在所述衬底层上的器件结构层，所述器件结构层内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层；所述处理方法包括：对所述器件结构层减薄，使所述金属材料层裸露在所述器件结构层表面，得到第一处理产物；对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。本申请实施例所述的电子器件表面处理方法，通过对器件结构层减薄，使内部的金属材料层裸露出器件结构，然后再刻蚀除去金属材料层，为后续的三维原子探针技术表征分析提供保证，提高三维原子探针技术样品分析的成功率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
123
records
(took 0.119 seconds)
