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公开(公告)号：CN104517883B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201310447631.3
申请日：2013-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法，包括步骤：1）于第一衬底表面形成掺杂的单晶薄膜；2）于单晶薄膜表面形成缓冲层及顶层半导体材料；3）将杂质离子注入至单晶薄膜；4）将剥离离子注入至单晶薄膜下方第一衬底中的预设深度的位置；5）键合所述顶层半导体材料与具有绝缘层的第二衬底；6）进行退火处理，使所述第一衬底与所述缓冲层从该单晶薄膜处分离，去除所述缓冲层。本发明结合了离子共注与掺杂单晶薄膜剥离的双重作用，有效的降低了剥离剂量。注入杂质离子使单晶薄膜产生应力增加其吸附能力，H离子注入退火后实现剥离，剥离发生在超薄的单晶薄膜处，裂纹很小，可获得高质量的绝缘体上半导体材料。
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公开(公告)号：CN103985788B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410217764.6
申请日：2014-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。本发明可提高MSM光电探测器的光电探测性能。
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公开(公告)号：CN103632930B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210310702.0
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法，该方法首先在第一衬底上依次外延生长第一单晶薄膜、第一缓冲层、第二单晶薄膜、第二缓冲层以及顶层薄膜，再通过两次离子注入以及键合工艺，最终得到绝缘体上超薄改性材料。所制备的超薄改性材料的厚度范围为5~50 nm。本发明通过在不同层的两次离子注入将材料改性和剥离两个过程分开进行，且剥离发生在超薄层，裂纹较小，剥离过程中对顶层薄膜的质量影响较小，可以制备出高质量的绝缘体上超薄改性材料。
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公开(公告)号：CN103021818B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210593568.X
申请日：2012-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述微结构中间图形微米带部分完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层，形成固定结，最后提供一基板与所述微结构相接触，并迅速提起基板以将所述微结构转移到所述基板上。本发明的微结构保角性转移方法利用简易的端点固定图形化设计，对微结构纳米薄膜进行固定，实现完全保角性转移，大大的降低了保角性转移工艺的复杂度，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN104752309A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310732418.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76259
Abstract: 本发明提供一种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在其表面外延生长一掺杂单晶层；所述掺杂单晶层厚度大于15nm；S2：在所述掺杂单晶层表面外延生长一单晶薄膜；S3：在所述单晶薄膜表面形成一SiO2层；S4：进行离子注入，使离子峰值分布在所述SiO2层以下预设范围内；S5：提供一表面具有绝缘层的基板与所述单晶薄膜表面的SiO2层键合形成键合片，并进行退火以使所述键合片在预设位置剥离，得到绝缘体上材料。本发明利用较厚掺杂单晶层对注入离子的吸附作用，并控制注入深度，使剥离界面为所述掺杂单晶层的上表面、下表面或其中离子分布峰值处，从而达到精确控制剥离位置的目的。
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公开(公告)号：CN102842495A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210376802.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN102751184A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210254007.7
申请日：2012-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH4OH:H2O2:H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGe1-x材料，以获得光洁的Si层表面。本发明可以有效降低去除应变硅表面的SixGe1-x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本发明工艺简单，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN118198131A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410207650.7
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，通过在沟道区处生长全包围栅铁电极介质层，形成全包围栅铁电场效应晶体管，使其具有优秀的电荷输运控制能力，且制备工艺兼容传统CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN113539792B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202110778341.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种多层悬空的纳米片堆叠结构及全环绕栅极晶体管的制备方法。所述多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法包括：在Si衬底上外延生长Si/Si1‑xGex超晶格与硅间隔层交替层叠的堆叠结构，其中0
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公开(公告)号：CN117375547A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210762500.3
申请日：2022-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：在第一衬底上生长至少一层压电薄膜；形成第一电极；图形化第一电极和压电薄膜，再形成键合层；刻蚀键合层，形成第一开口；将键合层与第二衬底键合固定，所述第一开口形成空腔结构；去除第一衬底，暴露出压电薄膜的底表面，减薄压电薄膜的底表面，在压电薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长，形成二次压电薄膜生长层；形成介质层，并图形化所述介质层，形成第二开口；形成第二电极，并制作电性引出结构。本发明通过减薄和再生长工艺制备掺杂AlN与单晶AlN相结合的压电层，有利于提升压电层厚度及质量、改善压电层应力，进一步提高体声波谐振器的机电耦合系数、品质因数Q等性能参数。
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