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公开(公告)号：CN115094516B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210731188.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放，形成高晶体质量、低应力的氮化铝或者铝钪氮薄膜。
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公开(公告)号：CN116248067A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310229595.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出一种体声波谐振器的调谐方法，体声波谐振器的调谐方法包括：压电薄膜包括n层极性压电薄膜，任意相邻两层的极性压电薄膜的极性相反，其中，n≥2；通过固定压电薄膜的总厚度，改变不同极性的极性压电薄膜的层数。极性压电薄膜层数越多，越能激发更高阶谐振模式，谐振频率越大；体声波谐振器的调谐方法利用分层制备极性相反的极性压电薄膜，在不降低压电薄膜总厚度或引入过渡电极的条件下提高谐振器谐振频率，激发更高阶谐振模式，简化工艺，降低对工艺及设备要求的同时，提高滤波器工作频率。
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公开(公告)号：CN117375547A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210762500.3
申请日：2022-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：在第一衬底上生长至少一层压电薄膜；形成第一电极；图形化第一电极和压电薄膜，再形成键合层；刻蚀键合层，形成第一开口；将键合层与第二衬底键合固定，所述第一开口形成空腔结构；去除第一衬底，暴露出压电薄膜的底表面，减薄压电薄膜的底表面，在压电薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长，形成二次压电薄膜生长层；形成介质层，并图形化所述介质层，形成第二开口；形成第二电极，并制作电性引出结构。本发明通过减薄和再生长工艺制备掺杂AlN与单晶AlN相结合的压电层，有利于提升压电层厚度及质量、改善压电层应力，进一步提高体声波谐振器的机电耦合系数、品质因数Q等性能参数。
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公开(公告)号：CN115094516A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210731188.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放，形成高晶体质量、低应力的氮化铝或者铝钪氮薄膜。
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