-
公开(公告)号：CN115148643B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210938351.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法，湿法蚀刻设备包括蚀刻腔室及吸附模块，吸附模块的一端与蚀刻腔室的排液口相连通和/或吸附模块设置于蚀刻腔室内，蚀刻腔室用于基板上氧化硅、硅或氮化硅的湿法蚀刻，吸附模块设置有用于吸附蚀刻产物硅化合物的吸附物质，蚀刻腔室中的氧化硅、硅或氮化硅材料蚀刻过程中的蚀刻液流经吸附模块，蚀刻产物硅化合物被吸附模块吸附去除，从而实现蚀刻液的再生。本发明的湿法蚀刻设备，在蚀刻液的循环路径上设置可吸附硅化合物的吸附模块，可以有效延长蚀刻液的使用寿命，降低使用成本及减少因蚀刻液的废液排放带来的环境污染，且可降低更换蚀刻液的频率，有助于提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN117375547A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210762500.3
申请日：2022-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：在第一衬底上生长至少一层压电薄膜；形成第一电极；图形化第一电极和压电薄膜，再形成键合层；刻蚀键合层，形成第一开口；将键合层与第二衬底键合固定，所述第一开口形成空腔结构；去除第一衬底，暴露出压电薄膜的底表面，减薄压电薄膜的底表面，在压电薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长，形成二次压电薄膜生长层；形成介质层，并图形化所述介质层，形成第二开口；形成第二电极，并制作电性引出结构。本发明通过减薄和再生长工艺制备掺杂AlN与单晶AlN相结合的压电层，有利于提升压电层厚度及质量、改善压电层应力，进一步提高体声波谐振器的机电耦合系数、品质因数Q等性能参数。
-
公开(公告)号：CN116949564A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210406596.X
申请日：2022-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失配所带来的影响，从而可以实现无裂纹的单晶AlN薄膜生长。
-
公开(公告)号：CN115094516A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210731188.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放，形成高晶体质量、低应力的氮化铝或者铝钪氮薄膜。
-
公开(公告)号：CN114878605A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210345490.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/20008 , G01N23/207
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、可移动样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下采集到的X射线图谱对特定材料的唯一性，避免了衬底的干扰；另外利用同步辐射光源对物体晶格常数超高的分辨能力，有效提高了压电系数的测量精度；最后，配合原位加热和测温装置，在测量压电系数后可以在同一实验中对同一压电薄膜区域的居里温度进行即时原位测量，提高了对压电薄膜压电性能综合表征的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114878605B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210345490.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/20008 , G01N23/207
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同步辐射光源照射下采集到的X射线图谱对特定材料的唯一性，避免了衬底的干扰；另外利用同步辐射光源对物体晶格常数超高的分辨能力，有效提高了压电系数的测量精度；最后，配合原位加热和测温装置，在测量压电系数后可以在同一实验中对同一压电薄膜区域的居里温度进行即时原位测量，提高了对压电薄膜压电性能综合表征的效率。
-
公开(公告)号：CN114249477A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111349536.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C02F9/10 , H01L21/311 , C02F101/16
Abstract: 本发明提供一种氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法。所述再生方法包括将氮化物薄膜湿法刻蚀后产生的刻蚀残液中的刻蚀产物铵根离子进行去除，以实现刻蚀液再生的步骤。本发明通过改善的工艺，可在不停止刻蚀工艺的情况下，在线去除铵根离子，可提高刻蚀液的使用寿命，减少更换刻蚀液的操作，提高生产效率和降低刻蚀成本，同时通过降低废液的排放可以减少环境污染。
-
公开(公告)号：CN114156407A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111452012.4
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋劈裂‑铁磁性耦合材料及其应用，通过对自旋劈裂材料进行掺杂获得包括自旋劈裂材料及掺杂元素的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料，自旋劈裂‑铁磁性耦合材料同时具有能带自旋劈裂及铁磁性，其中，能带自旋劈裂的特性在于自旋劈裂材料，铁磁性的特性在于掺杂元素。本发明提供的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料可实现全电学式自旋轨道力矩驱动控制，以消除传统自旋轨道力矩下自旋劈裂材料及铁磁材料形成的异质结构，从而简化后续制备的器件结构，且可降低能量损耗。
-
公开(公告)号：CN110408910A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910759403.7
申请日：2019-08-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种高通量气相沉积设备及气相沉积方法，高通量气相沉积设备包括：反应腔室；旋转工作台，位于反应腔室内；气体导入装置，位于所述反应腔室内，且位于旋转工作台的上方；气体导入装置将反应腔室分割为上部腔室及下部腔室；气体导入装置上设有若干个通孔；气体隔离结构，位于上部腔室内，且将上部腔室分割为相互隔离的隔离气体腔室及反应气体腔室；隔离气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与隔离气体腔室相连通；反应气体导入通道，位于反应腔室的腔壁上，且与反应气体腔室相连通。本发明的高通量气相沉积设备只需要使用一套隔离气体供给系统及一套反应气体隔离系统共两套气体供给系统，结构简单，容易实现，且隔离度好。
-
公开(公告)号：CN110306160A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910734707.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法，高通量薄膜沉积设备包括：反应腔室；工作台，位于反应腔室内；挡板，位于反应腔室内，且位于工作台的上方，与工作台具有间距；挡板上设有沿挡板的厚度方向贯穿的通孔；驱动装置，与工作台及挡板二者中的至少一者相连接；材料源，位于反应腔室内，且位于挡板的上方，与挡板具有间距。本发明的高通量薄膜沉积设备结构简单、水平移动部件少、成本较低；位于工作平台上的衬底可以不水平移动，可以实现对衬底进行加热；易于集成在线测试装置及其他外部装备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.058 seconds)
