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公开(公告)号：CN115148643A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210938351.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法，湿法蚀刻设备包括蚀刻腔室及吸附模块，吸附模块的一端与蚀刻腔室的排液口相连通和/或吸附模块设置于蚀刻腔室内，蚀刻腔室用于基板上氧化硅、硅或氮化硅的湿法蚀刻，吸附模块设置有用于吸附蚀刻产物硅化合物的吸附物质，蚀刻腔室中的氧化硅、硅或氮化硅材料蚀刻过程中的蚀刻液流经吸附模块，蚀刻产物硅化合物被吸附模块吸附去除，从而实现蚀刻液的再生。本发明的湿法蚀刻设备，在蚀刻液的循环路径上设置可吸附硅化合物的吸附模块，可以有效延长蚀刻液的使用寿命，降低使用成本及减少因蚀刻液的废液排放带来的环境污染，且可降低更换蚀刻液的频率，有助于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113943579A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111203335.X
申请日：2021-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明的组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法，可应用于半导体制造中湿法刻蚀非导电性薄膜，其中组合型刻蚀液包括第一刻蚀液及第二刻蚀液，第一刻蚀液用于刻蚀非导电性薄膜，第二刻蚀液含有能够去除第一刻蚀液与非导电性薄膜刻蚀的反应产物的组分，或存在第三刻蚀液，含有用于去除其他的第一刻蚀液刻蚀产物的组分，以实现第一刻蚀液的使用寿命的延长。以刻蚀氮化硅用组合型刻蚀液为例，第一刻蚀液含有磷酸，第二刻蚀液含有含氟化合物；结合刻蚀设备，调整混合反应腔内刻蚀液温度与含水量，含氟化合物通过与磷酸刻蚀产物硅化合物的反应可生成特定的可去除的氟硅化合物，从而可延长第一刻蚀液的使用寿命，减少换酸操作和提高生产效率。
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公开(公告)号：CN114249477A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111349536.0
申请日：2021-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C02F9/10 , H01L21/311 , C02F101/16
Abstract: 本发明提供一种氮化物薄膜刻蚀液的再生方法和氮化物薄膜的刻蚀方法。所述再生方法包括将氮化物薄膜湿法刻蚀后产生的刻蚀残液中的刻蚀产物铵根离子进行去除，以实现刻蚀液再生的步骤。本发明通过改善的工艺，可在不停止刻蚀工艺的情况下，在线去除铵根离子，可提高刻蚀液的使用寿命，减少更换刻蚀液的操作，提高生产效率和降低刻蚀成本，同时通过降低废液的排放可以减少环境污染。
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公开(公告)号：CN115148643B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210938351.1
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法，湿法蚀刻设备包括蚀刻腔室及吸附模块，吸附模块的一端与蚀刻腔室的排液口相连通和/或吸附模块设置于蚀刻腔室内，蚀刻腔室用于基板上氧化硅、硅或氮化硅的湿法蚀刻，吸附模块设置有用于吸附蚀刻产物硅化合物的吸附物质，蚀刻腔室中的氧化硅、硅或氮化硅材料蚀刻过程中的蚀刻液流经吸附模块，蚀刻产物硅化合物被吸附模块吸附去除，从而实现蚀刻液的再生。本发明的湿法蚀刻设备，在蚀刻液的循环路径上设置可吸附硅化合物的吸附模块，可以有效延长蚀刻液的使用寿命，降低使用成本及减少因蚀刻液的废液排放带来的环境污染，且可降低更换蚀刻液的频率，有助于提高生产效率。
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